復(fù)旦大學(xué)(微電子)半導(dǎo)體器件第八章mosfe-全文預(yù)覽
【正文】 iG iS iD CGSO CGDO CJS CJD CGB B MOSFET 的高頻等效電路 最高振蕩頻率 GSmimCgCgf?? 22m ax ??gmvGS + ? ? G S D CGS gD?1 S ? + CGD = 0（飽和區(qū)） vGS 其中（飽和區(qū)） ? ?TGSoxnm VVLWCg ?? ?WLCCC oxGGS 3232 ?? 考慮到實(shí)際 MOSFET 的寄生電容（尤其是柵漏交迭電容 CGDO）， CGDO 作為反饋電容耦合進(jìn) Ci， ? ?? ?? ? ? ? GD OVmGD OGDVGS OGS mim CGgCCGCCgCgf???????? 12122max ???減小 Overlap，降低寄生電容，可采用自對(duì)準(zhǔn)多晶硅柵工藝。 MOSFET 的類型和符號(hào) NMOS PMOS 增強(qiáng)型 耗盡型 增強(qiáng)型 耗盡型 襯底 p n S/D n+ p+ 載流子 電子 空穴 VDS + ? IDS D ? S S ? D 載流子運(yùn)動(dòng)方向 S ? D S ? D VT + ? ? + 符號(hào) G D B S G D B S G D B S G D B S MOSFET 的閾值電壓 oxABFBoxBBFBT CdqNVVCdQVVV m a xm a x 2)(2 ?????????? oxtoxoxoxssmsFB dxxtxCCQV0 )(1 ??其中 功函數(shù)差 smms WWq ???n 溝 MOS （ NMOS） ??????????iAoxAoxssmsTn nNqkTCdqNCQV ln2max???????????iDoxDoxssmsTp nNqkTCdqNCQV ln2max?p 溝 MOS （ PMOS） 在忽略氧化層中 電荷 ?(x)的情況下 表面固定電荷 SSQ, MOSFET 閾值電壓控制 1. 金屬功函數(shù) Wm 的影響 金屬 Mg Al Ni Cu Au Ag n+poly p+poly Wm (eV) 2. 襯底雜質(zhì)濃度 NA 的影響 ??????????iAoxAoxssmsTn nNqkTCdqNCQV ln2max??????????iAB nNqkTV lnNA 增加 1 個(gè)數(shù)量級(jí)， VB 增加 60 mV
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