【正文】 and Patel,V. M. Optimum Design of Power MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices. 1984, ED31, 16931700 (6)Lin Xi, He Ping, Tian Lilin et al. Investigation of Thermal Property of Novel DSOI MOSFETs Fabricated with Local SIMOX Technique. Chinese Journal of Semiconductors, 2020, 24(2), 117121 (7)Fang Jian, Yi Kun, Li Zhaoji et al. OnState Breakdown Model for High Voltage RESURF LDMOS. Chinese Journal of Semiconductors,2020,26(3),436442 第五章 MOS－雙極型復(fù)合功率器件 1．本章主要內(nèi)容 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 、 MOS 控制晶閘管 MCT、注入增強型柵極晶體管 IEGT 及派生器件的結(jié)構(gòu)、工作特性以及靜態(tài)和動態(tài)特性、電學(xué)參數(shù)；新器件結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)介紹。 2．本章的重點與難點 寬禁帶材料的二極管、晶體管、 MOS、 MOSFET、 IGBT 等功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)以及寬禁帶材料高擊穿電壓、高熱導(dǎo)率、電子遷移速度高等優(yōu)良的 物理化學(xué)參數(shù)與功率器件靜態(tài)和動態(tài)特性相互關(guān)系。 Glass,and .。97., 1997 IEEE International Symposium on 2629 May 1997 Page(s):2532 (5)SeiHyung Ryu。 Goesmann, F.。使學(xué)生掌握組合電路和時序電路的描述方法，并舉例說明可綜合 Verilog HDL 設(shè)計方法。 了解數(shù)字電路的基本知識。 了解數(shù)字電路的基本知識。 了解數(shù)字電路的基本知識。 、需掌握的主要知識 重點掌握 VERILOG 描述組合電路的方法。 、需掌握的主要知識 重點掌握 VERILOG 基本語法。 、需掌握的主要知識 重點掌握 Verilog 設(shè)計復(fù)雜系統(tǒng)的優(yōu)點和 Verilog HDL 設(shè)計的基本流程。Diffusion barriers on titaniumbased ohmic contact structures on SiCHighTemperature Electronic Materials, Devices and Sensors Conference, 19982227 Feb. 1998 Page(s):159164 西安理工大學(xué) 研究生課程教學(xué)大綱 417 《 Verilog 硬件描述語言 》教學(xué)大綱 Teaching Outline of Verilog Hardware Description language 第一部分 大綱說明 1. 課程代碼： 050106 2. 課程類型： 非學(xué)位課 3. 開課時間： 秋 4. 學(xué)時 /學(xué)分： 32/2 5. 課程目標(biāo)： 通過該課程的學(xué)習(xí)，使學(xué)生掌握 Verilog硬件描述語言的基本語法，掌握利用 Verilog 描述數(shù)字組合電路和時序電路的方法，最終掌握掌握使用 Verilog設(shè)計復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)的能力。 and Singh, R.。Silicon carbide for power devices Power Semiconductor Devices and IC39。 4．主要參考資料 (1)劉海濤 ,陳啟秀 .寬禁帶半導(dǎo)體 功率器件 .半導(dǎo)體技術(shù) ,1999,(2) (2)張玉明 ,湯曉燕 ,張義門 .SiC 功率器件的研究和展望 .電力電子技術(shù) ,2020,(12) (3)張志國 ,李麗 ,楊瑞霞 ,楊克武 .GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)效應(yīng)晶體管功率器件 .物理 ,2020,(06) (4)Palmour, .。 3．預(yù)備知識要求 MOSFET 和雙極晶體管相關(guān)知識。 Shao Zhibiao。 and Li Siyuan. Mechanism of Reverse Snapback on IV Characteristics of Power SITHs with Buried Gate Structure,1993, Journal of Semiconductors, (6)JUNICHI NISHIZAWA. FieldEffect Transistor Versus Analog Transistor (Static Induction Transistor) .IEEE Transactions on Electron Devices. 1975, ED22(4):185197 第四章 場效應(yīng)功率晶體管 1．本章主要內(nèi)容 MOS 晶體管、 MOSFET 器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理以及靜態(tài)和動態(tài)特性、電學(xué)參數(shù)。 Wang Zaixing。 4． 主要參考資料 (1)張海濤 ,張斌 ,王均平 .采用緩沖層結(jié)構(gòu)的軟 恢復(fù)二極管研究 .