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正文內(nèi)容

底片干膜工藝技術(shù)資料(文件)

 

【正文】 點(diǎn),但對(duì)銅箔表面環(huán)氧膩污點(diǎn)清洗無效,廢水 處理成本也較高。清潔處理后,最好立即貼膜,如放置時(shí)間超過四個(gè)小時(shí),應(yīng)重新進(jìn)行清潔處理。通常先物理排水,如用空氣刀干燥,然后 放入 110土 5℃ 的熱烘箱中進(jìn)行熱蒸發(fā) 10— 15分鐘。 貼膜通常在貼膜機(jī)上完成,貼膜機(jī)型號(hào)繁多,但基本結(jié)構(gòu)大致相同: 貼膜可連續(xù)貼,也可單張貼。 ? 壓力:新安裝的貼膜機(jī),首先要將上下兩熱壓輥調(diào)至軸向平行,然后來用逐漸加大壓力的 辦法進(jìn)行壓力調(diào)整,根據(jù)印制板厚度調(diào)至使干膜易貼、貼牢、不出皺折。貼膜溫度過高,干膜圖像變脆,耐鍍性能差,貼 膜溫度過低,干膜與銅表面粘附不牢,在顯影或電鍍過程中,膜易起翹甚至脫落。 1/17/2023 72 ? 大批量生產(chǎn)時(shí),在所要求的傳送速度下,熱壓輥難以提供足夠的熱量,因此需給要貼膜的 板子進(jìn)行預(yù)熱,即在烘箱中干燥處理后稍加冷卻便可貼膜。 1/17/2023 73 曝 光 ? ◎ 曝光 曝光即在紫外光照射下,光引發(fā)劑吸收了光能分解成游離基,游離基再引發(fā)光聚合單體 進(jìn)行聚合交聯(lián)反應(yīng),反應(yīng)后形成不溶于稀堿溶液的體型大分子結(jié)構(gòu)。 國(guó)產(chǎn)干膜的光譜吸收曲線表明,光譜吸收區(qū)為 310—440nm(毫微米 )。因?yàn)楣鈴?qiáng)度大,分辨率高,而且曝光時(shí)間 短,照相底版受熱變形的程度也小。當(dāng)光敏單體大部分消耗完時(shí),就進(jìn)入了單體耗 盡區(qū),此時(shí)光聚合反應(yīng)已經(jīng)完成。更為嚴(yán)重的是不正確的曝光將產(chǎn)生圖像線寬的偏差,過量的曝光會(huì)使圖形電鍍的線條 變細(xì),使印制蝕刻的線條變粗,反之,曝光不足使圖形電鍍的線條變粗,使印制蝕刻的線條變細(xì)。 斯圖費(fèi) 2l級(jí)光密度尺第一級(jí)的光密度為 ,以后每級(jí)以光密度差△ D為 0. 15遞增, 到第 2l級(jí)光密度為 。 1/17/2023 77 任選一曝光時(shí)間作為參考曝光時(shí)間,用 Tn表示,顯影后留下的最大級(jí)數(shù)叫參考級(jí)數(shù),將 推薦的使用級(jí)數(shù)與參考級(jí)數(shù)相比較,并按下面系數(shù)表進(jìn)行計(jì)算。 在無光密度尺的情況下也可憑經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行觀察,用逐漸增加曝光時(shí)間的方法,根據(jù)顯影后干 膜的光亮程度、圖像是否清晰、圖像線寬是否與原底片相符等來確定適當(dāng)?shù)钠毓鈺r(shí)間。當(dāng)曝光時(shí)間 T恒定時(shí),光強(qiáng) I改變,總曝光量也隨之改變,所以盡管嚴(yán) 格控制了曝光時(shí)間,但實(shí)際上干膜在每次曝光時(shí)所接受的總曝光量并不一定相同,因而聚合 程度也就不同。 關(guān)于光密度,要求最大光密度 Dmax大于 4,最小光密度 Dmin小于 0. 