【正文】 式排放。(3)堿腐蝕后道浸泡產(chǎn)生的氫氟酸霧。(2)酸洗過(guò)程中產(chǎn)生的氫氟酸霧、硝酸霧及冰醋酸霧。(1)硅料腐蝕浸泡產(chǎn)生的氫氟酸霧。綜上，本項(xiàng)目固廢均落實(shí)處置途徑，最終排放量均為0。主要包括盛放各種化學(xué)原料的包裝桶、包裝袋及操作工破舊工作服、手套、口罩等。③廢酸。其中廢硅料產(chǎn)生量約為20t/a，經(jīng)廠區(qū)內(nèi)集中收集后部分由腐蝕工藝重新進(jìn)行加工回用于生產(chǎn)過(guò)程中，其余部分由原料供應(yīng)廠家回收利用。采取上述措施后，預(yù)計(jì)對(duì)附近水體水質(zhì)影響不大。其中一套主要用于處理產(chǎn)生的切方、切片設(shè)備冷卻水及硅片后道清洗廢水，硅片研磨、清洗廢水，反沖洗酸堿廢水。(2)廢水本項(xiàng)目廢水包括生產(chǎn)廢水和生活污水。④根據(jù)高噪聲設(shè)備的分布，在設(shè)備上方安裝吸聲吊頂。在安裝時(shí)，對(duì)風(fēng)機(jī)、水泵、真空泵、空壓機(jī)、等高噪聲設(shè)備須采取減震、隔震措施；對(duì)風(fēng)機(jī)、水泵、真空泵、空壓機(jī)等設(shè)備安裝時(shí)采用消聲措施，并分別設(shè)置于專(zhuān)用的輔助用房?jī)?nèi)，對(duì)上述輔助用房的四周墻壁采用吸聲材料進(jìn)行鋪設(shè)，同時(shí)少設(shè)門(mén)窗，設(shè)備工作時(shí)應(yīng)保持門(mén)窗關(guān)閉；冷卻水循環(huán)系統(tǒng)安裝時(shí)建議在其內(nèi)部設(shè)置適量的軟體材料，盡量減少水流落差造成的低頻噪聲。(4)《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB89781996 )。(2)對(duì)生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的廢氣、廢水、噪聲采取綜合治理。廠內(nèi)外運(yùn)輸。給、排水。在距交通信號(hào)燈及交通標(biāo)志牌等交通安全設(shè)施的停車(chē)視距范圍內(nèi)，不應(yīng)有樹(shù)木枝葉遮擋。廠區(qū)道路綠化應(yīng)以喬木為主，喬木、灌木、地被植物相結(jié)合，不得裸露土壤。（五）綠化布置：廠區(qū)車(chē)間保持一定面積的綠化隔離帶。廠區(qū)照明的設(shè)計(jì)原則是保證照明供電安全可靠，照明的照度、均勻度達(dá)到國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，經(jīng)濟(jì)合理，節(jié)省能源，維修方便，美觀適用。表8 地下管線最小水平凈距表單位：米序號(hào)管線名稱(chēng)1234567建筑物給水管排水管煤氣管電力電纜電信電纜道路邊石1建筑物基礎(chǔ)邊緣2給水管3排水管4煤氣管5電力電纜6電信電纜7道路邊牙石（四）廠區(qū)用電：(1)配電系統(tǒng)。主要任務(wù)是使廠區(qū)管線之間以及管線與建筑物、道路及環(huán)衛(wèi)、綠化設(shè)施之間在平面和豎向上相互協(xié)調(diào)，既滿足施工、檢修、安全等要求，又貫徹節(jié)約用地原則。（詳見(jiàn)附圖）（二）豎向布置：保證土方工程量最小，并盡量使填挖量達(dá)到或接近平衡。（2）各種動(dòng)力設(shè)施盡量靠近負(fù)荷中心，以縮短管線，節(jié)約能源。該設(shè)備可以大規(guī)模生產(chǎn)集成電路、太陽(yáng)能等行業(yè)所需的高質(zhì)量的單晶硅。為了節(jié)省成本，可部份摻用廢硅料（頭尾料和鍋底料等不可直接利用的原料），經(jīng)過(guò)酸洗腐蝕工藝后使用。即將成品硅料根據(jù)要求與相應(yīng)的母合金（主要是P、Be等元素含量多一點(diǎn)的硅片，加入量約為硅料加入量的百萬(wàn)分之一）進(jìn)行混合裝入單晶爐內(nèi)拉晶（控制溫度約為1420℃，時(shí)間約為30～40h/批，每批生產(chǎn)量約為20kg/爐；拉晶過(guò)程中單晶爐內(nèi)采用液氬作為保護(hù)氣體；該過(guò)程主要是利用高溫使高純硅在單晶爐內(nèi)熔融并使原子進(jìn)行有序排列，待有序排列完畢后由單晶爐上方拉晶成柱狀硅棒）；硅棒生長(zhǎng)完畢后對(duì)單晶爐進(jìn)行冷卻，之后將硅棒從單晶爐內(nèi)卸下，以便后道加工處理。