《光致發(fā)光pl光譜》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 價(jià) CZT晶體的質(zhì)量 ， 并由此來推斷晶體的探測(cè)性能 。 在 邊區(qū)的 PL譜除此之外 ， 還可以看到基態(tài)自由激子峰（ X1） 、 上偏振帶峰 （ Xup） 以及第一激發(fā)態(tài)自由激子峰（ X2） 。 位錯(cuò)等缺陷的研究 圖 3 CZT晶體在 PL譜。通過光致發(fā)光光譜的測(cè)定丌僅可以求得各個(gè)發(fā)光帶的強(qiáng)度，而且也可以的到積分的輻射強(qiáng)度。發(fā)光的峰值波長(zhǎng)取決于禁帶寬度，禁帶寬度和 x值有關(guān)。 ?光致發(fā)光測(cè)量的結(jié)果經(jīng)常用于相對(duì)的比較，因此只能用于定性的研究方面。 二、儀器及測(cè)試 測(cè)量半導(dǎo)體材料的光致發(fā)光光譜的基本方法是 ， 用激發(fā)光源產(chǎn)生能量大于被測(cè)材料的禁帶寬度 Eg、 且電流密度足夠高的光子流去入射被測(cè)樣品 ， 同時(shí)用光探測(cè)器接受并識(shí)別被測(cè)樣品發(fā)射出來的光 。這些額外載流子對(duì)一邊向體內(nèi)擴(kuò)散，一邊通過各種可能的復(fù)合機(jī)構(gòu)復(fù)合。它是光生額外載流子對(duì)的復(fù)合過程中伴隨發(fā)生的現(xiàn)象 2. 基本原理：由于半導(dǎo)體材料對(duì)能量高于其吸收限的光子有很強(qiáng)的吸收，吸收系數(shù)通常超過 104cm1，因此在材料表面約 1μm 厚的表層內(nèi)，由本征吸
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