【正文】 ）： ／ ℃ 相對密度 (水 =1)： 7664939理 化 特 性外觀與性狀：純品為無色透明油狀液體，無臭PH值： 無資料 辛醇 /水分配系數(shù)：無資料 熔點 (℃ )： 相對蒸氣密度 (空氣 =1)： 主要用途：用于電子工業(yè)脫水劑及清洗劑鹽酸化學品中文名稱：鹽酸 化學品英文名稱： Hydrochloric爆炸下限 [%(V/V)]： 辛醇 /水分配系數(shù)： 臨界溫度 (℃ )： 飽和蒸氣壓（ kPa）： ／ 19℃ 相對密度 (水 =1)： 辛醇 /水分配系數(shù)： 燃燒熱 (Kj/mol)： 相對蒸氣密度 (空氣 =1)： No. 清洗溶液（介質）的種類 :根據(jù)對象不同，選擇不同的參數(shù)，以達到最好的清洗效果。對于簡單表面宜采用低頻，對于復雜表面及深孔盲孔宜采用高頻。對于難清洗的工件宜采用大功率密度，對于精密工件宜采用小功率密度。（ 2）主要技術參數(shù)5~10minIMEC清洗法（ 2）干法清洗熱氧化法、 等離子清洗法清洗設備 清洗工藝的多樣性，決定了的清洗機類型的多樣性。 清洗工藝的選擇 ，應根據(jù)晶圓表面污染（顆粒、有機物、金屬污染物、原生氧化物及化學氧化物）情況決定。 爆炸下限 [%(V/V)]：無資料 溶解性：溶于水、醇 主要用途：用于電子工業(yè)堿性清洗劑邊膠清洗劑化學品中文名稱：邊膠清洗劑 化學品英文名稱： Edge Bead Remover(EBR) 成分 /組成信息 ： 純品有害物成分 濃度 CAS No.丙二醇單甲醚 70% 107982丙二醇單甲醚醋酸酯 30% 180656理 化 特 性 相對蒸氣密度 (空氣 =1)：無資料 沸點 (℃) ： 102 CAS No.四甲基氫氧化銨 % 75592理 化 特 性 用途： 用于增加光刻膠與基板的粘附性。在 IC制造中需要經(jīng)過多次光刻，每次光刻都需要一塊掩膜版，每塊掩膜版都會影響光刻質量，光刻次數(shù)越多，成品率就越低?？捎脕韺⒀谀ぐ嫔系膱D形轉移到基片上，也可作為后序工藝時的保護膜。（ 2）主要性能指標溫度范圍 、 溫度波動度 、 溫度均勻度（ 3）檢測儀器：溫硅甩干機（ 1）原理 :一般包含以下三個環(huán)節(jié)低速旋轉熱水噴淋沖洗 高速度離心甩干氮氣加熱烘干（ 2）主要技術參數(shù)旋轉速度旋轉時間氮氣流量水流量加熱溫度等 原子力顯微鏡 （臺階儀）（ 1）原理： 將一個對微弱力極敏感的微懸臂一端固定，另一端有一微小的針尖 ， 針尖與樣品表面輕輕接觸，由于針尖尖端原子與樣品表面原子間存在極微弱的排斥力，通過在掃描時控制這種力的恒定，帶有針尖的微懸臂將對應于針尖與樣品表面原子間作用力的等位面而在垂直于樣品的表面方向起伏運動。（ 1）工作原理：在計算機的控制下，利用紫外光束對光刻膠進行曝光，受紫外光束輻照后的光刻膠，其物理化學性質發(fā)生變化（可在一定的溶劑中形成良溶或非良溶區(qū)域，從而在抗蝕劑上形成精細圖形）的過程。?光刻機的三個主要性能指標 :分辨率 ：是可以曝光出來的最小特征尺寸。