畢業(yè)論文答辯稿（5篇）(文件)
【正文】 法的識別過程，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)參數(shù)的選擇與確定以及實驗的結(jié)果與分析。謝謝！第四篇：畢業(yè)論文答辯稿（本站推薦）尊敬的各位評委老師：大家上午好！我叫ＸＸＸ，來自材料科學(xué)與工程專業(yè)20122班。首先我向各位老師展示的是緒論部分?；谶@樣的背景開展我的研究。然后電子從鈣鈦礦層的導(dǎo)帶傳輸?shù)诫娮觽鬏攲拥膶?dǎo)帶，再輸送到導(dǎo)電玻璃，經(jīng)由外電路與從空穴傳輸層傳輸?shù)浇饘匐姌O的空穴相結(jié)合，形成光電流。最先我需要合成碘甲胺和氯甲胺，這用于后面的鈣鈦礦制備?？涛g的目的是為了防止在測試時，電池內(nèi)部發(fā)生短路。我調(diào)控了濺射氣壓、濺射功率、濺射時長這三個參數(shù)進(jìn)行研究。旋涂法是基于溶液過程的，先配置TiO2漿料，然后在勻膠機(jī)旋涂漿料，接著在130℃下預(yù)熱處理，最后進(jìn)行如圖所示的退火結(jié)晶。退火后就得到電子傳輸層，接著我在其上用兩步法沉積光吸收層。準(zhǔn)備好溶液后，按照流程圖，先沉積PbI2膜，再將PbI2浸潤到碘甲胺異丙醇溶液中，處理得到摻雜的鈣鈦礦膜。最終得到左下圖這個電池試樣。接下來開始我的實驗數(shù)據(jù)分析部分。而在鈣鈦礦層中，PbI2是以雜質(zhì)的形式存在，從鈣鈦礦層的XRD圖譜中可以找到PbI2的特征衍射峰。從a到e分別為摻雜量逐漸增多的微觀形貌照片。再看鈣鈦礦膜的掃描電鏡照片，a到e是摻雜量逐漸增多的,f為c的局部放大圖。這是鈣鈦礦層的紫外吸收光譜圖。從前面的SEM圖可以看出此時形成的鈣鈦礦膜最致密均勻且表面覆蓋率最高，微孔尺寸和數(shù)目最少，這些都有效降低了自由載流子的復(fù)合幾率，從而提升各個參數(shù)值。這幅圖是電池的平均效率分布圖，相較于初始值，%%。，但摻入過多量會造成鈣鈦礦層整體吸收性能的衰減。它有問有答，還可以有辯。首先，人數(shù)不對等。，范圍廣泛。另一種情況是不給學(xué)員準(zhǔn)備時間，答辯老師提出問題后，學(xué)員就要當(dāng)即作出回答。論文答辯一般是以問答的形式進(jìn)行，由答辯委員會成員提出問題，論文作者作出回答。進(jìn)一步考察畢業(yè)論文作者對專業(yè)知識掌握的深度和廣度。2。4。一般分為優(yōu)秀(90—100分)，良好(80—89分)，中等(70—79分)，及格(60—69)分，不及格(60分以下)五個檔次。主答辯老師一般提三個問題。，答辯委員會集體根據(jù)論文質(zhì)量和答辯情況，商定通過還是不通過，并擬定成績和評語。在畢業(yè)論文答辯會上，主答辯老師的提問方式會影響到組織答辯會目的的實現(xiàn)以及學(xué)員答辯水平的發(fā)揮。所提的第一個問題一般應(yīng)該考慮到是學(xué)員答得出并且答得好的問題。為了正確地檢測學(xué)員的專業(yè)基礎(chǔ)知識掌握的情況，有時需要把一個大問題分成若干個小問題，并采取逐步深入的提問方法。倘若作者的觀點(diǎn)并不成熟，完善，也要善意地，平和地進(jìn)行探討，并給學(xué)員有辯護(hù)或反駁的平等權(quán)利。反之，如果提問的第一個問題就答不上來，學(xué)員就會背上心理包袱，加劇緊張，產(chǎn)生慌亂，這勢必會影響到對后面幾個問題的答辯，因而也難以正確檢查出學(xué)員的答辯能力和學(xué)術(shù)水平。至于論文的成績，一般不當(dāng)場宣布?？梢允菍υ捠降模部梢允侵鞔疝q老師一次性提出三個問題，學(xué)員在聽清楚記下來后，按順序逐一作出回答。，先讓學(xué)員用10分鐘左右的時間概述論文的標(biāo)題以及選擇該論題的原因，較詳細(xì)地介紹論文的主要論點(diǎn)，論據(jù)和寫作體會。5。3。三、畢業(yè)論文答辯成績畢業(yè)論文答辯以后，答辯委員會要根據(jù)畢業(yè)論文作者的答辯情況1。但從總體上說，論文答辯是以問答的形式為主，以不同觀點(diǎn)的辯論為輔。也要為參加答辯會作準(zhǔn)備，但難以針對答辯會上提出的問題(因為事先不知道)作準(zhǔn)備，只能就自己所寫的論文及有關(guān)的問題作廣泛的思考和準(zhǔn)備。然而，畢業(yè)論文答辯會上的題目是由參加答辯會的一方——答辯老師根據(jù)另一方提供的論文擬就的，所要答辯的題目不是一個，而是多個，一般是三個或三個以上，并且答辯小組擬就的題目對另一方——論文的作者事先是保密的，到答辯會上才亮出來。而論文答辯雖然也要作出評判，但它不是由特設(shè)的裁判員來評判，而是由參加答辯會的一方——答辯小組或答辯委員會對另一方即論文作者的論文和答辯情況作出評價。另一方是由教師或有關(guān)專家組成的答辯小組或答辯委員會，人數(shù)有3人或3人以上。答辯就是問答式辯論的簡稱。以上就是我答辯的全部內(nèi)容，非常感謝各位老師的關(guān)注，接下來請老師們評閱提問。摻入CH3NH3Cl會影響鈣鈦礦晶體的結(jié)晶度，隨著MACl摻入量的增加，鈣鈦礦晶體的結(jié)晶性呈現(xiàn)先增后減的趨勢。為了進(jìn)一步研究摻雜量對器件光電性能的影響，我們來看下IPCE圖譜。下面我重點(diǎn)分析一下電池的JV曲線。這是因為較小的PbI2膜微孔會限制鈣鈦礦晶體長大，從而形成致密均勻且覆蓋率高的光吸收層。隨著摻雜量的增多，微孔尺寸和數(shù)目先減后增。從b圖中可以發(fā)現(xiàn)，增大摻雜量，鈣鈦礦的結(jié)晶性先增后減。176。我的表征方法有：XRD、SEM、紫外吸收光譜、IPCE測試、JV曲線測試。至此成功制備光吸收層。在正式沉積膜之前，我需要配制不同濃度的前驅(qū)體溶液和10mg/mL的碘甲胺異丙醇溶液。分段式加熱是為了減緩升溫速度，防止晶體生長過快，形成粗大晶粒。通過進(jìn)一步優(yōu)化工藝，最后解決了該問題，確定了下面這一組最佳工藝參數(shù)。我制備致密層主要采用磁控濺射法和
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