tem透射電鏡中的電子衍射及分析(實例)(ppt65頁)(文件)
【正文】 的 0層倒易面同時與球面相截，產(chǎn)生分屬于兩個晶帶的兩套衍射斑點。 標定方法： 采用前述的廣義晶帶定律，利用P191面圖或自行繪制（ P40， 圖 2－ 32） 二次衍射 原理 ： 電子通過晶體時，產(chǎn)生的較強，它們常常可以作為新的入射線，在晶體中再次產(chǎn)生衍射。也可用二次衍射斑形成中心暗場象來區(qū)分，如晶界會亮 。、120176。晶體中的這種孿晶關系自然也反映在相應的倒易點陣中，從而由相應的衍射花樣中反映出來。超點陣反向強度取決于所含異類原子散射振幅之差，一般較弱。 取向關系的測定 （略） 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH 。其衍射花樣的特征是，除基體衍射斑點外，還出現(xiàn)一系列間隔較密 ,采用 暗場技術 調(diào)幅結構 原理 ： 在某些穩(wěn)定的第二相生成之前，固溶體中常常產(chǎn)生不均勻的現(xiàn)象，溶質原子在某些特定的晶面上偏聚。如面心立方－簡單立方。多數(shù)為 180176。如以孿晶面為鏡面反映，或以孿晶面的法線為軸，旋轉 60176。左右以產(chǎn)生雙束條件，即透射束和一去強衍射束。驗證標定結果采用上述必備條件 。 消除辦法 ? 轉動晶體法，讓和斑點自洽（上交編書， P79） ? 借助復雜電子衍射花樣分析，如雙晶帶衍射花樣、高階勞厄帶花樣分析。 R3＝ R1＋ R2， R3’＝－ R3 ?任取不在一條直線上的兩斑點確定晶帶軸指數(shù) 011 211 411000 002 004A C D B 圖例 1 低碳合金鋼基體的電子衍射花樣 例 1：上 圖是由某低碳合金鋼薄膜樣品的區(qū)域記錄的單晶花樣，以些說明分析方法： ?選 中心附近 A、 B、 C、 D四斑點， ?測 得 RA＝ ， RB＝ ， RC＝， RD＝ ， 同時用量角器測得R之間的夾角分別為 (RA, RB)＝ 900, (RA, RC)＝ 550, (RA, RD)＝ 710, ?求 得 R2比值為 2： 4： 6： 18， RB/RA=, RC/RA=, RB/RA=,表明樣品該區(qū)為體心立方點陣 ,A斑 N為 2， {110},假定 A為 (1－ 10)。也可事先計算 R2／ R1， R3／ R1，和 R R2間夾角，據(jù)此進行標定 (P32例 ,圖2－ 24)。有些并不精確落在 Ewald球面上仍能發(fā)生衍射，只是斑點強度較弱。 已知晶體結構，標定相機常數(shù)，一般用 Au, FCC, a=， 也可用內(nèi)標。 R和 1/d存在簡單的正比關系 對立方晶系 ： 1/d2=（ h2+k2+l2） /a2＝ N/a2 通過 R2比值確定環(huán)指數(shù)和點陣類型 。 物鏡球差： Csa3 物鏡聚焦： Da 后兩種引起的總位移 h= Csa3 177。 光闌選區(qū)衍射是是通過物鏡象平面上插入選區(qū)光闌限制參加成象和衍射的區(qū)域來實現(xiàn)的 。sin2p (hxn+kyn+lzn)]2} 常用點陣的消光規(guī)律 簡單 無 面心點陣 （ Al,Cu） h,k,l 奇偶混合 體心點陣 （ aFe, W,V） h+k+l=奇數(shù) hcp(Mg,Zr) h+2K=3n 和是奇數(shù) ?Pay attention . 晶體尺寸效應 當賦予倒易點以衍射屬性時 ， 倒易點的大小與形狀與晶體的大小和形狀有關， 并且當?shù)挂c偏離反射球為 s時 ， 仍會有衍射發(fā)生 ， 只是比 s=0時弱 。(KgK0) Fg=Σ fnexp(ifn) =Σ fnexp[2p r C:只要倒易點落在反射球上 ,即可能產(chǎn)生衍射 . l1l12q d1o?o?GG?RL試樣 入射束 厄瓦爾德球 倒易點陣 底板 圖 28 電子衍射花樣形成示意圖 KK0=g
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