電力電子技術(shù) ,2020,(02) 自動化與信息工程學(xué)院 414 (2)劉古 ,將建飛 .雙極晶體管基區(qū)寬變效應(yīng)的分析和計算 .電子學(xué)報 ,1983,(02) (3)徐之韜 ,王明福 ,肖宗蘭 等 .3DD260 型高反壓大功率晶體管的設(shè)計與制造 .物理 ,1994,(04) (4)Pathak Gower, Solutions for Surface Electric Field Distributions in Avalanching pin Power ,I130,1723 (5)Benda, for fast Soft Reverse Recovery Diodes, EPE‘93 Conference, 28892 (6)Aloisi,. The Innovation in the Field of High Voltage Bipolar Transistor, Journal,1,4754 (7)趙善麒 ,高鼎三 ,潘福泉 .高靈敏度 500A,2020V 光控晶閘管的研制 .半導(dǎo)體學(xué)報 ,1990,(06) (8)大 呂征宇 .容量門極可關(guān)斷晶閘管的 研究 .電子與信息學(xué)報 ,1988,(06) (9)楊大江 ,姚振華 ,朱長純 ,等 .新型功率器件 (IGCT)的工作原理及其設(shè)計技術(shù) .電力電子技術(shù) ,1999,(05) (10)Wolley,. Gate Turnoff in pnpn Devices .IEEE Trans on Electron Devices,1996 ED13,5907 (11)Ogura,T.,Nakagawa,A.,Atusta,M.,Kamei,Y. High Frequency 6000V DoubleGTOs,1993 IEEE Electron ,62833 (12).,Yamamoto,M.,Nakagawa,T. and Kawakami, A. and High Power Devices GCT. ‘97 ,70 第三章 場效應(yīng)功率晶體管 1． 本章主要內(nèi)容 功率 JFET、靜電感應(yīng)晶體管 SIT、靜電感應(yīng)晶閘管 SITH 等靜電感應(yīng)功率器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理以及基本靜態(tài)和動態(tài)電學(xué)參數(shù)分析。 4．主要參考資料 (1)張為佐 .功率半導(dǎo)體器件的新發(fā)展 .中國電工技術(shù)學(xué)會電力電子學(xué)會五屆三次理事會議論文集 ,2020 (2)段寶興 ,張波 ,李肇基 .功率半導(dǎo)體器件發(fā)展概述 [A].中國電工技術(shù)學(xué)會電力電子學(xué)會第十屆學(xué)術(shù)年會論文摘要集 [C],2020 (3)甘祥彬 .大功率 IGBT 驅(qū)動技術(shù)的現(xiàn)狀 與發(fā)展 .中國電工技術(shù)學(xué)會第九屆全國電技術(shù)節(jié)能學(xué)術(shù)會議論文集 ,2020 (4)江利 ,王建華 ,黃慶安 ,等 .PIN 二極管的研究進展 .電子器件 ,2020,(02) (5)李思淵 ,孫卓 ,劉肅 .靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)作用機制的理論研究 .電力電子技術(shù) ,1994,(02) (6)Laska T,Munzer M,Pfirsch F. The field stop IGBT(FS IGBT):a new power device concept with great i mprovement potential .Proceedings of the12th International Symposiumon Power Semiconductor Devices and ICs. 2020, :355. (7)JUNICHI NISHIZAWA. FieldEffect Transistor Versus Analog Transistor (Static Induction Transistor) .IEEE Transactions on Electron Devices. 1975, ED22(4) :185197. (8)Ogura,T.,Nakagawa,A.,Atusta,M.,Kamei,Y. High Frequency 6000V DoubleGTOs,1993 IEEE Electron ,62833 第二章 功率雙極功率晶體管、晶閘管及其派生器件 1．本章主要內(nèi)容 功率二極管 (PIN、雙基區(qū)二極管 )及普通晶閘管 (SCR)、快速晶閘管 (KP)、門極可關(guān)斷晶閘管（ GTO）、雙向晶閘管（ TRIAC）和光觸發(fā)（ LTT）等雙極功 率晶體管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理，分析其結(jié)構(gòu)參數(shù)與基本電學(xué)參數(shù)的關(guān)系以及基本靜態(tài)和動態(tài)電學(xué)參數(shù)分析；晶閘管的基本結(jié)構(gòu)的分析設(shè)計。對學(xué)生深入了解半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)類型和工作原理，正確使用和設(shè)計電力半導(dǎo)體器件，以及分析半導(dǎo)體器件制造工藝都具有重要的理論指導(dǎo)作用，培養(yǎng)學(xué)生分析、設(shè)計電力半導(dǎo)體器件和開發(fā)新西安理工大學(xué) 研究生課程教學(xué)大綱 413 器件的能力。 3. 預(yù)備知識要求 同第一章 (1)《 半導(dǎo)體概論 》 第四章 (2) 授課當(dāng)年的最新研發(fā)綜述英文文獻 自動化與信息工程學(xué)院 412 《 電力半導(dǎo)體器件 》 教學(xué)大綱 Teaching Outline of Power Semiconductor Devices 第一部分 大綱說明 1．課程代碼： 050105