光刻工作總結(jié)報告(文件)
【正文】 刻工藝控制 ? MisAlignment: ? Misplacement in xdirection ? Misplacement in ydirection 光刻工藝控制 ? MisAlignment: ? Runout stepping distance too large or too small ? Rotation pattern is rotated on the mask or reticle 光刻工藝控制 B. Field array 光刻工藝控制 ? C. Develop Defects: ? Overdevelop: resist too thin (or nonuniform), develop time too long, poor resist quality (aged) ? Underdevelop (scumming): resist too thick (or nonuniform), develop time too short, developer chemical too weak (aged) ? D. Print Bias: (What you see isn’t always what you get!) ? Print Bias = (Printed Feature Size) (Mask Feature Size) ? Reasons: Underexposure, Overexposure, Underdevelop, Overdevelop Printed Feature Size PHOTOMASK SILICON SUBSTRATE PHOTORESIST Mask Feature Size Company LOGO Add your pany slogan Company LOGO 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 ?大氣壓力：大氣壓力的變化可能影響投影光學系統(tǒng)中空氣的折射率。所以高溫照明系統(tǒng)和電源通常放在遠離設(shè)備主體的地方。采用紫外光 UV光曝光。Company LOGO 工作總結(jié)報告 Contents Resolution limit AND DOF 2 工藝問題處理 4 光刻機的發(fā)展 3 1RETMAN程序設(shè)計 3 光 刻 機 的 發(fā) 展 ?一 .光刻機的發(fā)展主要從二十世紀 70年代到現(xiàn)在，從早期的線寬5微米以上到現(xiàn)在的亞微米尺寸，從汞燈光源到 KrF等，按曝光方式大致將光刻機分為五代?？梢詼p小失真，能夠在硅片表面形成高分辨率的圖形。 ?濕度：濕度能影響空氣密度，不利于光通過；從而對干涉計定位、透鏡數(shù)值孔徑和聚焦產(chǎn)生不利影響。將導(dǎo)致不均勻線寬控制和極差的套準精度。 , February 7, 2023 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 :04:5505:04:55February 7, 2023 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山
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