0402 chip rlc制程與不良品分析流程-版本2(文件)
【正文】 hip R/C不良之改善Consideration to achieve zero defect: design mass issue misalign mask design orientation damage and Mechanical Damage不良主要來源 AMBIT Microsystems Corporation DesignPad大小不同造成 chip零件兩端不平衡的可能因素 :a. b. Pad內(nèi)距過大c. d. Pad焊墊過大 共用 Pad AMBIT Microsystems Corporation Mass chip RLC墓碑現(xiàn)象 chip RLC不良的主因 Reflow過程力的分佈力不平衡分析 : ,錫不足易造成 noncoplanar IC不良現(xiàn)象 ,故決定鋼版厚度時須考量整體的平衡 . . AMBIT Microsystems Corporation常見 Pad及鋼版設(shè)計? 潛在 Tradeoff:=Small pad可能導(dǎo)致零件歪斜和焊接點(diǎn)強(qiáng)度降低 .=Aperture間距大於 Pad間距易產(chǎn)生墓碑 . AMBIT Microsystems Corporation Issueponent contamination造成Root Cause: ,酸化 (氧化 ) (兩邊電極厚度不一易產(chǎn)生 tombstone)B. 外觀不良吃錫不良 零件端呈暗黑色 , 且不吃錫 EDX顯示 Fe於 Ni鍍層含量過高CuNiSn錫層厚度不足 ,吃錫不良允收標(biāo)準(zhǔn) : 根據(jù)進(jìn)貨尺寸檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及電容值驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)判定 AMBIT Microsystems Corporation認(rèn) 識 電 鍍陰極棒 ? 電鍍 (electroplating) 是一種電沉積過程 ,利用電解體在電極沉積金屬 ,小型物 Chip R/C主要使用滾桶電鍍 .? Chip R/C端電極電鍍流程 :弱酸處理 ( 3% H2SO4 ) , 90sec 去除氧化層及增加表面粗糙度表面髒污洗淨(jìng)30sec NiSO4 , NiCl2 , H3BO3ph =, 55 oCNa3PO4 , 鹼性P含量 2~5% , 50~55oC (酸性錫槽 )P含量 1~2% (中性錫槽 )每日須更換 1~2 回中和之目的 :將鍍鎳液洗去30 sec 成份同鍍錫槽 ,但濃度較低避免水洗槽殘液稀釋鍍錫槽將中和液洗去以免污染熱水槽須使用純水50 +10 oC將鍍錫液洗去以免鍍錫液腐蝕鍍膜乾燥方式可有 :酸性浴 中性浴Sn SO4電阻 Epoxy Paste電容 BaTiO3電感 Fe3O4 不耐酸 ,採用中性浴手動 or. 自動導(dǎo) 電 球不銹鋼上鍍 Ni及 Sn AMBIT Microsystems Corporation一 . 鍍浴的成份及其功能 : ? 金屬鹽 ：提供金屬離子之來源如硫酸鎳 ,NiSO4.? 導(dǎo)電鹽及陽極溶解助劑 : 陽極有時會形成鈍態(tài)膜，不易補(bǔ)充金屬離，則需加陽極溶解助劑。 ，如 pH值、溫度、表面張力、光澤劑等。(2)電流密度 ： 電流密度提高某一限度時，氫氣會大量析出，電流效率低，產(chǎn)生陰極極化 作用，樹枝 狀結(jié)晶將會形成。 (5)液的淨(jìng)化 ： 陽極泥、沈碴等雜質(zhì)會影響鍍層如麻點(diǎn)、結(jié)瘤、粗糙的表面，也會降低鍍 層之防蝕能力，所以必須經(jīng)常過 濾 或連續(xù) 性過 濾 固體粒子。 電鍍影響因素 AMBIT Microsystems Corporation Misalign? 不良品定義 :偏移量大於 50%元件焊端 寬度或大於 50% pad寬度? 形成原因 : 置件偏移零件超出 pad 零件在 trace線路上造成短路零件偏移 D50% W 或 D50% P AMBIT Microsystems Corporation Pad InteractionLarge temperature differenceThermal unbalance? 和 pad連接的 trace如果在兩端不對稱 ,易造成墓碑或偏移? Vias or
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