【正文】 間的信息。 ? 選擇字用于選擇一個對應的 8字節(jié)的描述符，描述符中包含有段基地址、偏移地址和保護信息。在保護模式下， 80386可提供 4GB字節(jié)的實地址空間。而且 ,中斷向量表仍設置在 00000H～ 003FFH共計 1K字節(jié)的存儲區(qū)內；系統(tǒng)初始化區(qū)在 FFFFFFF0H～ FFFFFFFFH存儲區(qū)內。在改進存儲管理時，主要引入了虛擬存儲技術與高速緩存 cache技術。 DVDRAM從誕生以來一直應用于光盤錄像機等數碼產品上， 2022年才開始投入 PC市場。 ? 2） DVD+RW ? “RW” 是 ReWritable（可覆寫）的縮寫，它可實現光盤的重復寫入 /刪除數據?！?R” 是 Recordable（可記錄）的意思。 ? （ 2） DVD讀取速度，是指光存儲產品在讀取 DVDROM光盤時，所能達到最大光驅倍速。 2．光驅的倍速 ? 1）刻錄數度 ? （ 1） CD刻錄速度 ? CD刻錄速度是指該光儲產品所支持的最大的 CDR刻錄倍速。 ? （ 1） CD刻錄機，可讀取和寫入 CD光盤。 ? 1．光盤驅動器的分類 ? 按照讀取方式和讀取光盤類型的不同，可將光盤驅動器分為 CDROM、 DVDROM和刻錄機三種。 ? 3）硬盤的傳輸速率 ? IDE接口硬盤的傳輸速率分別為 66MB/s、 100MB/s、 133MB/s； SATA 150MB/s，SATA 300MB/s。硬盤容量等于單碟容量之和，主流的硬盤容量為 320GB、 500GB等。在傳輸方式上，SATA比 PATA先進，提高了數據傳輸的可靠性，還具有結構簡單、支持熱插拔的優(yōu)點。 ? 按接口類型，可將硬盤分為 IDE硬盤、 SATA硬盤和 SCSI硬盤。 ? 1）硬盤的磁頭 ? 硬盤磁頭的發(fā)展先后經歷了“亞鐵鹽類磁頭”、“ MIG（ Metal In GAP）磁頭”和“薄膜磁頭”、 MR磁頭（ Mago Resistive Heads，即磁阻磁頭）等幾個階段。 ? ? 硬盤的核心部件被密封在凈化腔體內，控制電路及外圍電路布置在硬盤背面的一塊電路板上，主要是控制硬盤讀寫數據及硬盤與計算機之間的數據傳輸。（ 3）采用 100nm以下的生產工藝，將工作電壓從 。 內存條技術的發(fā)展 ? 6． DDR2內存 ? DDRII SDRAM同樣采用在時鐘上升 /下降沿同時進行數據傳輸的方式，但 DDRII內存擁有兩倍于 DDR內存預讀能力， DDRII內存的引腳數為 240針。 內存條技術的發(fā)展 ? 4． Rambus DRAM內存 ? 與 SDRAM不同的是， Rambus DRAM內存采用了新一代高速簡單內存架構，基于 RISC（精簡指令集計算機）理論，可以減少數據的復雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。工作電壓為一般為 5V，帶寬 32位，主要應用在 486及早期的 Pentium計算機中，需成對使用。 地址分配表 4． 32位存儲器接口 ? 1） 32位存儲體 2） 32位存儲器接口 5． 64位存儲器接口 內存條技術的發(fā)展 ? 1． SIMM內存 ? 最初出現在 80286主板上的“內存條”，采用的是 SIMM（ Single InlineMemory Modules，單邊接觸內存模組）接口，容量為 30線、 256KB，一般見到的 30線 SIMM都是 4條一起使用。 存儲器的擴充及其與 CPU的連接 ? ? 1．位數的擴充 2．地址的擴充 ? 當擴充存儲容量時，采用地址串聯的方法。 ? 在 PentiumCPU以上的主板中普通采用了 Flash ROM芯片來作為 BIOS程序的載體。 ? 主要特點：能像 SRAM芯片一樣讀寫操作，在寫之前自動擦除原內容。 ? 1．動態(tài)基本存儲電路 ? 1）三管動態(tài)基本存儲電路 ? 2）單管動態(tài)基本存儲電路 2. 動態(tài) RAM芯片舉例 Intel 2116單管動態(tài) RAM芯片的引腳名稱 Intel 2116單管動態(tài) RAM芯片的內部結構框圖 只讀存儲器 ? ? ROM的存儲元件及 16 1位的 ROM機構圖如圖所示。這兩個有效控制信號打開三態(tài)門使 DB上的數據進入輸入電路，送到存儲單元的位線上，從而寫入該存儲單元。 ? （ 2） 在送上地址碼的同時，還要送上讀／寫控制信號和片選信號。一般，片選信號由地址碼的高位譯碼（通過譯碼器輸出端）產生。每一個觸發(fā)器就構成存儲體的一位。它是數據信息輸入和輸出的通道。 2．地址選擇電路 ? 地址選擇電路包括地址碼緩沖器，地址譯碼器等。 它一般由存儲體 、 地址選擇電路 、 輸入輸出電路和控制電路組成 。 5． 1 存儲器的分類與組成 ? 計算機的存儲器可分為兩大類：一類為內部存儲器 ， 其基本存儲組件多以半導體存儲器芯片組成；另一類為外部存儲器 ， 多以磁性材料或光學材料制造 。 ? 理解存儲器與 CPU的連接方法。最后，介紹存儲管理技術（如虛擬存儲管理和高速緩存cache技術）。然后，介紹內存技術的發(fā)展以及外部存儲器（如硬盤、光驅）。 ? 重點掌握位擴充與地址擴充技術。 ? 理解虛擬存儲技術及高速緩存 cache技術的原理。 ? 半導體存儲器的組成框圖如圖 。 ? 地址線數與存儲單元數的關系列于表 。 3．讀／寫電路與控制電路 ? 讀／寫電路包括讀／寫放大器、數據緩沖器（三態(tài)雙向緩沖器）等。 隨機存取存儲器 ? 靜態(tài)隨機存取存儲器 ? 1．靜態(tài) RAM基本存儲電路 ? 靜態(tài) RAM的基本存儲電路，是由 6個 MOS管組成的 RS觸發(fā)器。這樣，地址不同的存儲單元，可能處于不同的芯片中。 ? 緩沖寄存器一般具有三態(tài)控制功能，沒有開門控制信號，所存數據還不能送到數據總線 DB上。 ? （ 3）加上片選信號及寫入信號。 動態(tài)隨機存取存儲器 ? 動態(tài) RAM芯片是以 MOS管柵極電容是否充有電荷來存儲信息的，其基本單元電路一般由四管、三管和單管組成，以三管和單管較為常用。其中，以 2864A的 8K 8b的容量為最大，它與 6264兼容。 ? 4. Flash ROM芯片 常用的 Flash ROM芯片類型和型號很多。為預防誤操作刪除Flash ROM中的內容導致系統(tǒng)癱瘓，一般都在 Flash ROM中固化了一小塊啟動程序(BOOT BLO