2。原國(guó)產(chǎn) SO 硬性軟片受溫度和濕度的影響,尺寸變化較大,其溫度系數(shù)和濕度系數(shù)大約在 (50— 60) 10- 6/ ℃ 及 (50— 60) 10- 6/%,對(duì)于一張長(zhǎng)度約 400mm的S0底版,冬季和夏季 的尺寸變化可達(dá) — 1mm,在印制板上成像時(shí)可能偏半個(gè)孔到一個(gè)孔的距離。 1/17/2023 80 ◎ 曝光定位 ? 1)目視定位 目視定位通常適用于使用重氮底版,重氮底版呈棕色或桔紅色的半透明狀態(tài);但不透紫外 光,透過重氮圖像使底版的焊盤與印制板的孔重合對(duì)準(zhǔn),用膠帶固定即可進(jìn)行曝光。曝光后,聚合反應(yīng)還要持續(xù)一段時(shí)間,為保證工藝的穩(wěn)定性,曝光后不要立即揭去聚酯膜,以使聚合反應(yīng)持續(xù)進(jìn)行。從而把未曝光的部分溶解下來,而曝光部分的干膜不被溶脹。如果顯出點(diǎn)離顯影段的入口太近,已 聚合的于膜由于與顯影液過長(zhǎng)時(shí)間的接觸,可能被浸蝕而變得發(fā)毛,失去光澤。消泡劑起始的加入量為% 左右,隨著顯影液溶進(jìn)干膜,泡沫又會(huì)增加,可繼續(xù)分次補(bǔ)加。 上述缺陷產(chǎn)生的大體原因是:干膜本身有顆?;驒C(jī)械雜質(zhì);基板表面粗糙或凹凸不平;操 作工藝不當(dāng)如板面污物及貼膜小皺折;照相底版及真空框架不清潔等。 ? 修版時(shí)應(yīng)注意戴細(xì)紗手套,以防手汗污染板面。 1/17/2023 85 。 槽式浸泡是板子上架后浸泡到去膜溶液中,數(shù)分鐘后膜變軟脫落,取出后立即用水沖洗,膜就 可以去除干凈,銅表面也不會(huì)被氧化。 ? 修版液可用蟲膠、瀝青、耐酸油墨等。 ? 顯影后板面是否有余膠,肉眼很難看出,可用 1%甲基紫酒精水溶液或 l一 2%的硫化鈉 或硫化鉀溶液檢查,染十甲基紫顏色和浸入硫化物后沒有顏色改變說明有余膠。 ? 使用顯影機(jī)由于溶液不斷地噴淋攪動(dòng),會(huì)出現(xiàn)大量泡沫,因此必須加入適量的消泡劑。 1/17/2023 82 ? 正確的顯影時(shí)間通過顯出點(diǎn) (沒有曝光的干膜從印制板上被顯掉之點(diǎn) )來確定,顯出點(diǎn)必 須保持在顯影段總長(zhǎng)度的一個(gè)恒定百分比上。 1/17/2023 81 顯 影 ? ◎ 顯影 水溶性干膜的顯影液為 l一 2%的無水碳酸鈉溶液,液溫 30— 40℃ 。 定位方法是:首先將正面、反面兩張底版藥膜相對(duì)在顯微鏡下對(duì)準(zhǔn);將對(duì)準(zhǔn)的兩張底版用 軟片沖孔器于底版有效圖像外任沖兩個(gè)定位孔,把沖好定位孔的底版任取一張去編鉆孔程序, 便能得到同時(shí)鉆出元件孔及定位孔的數(shù)據(jù)帶,一次性鉆出元件孔及定位孔,印制板金屬化孔及 預(yù)鍍銅后,便可用雙圓孔脫銷定位器定位曝光。 采用厚聚酯片基的銀鹽片 (例如 )和重氮片,可提高照相底版的尺寸穩(wěn)定性。最小光密度是指底版在紫外光中,其擋光膜以外透明片基所呈現(xiàn)的擋 光上限,也就是說,當(dāng)?shù)装嫱该鲄^(qū)之光密度 Dmin小于 ,才能達(dá)到良好的透光目的。其原理是當(dāng)光強(qiáng) I發(fā)生變化時(shí), 能自動(dòng)調(diào)整曝光時(shí)間 T,以保持總曝光量 E不變。