將硅原材料放在石英堝內(nèi)用石墨制成的加熱器通入低電壓大電流而產(chǎn)生的高溫將熔點(diǎn)在1420℃的硅材料熔化后，由計(jì)算機(jī)等設(shè)備控制熔融狀態(tài)的硅液面溫充在1420℃臨界點(diǎn)上，由一個(gè)單晶體的籽晶與液面接觸、熔融后而緩慢的提升，使硅液體在籽晶的引領(lǐng)下按預(yù)先設(shè)定的晶格、晶向和外形緩慢結(jié)晶出單晶體的硅單晶，完成單晶制備。安裝注意事項(xiàng)及檢測(cè)手段：A、嚴(yán)格按照操作規(guī)程施工，正確穿戴好勞保用品。公輔工程（1）廠區(qū)道路：按二級(jí)混凝土路面結(jié)構(gòu)規(guī)范建設(shè)。本項(xiàng)目屬技術(shù)改造項(xiàng)目，應(yīng)合理利用現(xiàn)場(chǎng)地、設(shè)施，并力求新增的設(shè)施與原有設(shè)施相協(xié)調(diào)。符合工程標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求。第六章 項(xiàng)目工程技術(shù)方案　一、土建工程方案選擇（一）工程方案選擇的基本要求滿足生產(chǎn)使用功能要求。（二）主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和參數(shù)由于知識(shí)產(chǎn)權(quán)法規(guī)的約束，目前機(jī)密性的技術(shù)資料在業(yè)主手中，但產(chǎn)品必須滿足下列技術(shù)要求：表單晶硅棒的主要技術(shù)參數(shù)型號(hào)P型或A型晶向111100電阻率電阻率均勻性25%位錯(cuò)密度無(wú)位錯(cuò)OISF密度500cm2氧含量根據(jù)客戶要求碳含量1ppma主要考面取向密度根據(jù)客戶要求其中電阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量單晶硅棒等級(jí)的關(guān)鍵參數(shù)。項(xiàng)目的設(shè)備購(gòu)置項(xiàng)目主要購(gòu)置設(shè)備為單晶硅棒生產(chǎn)用JDR800型晶體生長(zhǎng)爐8套及相應(yīng)的監(jiān)測(cè)和配套設(shè)施。（5）強(qiáng)調(diào)設(shè)備的可靠性、成熟性，保證生產(chǎn)和質(zhì)量穩(wěn)定。（二）設(shè)備購(gòu)置主要設(shè)備選型的原則和技術(shù)要求（1）主要設(shè)備選型的原則應(yīng)與項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模、產(chǎn)品方案和技術(shù)方案相適應(yīng)，滿足項(xiàng)目的要求，可獲得最大出力。圍墻：全長(zhǎng)400米；15臺(tái)紅外監(jiān)視探頭。（3）道路：12米寬雙向道路，全長(zhǎng)200米，景觀、廣場(chǎng)2000平方米左右。本項(xiàng)目達(dá)到設(shè)計(jì)能力的100%時(shí)，年產(chǎn)50噸單晶硅棒，產(chǎn)值1億元。項(xiàng)目規(guī)劃一年內(nèi)達(dá)到完全生產(chǎn)設(shè)計(jì)能力。應(yīng)滿足生產(chǎn)儲(chǔ)存條件。應(yīng)考慮環(huán)境保護(hù)的要求和可能獲得的環(huán)境容量，以及環(huán)保治理設(shè)施投資等措施。應(yīng)有專(zhuān)業(yè)化協(xié)作，以及上下游產(chǎn)業(yè)鏈、產(chǎn)品鏈的銜接。應(yīng)符合國(guó)家鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)品方向、國(guó)家技術(shù)政策和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，使產(chǎn)品具有較高的技術(shù)含量和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。公用工程聯(lián)接方便（如各種管網(wǎng)系統(tǒng)）等。節(jié)約項(xiàng)目用地，盡量不占或少占農(nóng)田。能滿足項(xiàng)目業(yè)務(wù)通訊需要。