【正文】 W 功率60200mW工作電流70mASideview LED（側(cè)面發(fā)光LED）表面貼裝式、金屬支架塑膠反射腔、側(cè)面發(fā)光熱阻20K/W 功率工作電流10mAHigh Power LED(大功率LED)封裝形式多樣，以表面貼裝式為主，具有熱沉、金屬支架、塑膠反射腔或陶瓷基板或金屬基板，半包封多層封裝結(jié)構(gòu)，具有光學(xué)透鏡，單芯片封裝或多芯片集成熱阻20K/W 功率工作電流100mALED封裝工藝可分為：芯片檢查→擴(kuò)片→點膠→備膠→手工刺片→自動裝架→燒結(jié)→壓焊→點膠封裝(灌膠封裝、模壓封裝)→固化和后固化→切筋和劃片→測試→包裝。 下游封裝及應(yīng)用 LED封裝工藝介紹LED的封裝是將外引線連接到LED芯片的電極上，同時保護(hù)好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。是目前國內(nèi)四元系紅黃光LED 芯片產(chǎn)銷量最大的企業(yè)之一，也是目前國內(nèi)最大的能夠批量生產(chǎn)三結(jié)砷化鎵太陽能電池外延片的企業(yè)之一，紅黃光芯片可以同太陽能電池芯片設(shè)備共用。其中晶圓處理工序和晶圓針測工序為前段（Front End）工序，而構(gòu)裝工序、測試工序為后段（Back End）工序。但這兩種半導(dǎo)體連接起來的時候，它們之間就形成一個PN結(jié)。 中游芯片制造 芯片生產(chǎn)工藝介紹中游企業(yè)主要生產(chǎn)LED芯片。天富熱電（600509）：碳化硅襯底公司旗下天科合達(dá)所產(chǎn)SIC是新材料的重要代表之一，其性能遠(yuǎn)優(yōu)于藍(lán)寶石襯底。公司作為藍(lán)寶石爐的上市公司唯一標(biāo)的值得關(guān)注。但國內(nèi)目前的生長技術(shù)只能生長2英寸以下的藍(lán)寶石晶棒，長成的晶體與氮化鎵（GaN）的晶格錯位較大，無法用于LED的藍(lán)寶石襯底領(lǐng)域，大多用于手表表面外殼等。兩者相比，泡生法耗能更小，單位投料量較高（每月可產(chǎn)出50公司晶棒），但成品率取決于晶體最后的成型。公司前身水晶集團(tuán)擁有長水晶的一些技術(shù)，不排除向上游藍(lán)寶石長晶拓展的計劃。天富熱電600509電、熱、房地產(chǎn)銷售、碳化硅及碳化硅芯片已安裝碳化硅長晶爐33臺，碳化硅業(yè)務(wù)全年有望突破萬片，3寸的良品率分別達(dá)到80%、50%。圖表 33：LED產(chǎn)業(yè)鏈上游上市公司情況：公司名稱和代碼主要業(yè)務(wù)LED業(yè)務(wù)規(guī)模LED業(yè)務(wù)狀況天龍光電300029單晶硅爐、多晶硅鑄錠爐、藍(lán)寶石爐藍(lán)寶石晶體生長爐，用于生產(chǎn)晶棒，而晶棒為藍(lán)寶石襯底基片的上游，藍(lán)寶石爐有望明年供貨，首期4050臺。實現(xiàn)界面陡峭；能大面積、均勻、高重復(fù)性地完成薄膜生長，適用于工業(yè)化生產(chǎn)。而金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)，1968年由美國洛克威公司的Manasevit等人提出制備化臺物單晶薄膜的一項新技術(shù)；到80年代初得以實用化。長晶：利用長晶爐生長尺寸大且高品質(zhì)的單晶藍(lán)寶石晶體定向：確保藍(lán)寶石晶體在掏棒機(jī)臺上的正確位置，便于掏棒加工掏棒：以特定方式從藍(lán)寶石晶體中掏取出藍(lán)寶石晶棒滾磨：用外圓磨床進(jìn)行晶棒的外圓磨削，得到精確的外圓尺寸精度品檢：確保晶棒品質(zhì)及掏取后的晶棒尺寸與方位是否符合客戶規(guī)格：定向→切片→研磨→蝕刻→拋光→清洗→品檢。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。在LED產(chǎn)業(yè)鏈中，外延生長與芯片制造約占行業(yè)利潤的70%，LED封裝約占10%20%，而LED應(yīng)用大約也占10%20%。