光電材料的研究現(xiàn)狀及其未來(lái)(文件)
【正文】 標(biāo)： 突破并掌握用于光電集成(OEIC)、光子集成 (PIC)與微光電機(jī)械 (MOEMS)方面的材料和芯片的關(guān)鍵工藝技術(shù)，以典型器件的研制帶動(dòng)研究開(kāi)發(fā)工藝平臺(tái)的建設(shè)和完善，探索集成光電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和工藝制造協(xié)調(diào)發(fā)展的途徑，促進(jìn)芯片、模塊和組件的產(chǎn)業(yè)化。 研究?jī)?nèi)容和主要指標(biāo)： 1) 光纖預(yù)制棒制造新技術(shù) (B類(lèi)，要求企業(yè)負(fù)責(zé)并有配套投入 )； 2) 新型特種光纖 (A類(lèi) )。 說(shuō)明：等離子體平板顯示器和高亮度、長(zhǎng)壽命有機(jī)發(fā)光器件（ OLED）和 FED的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)將于 平板顯示專(zhuān)項(xiàng) 中考慮。 研究?jī)?nèi)容及主要指標(biāo)： 1) DVD光頭用光源和非球面透鏡等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù) (B類(lèi) )； 2) 新型近場(chǎng)光存儲(chǔ)材料和器件 (A類(lèi) )。 3) 大氣監(jiān)測(cè)用高靈敏紅外探測(cè)器及其列陣 (A類(lèi) ) 。 2) 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管材料與器件技術(shù) (A類(lèi) )。 18 新型有機(jī)光電子材料及器件 研究目標(biāo) ：研究開(kāi)發(fā)新型有機(jī)半導(dǎo)體材料及其在光顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用。 研究?jī)?nèi)容及主要指標(biāo)： 1) 光纖光柵溫度、壓力、振動(dòng)傳感器的產(chǎn)業(yè)化技術(shù) (B類(lèi)，要求企業(yè)負(fù)責(zé)并有配套投入)。 2) 研制 FED用的、能夠在低電壓下工作的新型冷陰極電子源結(jié)構(gòu)、新型冷陰極電子發(fā)射材料 (A類(lèi) )。 研究?jī)?nèi)容及主要指標(biāo)： 大面積、高質(zhì)量 GaN體單晶生長(zhǎng)技術(shù)。 12 研究?jī)?nèi)容及主要指標(biāo)： (1) 速率在 10Gb/s以上的高速光探測(cè)器組件 (PINTIA) 目標(biāo)產(chǎn)品和規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)，直接調(diào)制 DFBLD目標(biāo)產(chǎn)品和規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，光轉(zhuǎn)發(fā)器 (Transponder)目標(biāo)產(chǎn)品和規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)； (均為 B類(lèi)，要求企業(yè)負(fù)責(zé)并有配套投入) (2) 40通道、 EDFA動(dòng)態(tài)增益均衡關(guān)鍵技術(shù) (A類(lèi) )； (
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