厚度視不同膠液和基片間的粘滯系數(shù)而不同 , 三、主要工藝設備介紹勻膠機（ 1）工作原理：利用高轉速的電機帶動載有晶圓片的真空卡盤（ Chuck）旋轉。改善光刻膠中存在的針孔。不同的顯影方式有不同的顯影過程，通常 顯影過程 為：顯影液噴灑，使顯影液覆蓋整個硅片表面 → 靜置顯影 → 沖水清洗 常見的 顯影問題 有顯影不足、不完全顯影以及過顯影三種。 （五）后烘（ PEB） 在曝光時由于駐波效應的存在，光刻膠側壁會有不平整的現(xiàn)象，曝光后進行烘烤，可使感光與未感光邊界處的高分子化合物重新分布，最后達到平衡，基本可以消除駐波效應。曝光質量 是影響光刻膠與 wafer表面粘附性的重要因素之一。 對準標記是 wafer和掩膜版上用來確定它們的位置和方向的可見圖形，它可能是掩膜版上的一根或多根線，也可能是某種形狀。對準就是確定 wafer上圖形的位置、方向和變形的過程，然后利用這些數(shù)據(jù)與掩膜版建立正確的關系。 增加光刻膠與襯底間的粘附性、光吸收以及抗腐蝕能力；緩和涂膠過程中膠膜內(nèi)產(chǎn)生的應力等。在快速甩膠結束后，整個硅片上分布的是均勻厚度的光刻膠，但在硅片表面的最外緣一圈，由于氣流的影響，膠層特別厚，因在隨后的工藝（如腐蝕或注入等）處理中，為了傳輸或固定，一些設備中的某些機構會接觸到硅片表面的邊緣，摩擦會使邊緣的膠脫落，對設備造成顆粒沾污。滴膠時常出現(xiàn)問題：涂膠的典型過程為：接片對中 → 穩(wěn)定轉速 → 滴膠 → 慢速勻膠 → 快速勻膠 → 硅片底部清洗 → 硅片頂部去邊 → 快速甩干為什么要去邊③ HMDS的瓶蓋打開后，其壽命有限，一定要盡快用完。（如下 圖）是否要使用黏附劑要根據(jù)圖形大小、襯底及光刻膠的種類 來決定， HMDS 可以用浸泡、噴霧和 氣相方法 來涂覆。光刻膠黏附要求要嚴格的干燥表面， 所以在涂膠之前要進行脫水烘焙和黏附劑的涂覆。大 綱光刻工藝介紹一、光刻概述二、工藝流程三、主要工藝設備介紹四、其他清洗工藝介紹一、清洗概述二、常用濕法清洗（腐蝕）方法三、清洗機及超聲清洗四、等離子清洗機五、常用化學品理化特性光刻工藝介紹一、光刻概述二、工藝流程三、主要工藝設備介紹四、其他一、光刻概述什么是光刻 通過曝光將掩模板（ reticle）上的圖形，轉移到晶片（ wafer）上的過程叫光刻，圖形轉移過程包含兩個步驟：（ 1）通過曝光將掩模板圖形轉移到光刻膠上（ 2）通過顯影將曝光后溶于顯影液的光刻膠溶解掉，顯露出我們需要的功能窗口?；玖鞒蹋ㄒ唬?、表面處理 為什么要進行表面處理 由于晶圓容易吸附潮氣到它的表面。表面處理的主要作用是提高光刻膠與襯底之間的粘附力，使之在顯影過程中光刻膠不會被液態(tài)顯影液滲透。② 反復預處理反而會降低增粘效果。動態(tài)涂膠 ： 隨著 wafer直徑越來越大，靜態(tài)涂膠已不能滿足要求，動態(tài)噴灑是以低速旋轉，目的是幫助光刻膠最初的擴散，用這種方法可以用較少量的光刻膠而達到更均勻的光刻膠膜，然后高速旋轉完成最終要求薄而均勻的光刻膠膜。由于快速甩膠時，整個涂膠腔體內(nèi)彌漫著溶劑和光刻膠的微粒，一部分光刻膠微粒會黏附在硅片的底部，在隨后的工藝過程中會對其它設備造成沾污，所以利用位于硅片底部的一個噴