段輝高-2-半導(dǎo)體中的材料、硅片制作流程(文件)
【正文】 ki法 （ CZ法） 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長(zhǎng) 33 （ 2）晶體生長(zhǎng) ① 直拉法（ CZ法） 三部分組成： 爐體部分 ， 有坩堝、水冷裝置和拉桿等機(jī)械傳動(dòng)裝置 ； 加熱控溫系統(tǒng)，有光學(xué)高溫計(jì)、加熱器、隔熱裝置等； 真空部分， 有機(jī)械泵、擴(kuò)散泵、測(cè)真空計(jì)等。 ? 等徑生長(zhǎng) 拉桿與坩堝反向勻速轉(zhuǎn)動(dòng)拉制出等徑單晶。 本質(zhì)上它和標(biāo)準(zhǔn)的直拉法 （ CZ）一樣 ， 為砷化鎵做了一定改進(jìn) 。 懸浮區(qū)熔法 是一種 無(wú)坩堝 的晶體生長(zhǎng)方法 ， 多晶與單晶均由夾具夾著 ， 由高頻加熱器產(chǎn)生一懸浮的溶區(qū) ， 多晶硅連續(xù)通過(guò)熔區(qū)熔融 ， 在熔區(qū)與單晶接觸的界面處生長(zhǎng)單晶 。 ?摻雜元素的選擇 ?摻雜方式 ?雜質(zhì)分布 44 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長(zhǎng) ⑥ 摻雜 雜質(zhì)類型的選擇 A： 摻雜元素的選擇 硼、磷 P型摻雜、 N型摻雜 45 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長(zhǎng) ⑥ 摻雜 ?液相摻雜 ?直接摻元素 ?母合金摻雜 ?氣相摻雜 ?中子輻照（ NTD）摻雜 — 中子嬗變摻雜技術(shù)。 B2：中子輻照（ NTD）摻雜 48 晶 圓制備 （ 3） 硅片制備 晶體準(zhǔn)備（直徑滾磨、晶體定向、導(dǎo)電類型檢查和電阻率檢查） → 切片 → 研磨 → 化學(xué)機(jī)械拋光（ CMP） → 背處理 → 雙面拋光 → 邊緣倒角 → 拋光 → 檢驗(yàn) → 氧化或外延工藝 → 打包封裝 硅片制備工藝流程 （ 從晶棒到空白硅片 ） ： 49 之 前 之 后晶 圓制備（ 3）硅片制備 直徑滾磨 晶體定向 光 源晶 體 的 定 向 確 定是由 x射線衍射或平行光衍射儀來(lái)確定的 50 晶 圓制備 （ 3） 硅片制備 導(dǎo)電類型的測(cè)試 ： 熱點(diǎn)測(cè)試儀＆極性儀 電阻率的測(cè)量： 四探針測(cè)試儀 電阻率的測(cè)量要沿著晶體的軸向進(jìn)行 ① 晶體準(zhǔn)備 51 晶 圓制備 （ 3） 硅片制備 ② 如何根據(jù)參考面辨別晶向和導(dǎo)電類型 52 之 前之 后之 前之 后晶 圓污 染位 錯(cuò) 線研磨 → 之 前之 后化學(xué)機(jī)械拋光（ CMP） → 背處理 → 雙面拋光 → 邊緣倒角 → 拋光 → 檢驗(yàn) → 氧化或外延工藝 → 打包封裝 以獲得局部平整度 25 25mm測(cè)量 時(shí)小于 ~ 53 晶 圓制備 （ 3） 硅片制備 切片 54 芯片 制造階段 集成電路芯片的顯微照片 晶圓的尺寸越來(lái)越大（思考下為什么） 。 ?這種方法適于制備一般濃度的摻雜。 40 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長(zhǎng) ③ 區(qū)熔法 41 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長(zhǎng) ④ 直拉法和 區(qū)熔法的比較 42 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長(zhǎng) ⑤ 硅棒舉例 （ 北京有色金屬總院 ） 12英寸 ， 等徑長(zhǎng) 400mm，晶體重 81Kg。 39 晶 圓制備 （ 2） 晶體生長(zhǎng) ③ 區(qū)熔法
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