**縣全面實(shí)施“生態(tài)立縣、特色興縣”兩大戰(zhàn)略，發(fā)展特色經(jīng)濟(jì)，建設(shè)特色城鎮(zhèn)，弘揚(yáng)特色文化，開(kāi)展特色工作，營(yíng)造特色環(huán)境，力爭(zhēng)到2010年基本建成生態(tài)縣，基本實(shí)現(xiàn)全面小康社會(huì)的目標(biāo)（四）基礎(chǔ)設(shè)施條件①給排水：項(xiàng)目區(qū)市網(wǎng)管道供水，通過(guò)廠內(nèi)環(huán)狀供水線路，供給用水點(diǎn)使用并滿足消防用水。硅電子產(chǎn)業(yè)基地、絕緣材料科技特色產(chǎn)業(yè)基地，以元通硅業(yè)、合成材料、國(guó)家級(jí)火炬計(jì)劃重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)萬(wàn)向硅峰等骨干企業(yè)為龍頭，與高等院校、科研院所合作新建了一批技術(shù)創(chuàng)新中心、研發(fā)中心，實(shí)施了一批廢料回收利用和清潔生產(chǎn)試點(diǎn)工程，工業(yè)經(jīng)濟(jì)保持較快增長(zhǎng)，經(jīng)濟(jì)效益顯著提高，有機(jī)硅、單晶硅兩大產(chǎn)業(yè)被列入全省擬培育的全國(guó)制造中心和**市“四中心十基地”建設(shè)。%，其中兩硅產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值增長(zhǎng)47%；工業(yè)銷(xiāo)售產(chǎn)值增長(zhǎng)25%，%，%。（三）社會(huì)經(jīng)濟(jì)條件2000年至2010年，**縣GDP翻了一番，農(nóng)民人均純收入增長(zhǎng)了50%；經(jīng)濟(jì)發(fā)展的質(zhì)量進(jìn)一步提高。水文本項(xiàng)目地區(qū)水資源豐富，地下水質(zhì)經(jīng)化驗(yàn)檢測(cè)，對(duì)混凝土無(wú)侵蝕性?！嬷g，℃，℃，℃，最高氣溫41. 3℃。氣候、氣象**屬亞熱帶季風(fēng)氣候區(qū)，又處北亞熱帶南緣，四季分明，氣候溫和，雨量豐富。山林總面積280多萬(wàn)畝，%，位居全國(guó)前列，是天然的“氧吧”，全縣地表水水質(zhì)達(dá)一類(lèi)水標(biāo)準(zhǔn)，被國(guó)家環(huán)?？偩謩澏椤叭A東地區(qū)重要的生態(tài)屏障”，并于2002年3月命名為全國(guó)生態(tài)示范區(qū)?？h域面積2236平方公里，轄18個(gè)鄉(xiāng)鎮(zhèn)（建制鎮(zhèn)9個(gè)）、449個(gè)行政村，總?cè)丝?4萬(wàn)。區(qū)域優(yōu)勢(shì)。技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 可見(jiàn)，當(dāng)前國(guó)內(nèi)現(xiàn)有太陽(yáng)能生產(chǎn)不能滿足快速發(fā)展的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。最近我國(guó)政府還公布了在西北部地區(qū)資助居民安裝太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的計(jì)劃，每一個(gè)安裝500W以上的用戶可享受政府5000元左右的補(bǔ)貼。表31為主要西方國(guó)家在太陽(yáng)電池應(yīng)用方面的發(fā)展計(jì)劃，表32為美國(guó)太陽(yáng)表4太陽(yáng)能電池容量以及累計(jì)總安裝數(shù)量一覽表。如果電池的市場(chǎng)龐大，制造成本自然會(huì)下降，從而進(jìn)一步促進(jìn)市場(chǎng)需求，形成良性循環(huán)。自90年代開(kāi)始，太陽(yáng)能在并網(wǎng)發(fā)電方面的應(yīng)用增長(zhǎng)迅速，主要是安裝在居民住房屋頂、商業(yè)樓宇。（3）、國(guó)際市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)近年來(lái)，太陽(yáng)電池每年銷(xiāo)售量在全球范圍以每年25%的速度遞增。而目前我國(guó)實(shí)際硅單晶的生產(chǎn)能力只在2000噸左右，除河北寧晉等反銷(xiāo)數(shù)量以及部分用于IC級(jí)的硅單晶，實(shí)際用于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的太陽(yáng)能級(jí)硅單晶只有600~700噸左右，下表為我國(guó)太陽(yáng)能電池及單晶硅的需求表，由此可看出拋去多晶硅的影響我國(guó)在太陽(yáng)能單晶硅的缺口是十分巨大的。