《晶體三極管》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 iC 。 3. 極限參數(shù) BJT的主要參數(shù) 由 PCM、 ICM和 V(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)。BJT的主要參數(shù) (1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) =（ IC－ ICEO） /IB≈IC / IB ? vCE=const1. 電流放大系數(shù) (2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) ? ? =?IC/?IB?vCE=const BJT的主要參數(shù)1. 電流放大系數(shù) (2) 集電極發(fā)射極間的反向飽和電流 ICEO ICEO=（ 1+ ） ICBO 2. 極間反向電流ICEO (1) 集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開 路時，集電結(jié)的反向飽和電流。iC=f(vCE)? iB=const2. 輸出特性曲線輸出特性曲線的三個區(qū)域 : BJT的 特性曲線截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。 BJT的 電流分配與放大原理vCE = 0V+bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB +vCE iB=f(vBE)? vCE=const(2) 當(dāng) vCE≥1V時， vCB= vCE vBE0， 集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收 集電子，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的 vBE下 IB減小，特性曲線右移。共基極接法 ， 基極作為公共電極，用 CB表示?；?BJT (Bipolar Junction Transistor)。 發(fā)射區(qū) 集電區(qū)基區(qū)三極管符號 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：? 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；? 集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大；? 基區(qū)很薄，一般在幾個微米至幾十個微米，且摻雜濃度最低。第四講 晶體三極管一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號二、晶體
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1