光能量定義的公式 E= IT,式中 E表示總曝光量,單位為毫焦耳/平方厘米;I表示 光的強(qiáng)度,單位為毫瓦/平方厘米; T為曝光時(shí)間,單位為秒。當(dāng)使用級(jí)數(shù)與 參考級(jí)數(shù)相比較需降低時(shí),使用級(jí)數(shù)的曝光時(shí)間 T= TR/K。這樣選用不同的時(shí)間進(jìn)行曝光便可得到不同 的成像級(jí)數(shù)。國(guó)外生產(chǎn)干膜的公司都有自己專用的或推薦使用的某種 光密度尺,干膜出廠時(shí)都標(biāo)出推薦的成像級(jí)數(shù)、我國(guó)干膜生產(chǎn)廠家沒有自己專用的光密度尺, 通常推薦使用瑞斯頓幟 iston)17級(jí)或斯圖費(fèi) (stouffer)21級(jí)光密度尺。當(dāng)曝光不足時(shí),由于單體 聚合的不徹底,在顯影過程中,膠膜溶漲變軟,線條不清晰,色澤暗淡,甚至脫膠,在電鍍前處理 或電鍍過程中,膜起翹、滲鍍、甚至脫落。 干膜中由于存在氧或其它有害雜質(zhì)的阻礙,因而需要經(jīng)過一個(gè)誘導(dǎo)的過程,在該過程內(nèi)引 發(fā)劑分解產(chǎn)生的游離基被氧和雜質(zhì)所消耗,單體的聚合甚微。氙燈不適應(yīng)于干膜的曝光。 1/17/2023 74 1)光源的選擇 ? 任何一種干膜都有其自身特有的光譜吸收曲線,而任何一種光源也都有其自身的發(fā)射光 譜曲線。 ? 完好的貼膜應(yīng)是表面平整、無皺折、無氣泡、無灰塵顆粒等夾雜。 傳送速度:與貼膜溫度有關(guān),溫度高,傳送速度可快些,溫度低則將傳送速度調(diào)慢。 ? 溫度:根據(jù)干膜的類型、性能、環(huán)境溫度和濕度的不同而略有不同。連續(xù)貼膜生產(chǎn)效率高,適合于 大批量生產(chǎn),小批量生產(chǎn)可采用單張貼法,以減少干膜的浪費(fèi)。 1/17/2023 70 貼 膜 ? 貼膜時(shí),先從干膜上剝下聚乙烯保護(hù)膜,然后在加熱加壓的條件下將干膜抗蝕劑粘貼在覆 銅箔板上。 貼膜前板面的干燥很重要。 1/17/2023 68 該設(shè)備的工藝參 7— 5 參 數(shù) 電解清洗 微蝕刻 鈍化 水平速度 (in/min) 48~ 60 48~ 60 48~ 60 溫度 (T) 90~ 100 90~ 120 75~ 90 化學(xué)溶液 (專用 ) SChercleanEC SCheretchEC Cu PaSSivatlonGS 電流密度 (A/ n’) 15~ 25 停留時(shí)間 (s) 20~ 25 20~ 26 15~ 19 1/17/2023 69 ? 處理后的板面是否清潔應(yīng)進(jìn)行檢查,簡(jiǎn)單的檢驗(yàn)方法是水膜破裂試驗(yàn)法。 ② 微蝕刻主要作用是使銅箔形成一個(gè)微觀的粗糙表面,以增大比表面。 1/17/2023 66 3)電解清洗 ? 貼干膜前基板表面清潔處理,一般采用上述 1)一 2)種處理方法,機(jī)械清洗及浮石粉刷板 對(duì)去除基板表面的含鉻鈍化膜 (銅箔表面防氧化劑 )效果不錯(cuò),但易劃傷表面,并可能造成磨料 顆粒 (如,碳化硅、氧化鋁、浮石粉 )嵌入基體內(nèi),同時(shí)還可能使撓性基板、多層板內(nèi)層薄板及薄 型印制板基板的尺寸變形。然后用酸性溶液去除氧 化層和原銅基材上為防止銅被氧化的保護(hù)涂層,最后再進(jìn)行微蝕處理以得到與干膜具有優(yōu)良 粘附性能的充分粗化的表面。 