統(tǒng)計(jì)表明到2010年，世界光伏系統(tǒng)裝機(jī)容量預(yù)計(jì)將達(dá)到14~15GW。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，國(guó)際石油價(jià)格的變化可以解釋63%的光伏系統(tǒng)裝機(jī)容量的變化2。2004年世界光伏系統(tǒng)的總裝機(jī)容量超過(guò)4GW。由于燃燒礦物能源，排放出大量二氧化碳等氣體造成地球溫室效應(yīng)，對(duì)人類(lèi)的生存和發(fā)展構(gòu)成威脅，這一點(diǎn)已經(jīng)引起人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注，《京都議定書(shū)》3的簽訂正是這一問(wèn)題的產(chǎn)物。中國(guó)硅材料基本與日本同時(shí)進(jìn)步，但總體而言，生產(chǎn)技術(shù)水平仍然相對(duì)較低。硅片的直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場(chǎng)前景，價(jià)值也就越高。這種太陽(yáng)電池以高純的單晶硅棒為原料，％?，F(xiàn)在，我們的生活中處處可見(jiàn)“硅”的身影和作用，晶體硅太陽(yáng)能電池是近15年來(lái)形成產(chǎn)業(yè)化最快的。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過(guò)復(fù)拉制成太陽(yáng)電池專(zhuān)用的單晶硅棒。單晶硅太陽(yáng)電池。本世紀(jì)50年代以來(lái)，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的需要而迅速發(fā)展。如果1平方米鋪滿硅太陽(yáng)能電池，就可以得到100W電力。目前世界年產(chǎn)量約為3106千克。硅材料因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作大功率器件的特性而成為應(yīng)用最多的一種半導(dǎo)體材料，目前的集成電路半導(dǎo)體器件大多數(shù)是用硅材料制造的。單晶硅是由許多硅原子以金剛石晶格結(jié)構(gòu)排列成晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒并平行結(jié)合變成單晶硅。在地殼中，硅的含量?jī)H次于氧，居第二位，%。該項(xiàng)目建設(shè)規(guī)模適中，技術(shù)方案可行，經(jīng)濟(jì)效益較好，建設(shè)條件落實(shí)，自籌資金到位，投資風(fēng)險(xiǎn)較小。該項(xiàng)目建設(shè)符合第一類(lèi)“鼓勵(lì)類(lèi)”第十六項(xiàng)“輕工”第十三條“高技術(shù)綠色電池產(chǎn)品制造……太陽(yáng)能電池”，第二十四項(xiàng)第二十四條“電子專(zhuān)用材料制造”，是國(guó)家鼓勵(lì)類(lèi)項(xiàng)目。本項(xiàng)目實(shí)施將為**縣高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展作出突出貢獻(xiàn)。這是一個(gè)以高純硅為原料，通過(guò)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝將其做成太陽(yáng)能電池片，再組裝成太陽(yáng)能民電系統(tǒng)的一個(gè)最具有發(fā)展?jié)摿Φ母咝录夹g(shù)產(chǎn)業(yè)。新建電廠產(chǎn)生的溫室氣體量將是《京都議定書(shū)》減排目標(biāo)最的五倍，潛在危機(jī)比世界總的形勢(shì)更加嚴(yán)峻。已經(jīng)探明的常規(guī)能源剩余儲(chǔ)量（煤炭、石油、天然氣等）及可開(kāi)采年限十分有限（表1），（表1），我國(guó)能源剩余資源探明儲(chǔ)量和可開(kāi)發(fā)年限:資源種類(lèi)煤炭（億噸）石油（億噸）天然氣（億M3）水力（GW裝機(jī)）探明可開(kāi)采儲(chǔ)量114511704353可開(kāi)采年限（預(yù)測(cè)保守）5481年（%1996）1520年（%1996）2858年（5%1996）38 104年（5%1996）可開(kāi)采到20502077201120162024205420342100中國(guó)已經(jīng)成為世界最大的能源消費(fèi)國(guó)之一。