模擬客觀題(參考答案)-全文預(yù)覽
【正文】 和差模信號都有負(fù)反饋作用，因此，這種電路是靠犧牲差模電壓放大倍數(shù)來換取對共模信號的抑制作用的。a. 放大倍數(shù)越大b. 輸入差放級UBE的失配越嚴(yán)重c. 輸入差放級β的不對稱程度越嚴(yán)重d. 共模抑制比越高輸入失調(diào)電流IIO是 c 。a. 提高差模電壓放大倍數(shù)b. 提高共模電壓放大倍數(shù)c. 提高差模輸出電阻d. 提高共模抑制比共模抑制比KCMRR是 c 之比。集成運放電路選擇題１、差動放大電路是為了 c 而設(shè)置的。直接耦合放大電路只能放大直流信號，不能放大交流信號。在基本放大電路中，若晶體管的β增大一倍，則電壓放大倍數(shù)也相應(yīng)地增大一倍。a. 共射b. 共集c. 共基d. 任意1放大電路的圖解分析法 d 。a. 共射或共基b. 共集或共射c. 共集或共基d. 任意1在三種基本放大電路組態(tài)中，若希望帶負(fù)載能力強，應(yīng)選用 b 組態(tài)。a. 減小集電極電阻Rcb. 改換β小的管子c. 增大基極偏置電阻Rbd. 減小基極偏置電阻Rb1在一個由PNP晶體管組成的基本共射放大電路中，當(dāng)輸入電壓為1kHz、5mV的正弦波時，輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真。a. 增大b. 減小c. 不變d. 不能確定對于基本共射放大電路，當(dāng)負(fù)載電阻RL減小時，輸出電阻Ro c 。a. 增大b. 減小c. 不變d. 不能確定對于基本共射放大電路，當(dāng)Rc增大時，輸出電阻Ro a 。在負(fù)載開路的條件下測得A的輸出電壓小。通常的晶體三極管在集電極和發(fā)射極互換使用時，仍有較大的電流放大作用。PN結(jié)內(nèi)的擴散電流是載流子在電場作用下形成的。a. 電流，電流b. 電流，電壓c. 電壓，電流d. 電壓，電壓1場效應(yīng)管用于放大時，應(yīng)工作在輸出特性的 a 。 a. 100 b. 30 c. 15 d. 51某晶體管的極限參數(shù)為PCM=150mW ，ICM=100mA ，U（BR）CEO=30V 。a. 正向，正向b. 正向，反向c. 反向，正向d. 反向，反向晶體三極管的共發(fā)射極輸出特性常用一族曲線來表示，其中每一條曲線對應(yīng)一個特定的 c 。a. 溫度b. 摻雜工藝c. 雜質(zhì)濃度d. 晶體缺陷在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，少數(shù)載流子的濃度與 a 有很大關(guān)系。半導(dǎo)體器件選擇題P型半導(dǎo)體中的載流子是 c 。a. 自由電子濃度增加，而空穴濃度不變b. 空穴濃度增加，而自由電子濃度不變c. 空穴和自由電子濃度以相同的規(guī)律和倍數(shù)增加d. 空穴和自由電子濃度都不變在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于 c 。a. 發(fā)射區(qū)高摻雜b. 基區(qū)薄、高摻雜c. 發(fā)射結(jié)面積較大d. 以上答案都不對 三極管用來放大時，應(yīng)使發(fā)射結(jié)處于 b 偏置，集電結(jié)處于 b 偏置。若它的工作電壓UCE=10V ，則工作電流 IC 不得超過 c mA。a. 空穴，空穴b. 空穴，電子c. 電子，空穴d. 電子，電子1晶體三極管屬于 b 控制器件，場效應(yīng)管屬于 b 控制器件。P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。二極管方程可以描述二極管的正向特性和反向特性，也可以描述反向擊穿特性。小信號放大電路選擇題有兩個放大倍數(shù)相同，輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路A和B，對同一個具
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