浮石粉刷板機(jī)是將浮石粉懸濁液噴到板面上用尼龍刷進(jìn)行擦刷,其機(jī)器主要有以下幾個(gè) 工段: a.尼龍刷與浮石粉漿液相結(jié)合進(jìn)行擦刷; b.刷洗除去板面的浮石粉; c.高壓水洗; d.水 洗; e.干燥。在使用刷輥式刷板機(jī)的過程中,為防止尼龍絲過熱而熔化,應(yīng)不斷向板面噴淋自來水進(jìn)行 冷卻和潤(rùn)濕。 兩種刷子相比較各有其優(yōu)缺點(diǎn)。 ① 磨料刷輥式刷板機(jī) 磨料刷輥式刷板機(jī)裝配的刷子通常有兩種類型,壓縮型刷子和硬毛型刷子。為達(dá)到上述兩項(xiàng)要求,貼膜前要對(duì) 基板進(jìn)行認(rèn)真的處理。 1/17/2023 60 生產(chǎn)操作及注意事項(xiàng) 1/17/2023 61 基板的清理 ? 圖像轉(zhuǎn)移 采用干膜進(jìn)行圖像轉(zhuǎn)移的工藝流程為:貼干膜前基板清潔處理 → 干燥 → 貼干膜 → 定位 → 曝光 → 顯影 →修版。儲(chǔ)存期從出廠之日算起不小于六個(gè)月,超過儲(chǔ)存期按技術(shù)要求 檢驗(yàn)合格者仍可使用。 合,或因抗蝕劑產(chǎn)生局部流動(dòng)而造成厚度不均勻 (即所謂冷流 ),這些都嚴(yán)重影響干膜的使用。 1/17/2023 57 去膜性能 ? 曝光后的干膜,經(jīng)蝕刻和電鍍之后,可以在強(qiáng)堿溶液中去除,一般采用 3— 5%的氫氧化 鈉溶液,加溫至 60℃ 左右,以機(jī)械噴淋或浸泡方式去除,去膜速度越快越有利于提高生產(chǎn)效 率。 技術(shù)要求規(guī)定,能分辨的最小平行線條寬度,一級(jí)指標(biāo)< 0. 1mm,二級(jí)指標(biāo) ≤ 。2 1%無水碳酸鈉溶 液顯影時(shí)間(秒 ) 抗蝕層厚度25μ m ≤60 ≤90 抗蝕層厚度38μ m ≤80 ≤100 抗蝕層厚度50μ m ≤100 ≤120 1%無水碳酸鈉溶液耐顯影時(shí)間 (分 ) ≥5 ≥3 1/17/2023 55 分辨率 ? 所謂分辨率是指在 1mm的距離內(nèi),干膜抗蝕劑所能形成的線條 (或間距 )的條數(shù),分辨率 也可以用線條 (或間距 )絕對(duì)尺寸的大小來表示。上述缺陷嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致印制板報(bào)廢。 干膜的耐顯影性是指曝光的干膜耐過顯影的程度,即顯影時(shí)間可以超過的程度,耐顯影性 反映了顯影工藝的寬容度。此系數(shù)的測(cè)量方法是將 干膜貼在透明的有機(jī)玻璃板上,采用透射密度計(jì)測(cè)量光密度,測(cè)試比較復(fù)雜,且干膜貼在有機(jī) 玻璃板上與貼在覆銅箔板上的情況也有所不同。若抗蝕層對(duì) 光的透過率不好,在抗蝕層較厚時(shí),如上層的曝光量合適,下層就可能不發(fā)生反應(yīng),顯影后抗蝕 層的邊緣不整齊,將影響圖像的精度和分辨率,嚴(yán)重時(shí)抗蝕層容易發(fā)生起翹和脫落現(xiàn)象。通常干膜的最佳曝 光時(shí)間選擇在最小曝光時(shí)間與最大曝光時(shí)間之間。 感光速度是指光致抗蝕劑在紫外光照射下,光聚合單體產(chǎn)生聚合反應(yīng)形成具有一定抗蝕、 能力的聚合物所需光能量的多少。 高壓汞燈及鹵化物燈在近紫外區(qū)附近輻射強(qiáng)度較大,均可作為干膜曝
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