上市公司，由于在資金和管理方面存在優(yōu)勢，涉足LED領(lǐng)域的企業(yè)數(shù)量也越來越多，從國內(nèi)最大的LED廠商三安光電今年1月120億元建LED基地，到擴(kuò)產(chǎn)高亮度LED芯片的士蘭微，再到“半路出家”的德豪潤達(dá)，等等，令人眼花繚亂。自2003年啟動半導(dǎo)體照明工程后，我國LED產(chǎn)業(yè)和技術(shù)取得顯著進(jìn)步，初步形成了從上游材料、中游芯片制備、下游器件封裝及集成應(yīng)用的比較完整的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系。行業(yè)分析師 李 春 075586293930 lfcr公司聲明 報告中的信息均來源于已公開的資料，所有的分析和預(yù)測均建立在合理的判斷和假設(shè)之上，并不保證實際情況與之完全相符。電氣機(jī)械行業(yè) ‖共 17 頁深圳南方資信評估有限公司 電氣機(jī)械行業(yè)子行業(yè):LED產(chǎn)業(yè)鏈上市公司分析涉足LED行業(yè)的上市公司越來越多，隨著上游產(chǎn)能瓶頸的打破和應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)大，下游封裝和應(yīng)用企業(yè)更具前景?！? 上游外延材料和襯底生產(chǎn)供不應(yīng)求的狀況一時難以得到緩解，且技術(shù)壁壘較高，擁有上述設(shè)備和產(chǎn)品的公司同樣值得關(guān)注。近年來LED行業(yè)蓬勃發(fā)展，盡管LED照明市場并未啟動，但是市場上進(jìn)入該行業(yè)的企業(yè)數(shù)卻呈現(xiàn)直線增長。LED產(chǎn)業(yè)的火爆緣于2009年9月國家發(fā)改委發(fā)布的《半導(dǎo)體節(jié)能照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見》，該意見對我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo)進(jìn)行了規(guī)劃：到2015年，半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年均增長率在30%左右；產(chǎn)品市場占有率逐年提高，功能性照明達(dá)到20%左右，液晶背光源達(dá)到50%以上，景觀裝飾等產(chǎn)品市場占有率達(dá)到70%以上；企業(yè)自主創(chuàng)新能力明顯增強(qiáng)，大型MOCVD裝備、關(guān)鍵原材料以及70%以上的芯片實現(xiàn)國產(chǎn)化，上游芯片規(guī)?；a(chǎn)企業(yè)35家；產(chǎn)業(yè)集中度顯著提高，擁有自主品牌、較大市場影響力的骨干龍頭企業(yè)10家左右；初步建立半導(dǎo)體照明標(biāo)準(zhǔn)體系；實現(xiàn)年節(jié)電400億千瓦時，相當(dāng)于年減排二氧化碳4000萬噸。從上游到下游行業(yè)，進(jìn)入門檻逐步降低，其中LED產(chǎn)業(yè)鏈上游外延生長技術(shù)含量最高，資本投入密度最大，是國際競爭最激烈、經(jīng)營風(fēng)險最大的領(lǐng)域。LED外延片襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。圖表 32：外延材料的制作流程3 2 1 外延片 在襯底上外延生長 襯底基片 晶棒 晶體 4 ：長晶→定向→掏棒→滾磨→品檢。近年來，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展以及高速光電信息時代的來臨，LPE、VPE等技術(shù)在半導(dǎo)體業(yè)生產(chǎn)中的作用越來越??；MBE與MOCVD技術(shù)相比，由于其設(shè)備復(fù)雜、價格更昂貴，生長速度慢，且不適PC長含有高蒸汽壓元素(如P)的化合物單晶，不宜于工業(yè)生產(chǎn)。MOCVD技術(shù)在薄膜晶體生長中具有獨特優(yōu)勢：能在較低的溫度下制備高純度的薄膜材料，減少了材料的熱缺陷和本征雜質(zhì)