【正文】 8根 (D7— D0)， 控制 總線中與主存有關(guān)的 信號(hào)有MREQ(允許訪存， 低電平有效 )， R/W(高電平為讀命令，低電平為寫命令 )。 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器 RAM ? DRAM存儲(chǔ)器 —— 刷新 刷新方式： 集中式、分散式、異步式 ?分散式刷新：把一個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)周期 tc分為兩半，周期前半段時(shí)間 tm用來讀 /寫操作或維持信息，周期后半段時(shí)間 tr作為刷新操作時(shí)間。 字線 W T CD C D（位線） R 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器 RAM ? DRAM存儲(chǔ)器 —— 刷新 刷新： 在利用電容上的電荷來存儲(chǔ)信息的動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，由于漏電使電容上的電荷衰減，需要定期地重新進(jìn)行存儲(chǔ)，這個(gè)過程稱為刷新。 ?寫 “ 1”：在 D線加高電位；寫 “ 0”：在 D線加低電位。 （ 3）讀出：字線的正驅(qū)動(dòng)脈沖打開 T。 ?保持狀態(tài)下字線為低電位， T關(guān)閉，切斷了 C的通路，使所充電荷不能放掉。 ? DRAM的出現(xiàn)是半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的一大進(jìn)步。當(dāng)各芯片容量相同時(shí)，地址范圍規(guī)整，可選用現(xiàn)成譯碼器；否則，可選用適當(dāng)門電路。 ?字?jǐn)U展法：僅在字向擴(kuò)充，而位數(shù)不變。 2114(1K*4) 18 17 16 15 14 13 12 11 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 VccA7 A8 A9 I/O1I/O2I/O3I/O4WE A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS 地 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器 RAM ? SRAM存儲(chǔ)器 —— 存儲(chǔ)器與 CPU的連接 ? CPU對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀 /寫操作： ?首先由地址總線給出地址信號(hào)； ?然后要發(fā)出讀操作或?qū)懖僮鞯目刂菩盘?hào)； ?最后在數(shù)據(jù)總線上進(jìn)行信息交流。 ?地址譯碼系統(tǒng)的設(shè)計(jì)例子： 1K 4位 RAM。 字線 w10 （ 3）（存儲(chǔ)）保持狀態(tài) 。 寫完成后譯碼線上高電位信號(hào)撤消，電路進(jìn)入保持狀態(tài) 。 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器 RAM ? SRAM存儲(chǔ)器 —— 存儲(chǔ)元 該電路工作原理 （ 1） 寫入 “ 1” ： 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器 RAM ? SRAM存儲(chǔ)器 —— 存儲(chǔ)元 ? 基本存儲(chǔ)元 是組成存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)和核心，又叫記憶元件，它用來存儲(chǔ)一位二進(jìn)制信息 0或 1。 ? 在以上 3個(gè)參數(shù)中， 存儲(chǔ)周期是最重要的參數(shù) ，它能夠全面反映存儲(chǔ)器的工作速度。 (2)存儲(chǔ)周期 （ Memory Circle Time）：連續(xù)啟動(dòng)兩次獨(dú)立的訪問存儲(chǔ)器操作所需要的最小時(shí)間間隔，以 TM表示。 ?價(jià)格 ?存儲(chǔ)器的價(jià)格通常用每位的價(jià)格來表示， P=C/S ?C— 存儲(chǔ)芯片價(jià)格， S— 存儲(chǔ)芯片容量（ bits）。s 128M字節(jié) 存儲(chǔ)器概述 ?存儲(chǔ)器的發(fā)展 ?存儲(chǔ)器的容量進(jìn)化 Bit(b) Byte(B) KiloByte(KB) MegaByte(MB) GigaByte(GB) TeraByte (TB) PetaByte(PB) ExaByte (EB) ZetaByte(ZB) YottaByte(YB) NonaByte(NB) DoggaByte (DB) 單位名稱 常規(guī)十進(jìn)制表示 存儲(chǔ)器容量表示 K（ Kilo） 1K＝ 103＝ 1000 1K＝ 210＝ 1024 M（ Mega） 1M＝ 106＝ 103K 1M＝ 220＝ 210K＝ 1 048 576 G（ Giga） 1G＝ 109＝ 103M 1G＝ 230＝ 210M＝ 1 073 741 824 T（ Tera） 1T＝ 1012＝ 103G 1T＝ 240＝ 210G＝ 1 099 511 627 776 存儲(chǔ)器概述 ?存儲(chǔ)器的發(fā)展 ?存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)的發(fā)展 ① 由主 輔二級(jí)結(jié)構(gòu)發(fā)展到多層次存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。