二、項(xiàng)目建設(shè)的必要性日、美、德等國(guó)家都立法（再生能源促進(jìn)法）對(duì)硅光電池的生產(chǎn)、銷(xiāo)售和購(gòu)買(mǎi)給予鼓勵(lì)和優(yōu)惠。太陽(yáng)能等新能源的開(kāi)發(fā)利用必將給硅工業(yè)的發(fā)展帶來(lái)光明的前途。專(zhuān)家預(yù)測(cè)，光伏發(fā)電將在新世紀(jì)的前半期超過(guò)核電成為最重要的基礎(chǔ)能源之一。太陽(yáng)還能燃燒1億1千萬(wàn)年，利用太陽(yáng)能發(fā)電是人類(lèi)長(zhǎng)期要夢(mèng)寐以求的事情。從所周知，石油是現(xiàn)代工業(yè)與交通運(yùn)輸?shù)难骸?yīng)抓住有利時(shí)機(jī)，盡快建設(shè)，爭(zhēng)取早日投入使用。四、可行性研究范圍本可行性研究報(bào)告通過(guò)對(duì)**有限公司年產(chǎn)50噸單晶硅棒項(xiàng)目的建設(shè)背景、市場(chǎng)前景、建設(shè)規(guī)模、工程技術(shù)方案、環(huán)境保節(jié)能、安全衛(wèi)生以及招投標(biāo)等方面進(jìn)行研究，提出可行的方案，并在此基礎(chǔ)上對(duì)項(xiàng)目投資進(jìn)行估算及技術(shù)經(jīng)濟(jì)分析。工程總投資估算為2800萬(wàn)元：其中固定資產(chǎn)投資2500萬(wàn)元，建設(shè)期利息60萬(wàn)元；流動(dòng)資金260萬(wàn)元。蒀袀螃袇腿芀蠆袆節(jié)蒆蚅袆肁 生產(chǎn)60萬(wàn)噸太陽(yáng)能單晶硅棒材料項(xiàng)目可行性研究報(bào)告目 錄第一章 總論…………………………………………………3第二章 項(xiàng)目建設(shè)的背景和必要性…………………………6第三章 產(chǎn)品屬性和市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)…………………………12第四章 建設(shè)條件分析和場(chǎng)址選擇…………………………22第五章 建設(shè)內(nèi)容和規(guī)模及產(chǎn)品方案………………………27第六章 項(xiàng)目工程技術(shù)方案…………………………………31第七章 環(huán)保、消防、勞動(dòng)安全衛(wèi)生………………………41第八章 項(xiàng)目節(jié)能與節(jié)水……………………………………51第九章 項(xiàng)目的組織管理和實(shí)施進(jìn)度………………………55第十章 投資估算與資金籌措………………………………60第十一章 財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)…………………………………………64第十二章 工程招標(biāo)管理……………………………………68第十三章 結(jié)論與建議………………………………………72附件……………………………………………………………73第一章 總 論一、項(xiàng)目概述項(xiàng)目名稱(chēng)：50噸單晶硅棒項(xiàng)目 建設(shè)單位：****有限公司法人代表：***建設(shè)內(nèi)容和規(guī)模：（1）建設(shè)內(nèi)容：本項(xiàng)目占地22畝，建設(shè)廠房2幢，倉(cāng)庫(kù)一幢、管理生活用房?jī)纱?，建筑面積共5000平方米；配套建設(shè)公輔工程；購(gòu)置安裝單晶硅爐8套及清洗檢測(cè)設(shè)備。其中：設(shè)備購(gòu)置費(fèi)1600萬(wàn)元，其余為土建工程和工程其他費(fèi)用。②申請(qǐng)銀行貸款1800萬(wàn)元， %； 建設(shè)地址：**省**縣工業(yè)園區(qū)建設(shè)性質(zhì)：新建建設(shè)工期：10個(gè)月二、項(xiàng)目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)年產(chǎn)50噸單晶硅棒項(xiàng)目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)表序號(hào)項(xiàng)目名稱(chēng)計(jì)量單位設(shè)計(jì)預(yù)算序號(hào)項(xiàng)目名稱(chēng)計(jì)量單位設(shè)計(jì)預(yù)算1項(xiàng)目總投資萬(wàn)元28007稅后利潤(rùn)萬(wàn)元1470其中：