【摘要】微電子工藝(5)工藝集成與封裝測(cè)試1第10章金屬化與多層互連第五單元工藝集成與封裝測(cè)試第12章工藝集成第13章工藝監(jiān)控第14章封裝與測(cè)試2第10章金屬化與多層互連第12章工藝集成金屬化與多層互連CMOS集成電路工藝雙極型集成電路工藝3第10
2025-01-08 13:39
【摘要】可行性研究報(bào)告2013-152/53第一章項(xiàng)目概論一、項(xiàng)目名稱及承辦單位1、項(xiàng)目名稱:集成電路封裝生產(chǎn)項(xiàng)目2、項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì):新建3、項(xiàng)目承辦單位:****投資咨詢有限公司4、企業(yè)類型:有限責(zé)任公司二、項(xiàng)目可行性研究報(bào)告委托編制單位編制單位:****投資咨詢有限公司三、可行性研究的目的本可行性研究報(bào)告對(duì)
2025-05-11 12:07
【摘要】1.在怎樣條件下,電流密度隨電場(chǎng)強(qiáng)度成線性變化?在強(qiáng)電場(chǎng)下,歐姆定律是否仍然正確?電場(chǎng)強(qiáng)度不大的條件下;不正確?、載流子濃度及遷移率?從霍爾電壓的正負(fù)可以判別半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型;測(cè)出RH可求載流子濃度;測(cè)出電導(dǎo)率可求出霍爾遷移率。,哪一個(gè)材料的少子濃度高?為什么?鍺的少子濃度高。由電阻率=1/nqu和(ni)2=n0p0以及硅和鍺本征載流子濃度的數(shù)量級(jí)差別,可以算出鍺的少
2025-03-25 06:15
【摘要】半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)實(shí)踐總結(jié)報(bào)告一、實(shí)踐目的半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)及儀器集中學(xué)習(xí)是在課堂結(jié)束之后在實(shí)習(xí)地集中的實(shí)踐性教學(xué),是各項(xiàng)課間的綜合應(yīng)用,是鞏固和深化課堂所學(xué)知識(shí)的必要環(huán)節(jié)。學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件與集成電路性能參數(shù)的測(cè)試原理、測(cè)試方法,掌握現(xiàn)代測(cè)試設(shè)備的結(jié)構(gòu)原理、操作方法與測(cè)試結(jié)果的分析方法,并學(xué)以致用、理論聯(lián)系實(shí)際,鞏固和理解所學(xué)的理論知識(shí)。同時(shí)了解測(cè)試技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢(shì)以及本專業(yè)的發(fā)展
2025-03-26 02:55
【摘要】一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。()(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。()
2025-06-23 17:39
【摘要】一.名詞解釋:①.CZ直拉法:是用包括熔爐,拉晶機(jī)械裝置(籽晶夾具,旋轉(zhuǎn)機(jī)械裝置),環(huán)境控制裝置的拉晶機(jī)進(jìn)行結(jié)晶。多晶硅放入坩堝中,熔爐加熱到超過硅的熔點(diǎn),將一個(gè)適當(dāng)晶向的籽晶放置在籽晶夾具中,懸于坩堝之上,將籽晶夾具插入熔融液中,雖然籽晶將會(huì)部分融化,但其未融化的籽晶頂部將會(huì)接觸熔融液的表面、將籽晶慢慢拉起,熔融液在固體液體的表面逐漸冷卻,從而產(chǎn)生很大的晶體即從熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的基本
2025-04-17 07:12
【摘要】LogoIntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝簡(jiǎn)介L(zhǎng)ogoIntroductionofICAssemblyProcess一、概念半導(dǎo)體芯片封裝是指利用膜技術(shù)及細(xì)微加工技術(shù),將芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘貼固定及連接,引出接線端子并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固
2025-05-07 12:40
【摘要】1/106國(guó)環(huán)評(píng)證甲字第2606號(hào)華瑞高科科技有限公司半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書2022·12I/106目錄.............................................................................................................
2025-08-03 01:00
【摘要】證券研究報(bào)告2021-03-31行業(yè)研究/深度研究半導(dǎo)體封裝行業(yè)研究報(bào)告隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,摩爾定律接近失效的邊緣。產(chǎn)業(yè)鏈上IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試各個(gè)環(huán)節(jié)的難度不斷加大,技術(shù)門檻也越來越高,資本投入越來越大
2025-11-24 23:43
【摘要】IntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝簡(jiǎn)介艾ICProcessFlowCustomer客戶ICDesignIC設(shè)計(jì)WaferFab晶圓制造WaferProbe晶圓測(cè)試Assembly&TestIC封裝測(cè)試SMTIC組裝
2025-04-30 23:06
【摘要】常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)生畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)報(bào)告系別:電子與電氣工程學(xué)院專業(yè):微電子技術(shù)班號(hào):微電081學(xué)生姓名:程增艷
2025-06-28 09:33
【摘要】硫及金屬硫化物-類石墨相氮化碳納米復(fù)合材料的制備,表征及其光催化性能的研究第一章緒論自18世紀(jì)60年代的第一次工業(yè)革命到現(xiàn)在以來,科學(xué)技術(shù)迅猛發(fā)展、日新月異。工業(yè)革命(第一次科技革命)以瓦特的蒸汽機(jī)的發(fā)明為標(biāo)志,宣告了人類社會(huì)由原來的火器時(shí)代,進(jìn)入到了蒸汽時(shí)代。第二次科技革命發(fā)生在19世紀(jì)70年代,在這個(gè)時(shí)期,自然科學(xué)取得了飛速的進(jìn)展,由于資本主義制度的逐漸形成和完善,資本主義
2025-06-24 08:22
【摘要】1.??何謂PIE??PIE的主要工作是什幺????????答:ProcessIntegrationEngineer(工藝整合工程師),主要工作是整合各部門的資源,對(duì)工藝持續(xù)進(jìn)行改善,確保產(chǎn)品的良率(yield)穩(wěn)定良好。2.??200mm,300mmW
2025-08-03 01:25
【摘要】 實(shí)驗(yàn)十七 半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種,這一現(xiàn)象是霍爾(,1855—1938)于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時(shí)發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)。這一效應(yīng)對(duì)金屬來說并不顯著,但對(duì)半導(dǎo)體非常顯著。利用這一效應(yīng)制成的各種霍爾元件,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)、檢測(cè)技術(shù)及信息處理等方面?;魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)?zāi)軠y(cè)定半導(dǎo)體材料的
2025-08-03 06:23
【摘要】制程及原理概述半導(dǎo)體工業(yè)的制造方法是在硅半導(dǎo)體上制造電子元件(產(chǎn)品包括:動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、靜態(tài)記億體、微虛理器…等),而電子元件之完成則由精密復(fù)雜的集成電路(IntegratedCircuit,簡(jiǎn)稱IC)所組成;IC之制作過程是應(yīng)用芯片氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù),所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。隨著電子信息產(chǎn)品朝輕薄短小化的方向發(fā)展,半導(dǎo)體制造方法亦朝著高
2025-06-16 15:39