非金屬材料專業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）外文翻譯-太陽(yáng)能級(jí)多晶硅長(zhǎng)晶速率和雜質(zhì)分布（中文）-全文預(yù)覽
【正文】 界面再結(jié)晶的時(shí)間的少數(shù)載流子壽命 如圖 6 所示。 由于凝固過(guò)程減小了石英坩堝和熔體的5 接觸面，并且在固體硅中緩慢的氧擴(kuò)散 提供了較少的空位。 假設(shè) 一開(kāi)始 碳的 濃度為 ， 實(shí)測(cè)的碳濃度和用 scheil公式描繪出的濃度分布剖面圖是相吻合的。 圖 scheil 公式計(jì)算出的在多晶硅錠 生長(zhǎng)方向 的碳含量分布 碳氧含量 如圖 4，由 于氧的偏析和在凝固過(guò)程超過(guò) 它 在硅中的溶解度使氧的含量在 晶體生長(zhǎng)方向 上是增加的。因此，在兩種不同的傳導(dǎo)計(jì)算中很難量化 Kcr 和長(zhǎng)晶速率。經(jīng)過(guò)結(jié)晶的固態(tài)硅的熱傳導(dǎo)可以表達(dá)為 4 △ H 是硅的熱焓， ρ si 是硅的密度， Msi 是硅的摩爾質(zhì)量 ,v 是硅的長(zhǎng)晶速率， 假設(shè)公式 4=公式 5，則 下面的公式可以計(jì)算出多晶硅的長(zhǎng)晶速率 在假設(shè)熔體沒(méi)有過(guò)熱的情況下公式 6 是忽略第二種情況的簡(jiǎn)化， Tsh=0。 圖 試 樣的位置。 傅立葉變換紅外光譜儀 用來(lái)測(cè)量多晶硅錠中的碳氧含量。圖片 1 顯示的是 檢測(cè)的 樣品。 在第二項(xiàng)實(shí)驗(yàn)中，凝固完成后控制冷卻速率為 323K/h 進(jìn)行冷卻。 從而增加從多晶硅熔體的熱量散失。硅是從底部以接進(jìn)平 直 的固液界面 生長(zhǎng) 的。 2 實(shí)驗(yàn)流程 凝固過(guò)程 實(shí)驗(yàn)是在挪威理工大學(xué)的一爐鑄造 12 千克多晶硅感應(yīng) 電磁 爐中進(jìn)行的。碳主要來(lái)源于熔爐中的 隔 熱和加熱器件，而 氧 主要來(lái)源于石英坩堝向熔體的擴(kuò)散。由于單純位錯(cuò)間的復(fù)合被認(rèn)為是相對(duì)較弱的，這也就暗示了這些區(qū)域的金屬雜質(zhì)和沉淀是增強(qiáng)再結(jié)晶能力的原由。它的原理是硅料熔化后把熱量從坩堝底部抽出，進(jìn)而形成接近平 直 的固液界面從底部開(kāi)始凝固。這是由于 涂層質(zhì)量 差增加了坩堝中氧向 熔 硅中的擴(kuò)散導(dǎo)致的結(jié)果。 發(fā)現(xiàn) 4 106 米 /秒 的平均凝固速率 和 從 坩堝底部溫度 的計(jì)算值相吻合。1 出處： Materials Science and Engineering: A, 2020, 413: 545549 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的長(zhǎng)晶速率和雜質(zhì)分布 R Kvande, 216。兩個(gè)實(shí)驗(yàn)讓硅從底部 以 接近平 直 的 固液界面 垂直 向上 生長(zhǎng) ， 凝固完后以不同的速率冷卻。 緩慢冷卻時(shí)發(fā)現(xiàn)多晶硅錠中有更高的氧濃度。定向凝固法是鑄造太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的常用方法。光電轉(zhuǎn)換效率主要是由位錯(cuò) 間 少數(shù)載
畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1