計(jì)算機(jī)組成原理 第 10章 存儲(chǔ)系統(tǒng) 第 10章 存儲(chǔ)系統(tǒng) 存儲(chǔ)器概述 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器 RAM 只讀存儲(chǔ)器和閃速存儲(chǔ)器 高速存儲(chǔ)器 Cache 存儲(chǔ)器 虛擬存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器概述 ?存儲(chǔ)器的發(fā)展 ?評(píng)價(jià)存儲(chǔ)器性能的主要指標(biāo) ?存儲(chǔ)器分類 ?多層次存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu) 存儲(chǔ)器概述 ?存儲(chǔ)器的發(fā)展 ?第一臺(tái)電子計(jì)算機(jī)用的是電子管觸發(fā)器； ?此后經(jīng)歷過： ?汞延遲線 ?磁帶 ?磁鼓 ?磁芯（ 1951年始） ?半導(dǎo)體 ?磁盤 — 光盤 — 納米存儲(chǔ) 汞延遲線 磁鼓 磁芯 存儲(chǔ)器概述 ?存儲(chǔ)器的發(fā)展 ?主存的重要作用及主存器件發(fā)展史總結(jié)圖表： 輸入的數(shù)據(jù) 要輸出的數(shù)據(jù) 程序 中間數(shù)據(jù) 控制器 運(yùn)算器 指令 數(shù)據(jù) 外設(shè) 外設(shè) 主 存 主存的重要作用圖示 存儲(chǔ)器概述 ?存儲(chǔ)器的發(fā)展 ?主存的重要作用及主存器件發(fā)展史總結(jié)圖表： 時(shí) 代 元 件 存取周期 存儲(chǔ)容量 * 1 磁鼓等 12181。s 8M字節(jié) 4 VLSI 312m181。 存儲(chǔ)器概述 ?評(píng)價(jià)存儲(chǔ)器性能的主要指標(biāo) ?人們最關(guān)心的存儲(chǔ)器的性能參數(shù)主要有 3個(gè)： ?容量、速度和價(jià)格 ?計(jì)算機(jī)的使用者希望存儲(chǔ)器的容量要大，速度要快，價(jià)格要便宜。即從向存儲(chǔ)器發(fā)出讀操作命令到數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)器中讀出所經(jīng)歷的時(shí)間。 ?TM—— 存儲(chǔ)周期。 存儲(chǔ)器概述 ?多層次存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu) 通用寄存器 Cache (SRAM) 主存 (DRAM， SRAM) 聯(lián)機(jī)外部存儲(chǔ)器 (磁盤等 ) 脫機(jī)外部存儲(chǔ)器 (磁帶、光盤存儲(chǔ)器等） CPU芯片內(nèi) 存儲(chǔ)容量越來越大，每位價(jià)格越來越便宜 訪問速度越來越快 主機(jī)內(nèi) 外部設(shè)備 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器 RAM ?隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器 RAM按存儲(chǔ)元件在運(yùn)行中能否長(zhǎng)時(shí)間保存信息來分，有 靜態(tài)存儲(chǔ)器 和 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 兩種。 ? 設(shè) T1截止 T2導(dǎo)通，即 A點(diǎn)高電平， B點(diǎn)低電平，表示 “ 1”； ? T2截止 T1導(dǎo)通，即 A點(diǎn)低電平， B點(diǎn)高電平表示 “ 0”。 然后在 I/O線上輸入 低 電位，在I/O線上輸入 高 電位，開啟T5,T6,T7,T8四個(gè)晶體管把 低、 高 電位分別加在 A， B點(diǎn)，使 T1管 導(dǎo)通 ，使 T2管 截止 ，將 “ 0”寫入存儲(chǔ)元。 I/O與 I/O線接著一個(gè)差動(dòng)讀出放大器 ，從其電流方向可以判知所存信息是“ 1”還是 “ 0”。 (n2?) A0 A0 A0 A1 A1 amp。 字線 w11 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器 RAM ? SRAM存儲(chǔ)器 —— 基本組成 ?地址譯碼驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)： 一維 和 二維 地址譯碼方案 ?一維地址譯碼方案 ：存儲(chǔ)體陣列的每一個(gè)存儲(chǔ)單元由一條字線驅(qū)動(dòng)，也叫單譯碼結(jié)構(gòu)。 (1K＝ 210中的一個(gè)） ?地址譯碼系統(tǒng)的設(shè)計(jì)例子： 1K 4位 RAM ?可以將 1K 4 RAM 的 10條地址線中 6條 (A0～ A5)用在橫向， 4條 (A6～ A9)用在縱向，則共產(chǎn)生字線條數(shù)為：64+16=80條 隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器 RAM ? SRAM存儲(chǔ)器 —— 芯片實(shí)例 ? Intel 2114 外部引腳功能 :采用 18腳封裝 ,如下圖示 : ?注意： SRAM芯片中引腳的安排 ?電源、數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線。主要方法有： ?位擴(kuò)展法：只加大字長(zhǎng)，而存儲(chǔ)器的字?jǐn)?shù)與存儲(chǔ)器芯片字?jǐn)?shù)一致，對(duì)片子沒有選片要求