【正文】 ∞，厚度為 T的試樣的熒光強(qiáng)度記為 IT，則計(jì)算公式如有圖： ? 電鍍鍍層分析原理 強(qiáng)度比 隨 值的變化曲線 ? 厚度與強(qiáng)度變化關(guān)系圖示 TII? 強(qiáng)度比 隨 值的變化曲線 多層電鍍層分析原理 分析計(jì)算公式 多層電鍍層分析原理 從公式中可以看出： 外層與內(nèi)層鍍層的 X熒光之間存在吸收增強(qiáng)效應(yīng)，因此，在分析樣品時(shí)會(huì)產(chǎn)生內(nèi)層測(cè)試誤差大的問(wèn)題，隨著鍍層層數(shù)的增加，越靠近內(nèi)層的鍍層檢測(cè)誤差越大。一般測(cè)試一個(gè)點(diǎn)只需要數(shù)十秒 ~3分鐘，分析精度高 X熒光分析儀是光物理測(cè)量，其對(duì)測(cè)試樣品不會(huì)產(chǎn)生任何的物理、化學(xué)變化，因此，其屬于無(wú)損測(cè)量。 X熒光鍍層分析特點(diǎn) 可測(cè)試多鍍層，分析精度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他測(cè)量方法。 X熒光鍍層分析特點(diǎn) 對(duì)于樣品可進(jìn)行連續(xù)多點(diǎn)測(cè)量，適合分析鍍層的厚度分布情況，并可以對(duì)樣品的復(fù)雜面進(jìn)行測(cè)量。 雖然 X射線具有一定的穿透能力，但是其穿透能力是有限的，因此，超厚樣品是無(wú)法測(cè)量的。 針對(duì)不同的鍍層測(cè)試對(duì)象，可選擇不同結(jié)構(gòu)的 X熒光分析儀器。 X熒光鍍層不同配置特點(diǎn) 標(biāo)準(zhǔn)曲線法的特點(diǎn)： 優(yōu)點(diǎn)： 測(cè)試樣品的針對(duì)性很強(qiáng)，測(cè)試的結(jié)果非常 準(zhǔn)確 缺點(diǎn)： 不同的鍍層樣品需要不同的標(biāo)樣，標(biāo)樣的取得比較繁瑣，如果測(cè)試的鍍層種類(lèi)很多，就需要大量的標(biāo)樣，因此，此類(lèi)方法往往適合測(cè)試樣品種類(lèi)較少的場(chǎng)合。往往把 FP法也叫做無(wú)標(biāo)樣分析方法。 因此，此方法多用于檢測(cè)機(jī)構(gòu)或鍍層品種比較多，并且對(duì)鍍層結(jié)果要求不是很高的企業(yè)中。 X熒光鍍層不同配置特點(diǎn) 設(shè)備特點(diǎn)： 機(jī)構(gòu)雖然復(fù)雜，設(shè)備造價(jià)較高，其對(duì)樣品的照射光斑大小可調(diào)整，同時(shí)垂直照射樣品，使樣品定位更加準(zhǔn)確，有利于復(fù)雜樣品的測(cè)量。 此類(lèi)設(shè)備一般不采用三維移動(dòng)控制，即：只有 X、 Y軸方向調(diào)整樣品測(cè)試位置； Z軸方向樣品一般不可調(diào)。適合鍍層樣品結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的樣品測(cè)試。 正比計(jì)數(shù)器 它是采用封閉管內(nèi)充入充氣體 ，其結(jié)構(gòu)如下圖： X熒光鍍層不同配置特點(diǎn) 探測(cè)器特點(diǎn)： 由于采用氣體電離的方式對(duì) X光子進(jìn)行探測(cè)，所以其分辨率很低，約為 15％～ 18％，即 900ev 。 X熒光鍍層不同配置特點(diǎn) 缺點(diǎn)： 由于其分辨率很差，所以在使用中往往很難區(qū)分兩個(gè)相近的元素，例如： Cu和 Zn兩個(gè)元素?zé)o法分辨，往往在使用中采用數(shù)學(xué)解譜的方法進(jìn)行剝離，這樣造成測(cè)試的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性下降；因此，在實(shí)際使用中它往往用于鍍層種類(lèi)比較簡(jiǎn)單，或則是鍍層元素相差較遠(yuǎn)的樣品。對(duì)于合金鍍層樣品基本上無(wú)法測(cè)量準(zhǔn)確。 X熒光鍍層不同配置特點(diǎn) 半導(dǎo)體探測(cè)器特點(diǎn)： 其分辨率很高，一般在 170ev以下；但半導(dǎo)體晶片的面積都不是很大，一般在 5mm2~30mm2之內(nèi) 。雖然國(guó)外有些廠商采用 X射線聚焦的方式，但由于技術(shù)不成熟，對(duì)高能射線損失嚴(yán)重，目前在實(shí)際的商業(yè)應(yīng)用中還是很成熟 。 ■智能系統(tǒng) 移動(dòng)平臺(tái)自由移動(dòng)！樣品蓋開(kāi)啟和關(guān)閉全自動(dòng)化操作。 ■應(yīng)用領(lǐng)域 針對(duì) RoHS檢測(cè)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā) 【 EDX3000C】 ■探測(cè)器 采用國(guó)際上先進(jìn)的由美國(guó)生產(chǎn)的半導(dǎo)體制冷的最新型探測(cè)器，電制冷，無(wú)需液氮制冷，可附加信噪比增強(qiáng)器。 (以塑膠標(biāo)樣為準(zhǔn) ) 【 EDX2800】 ■ 針對(duì) RoHS檢測(cè)設(shè) 計(jì)開(kāi)發(fā) ■ 全球體積最小的Ｘ?zé)晒夤庾V儀之一，便于攜帶，可在室內(nèi)外作業(yè) 。 50ppm； 100ppm左右的樣品，其測(cè)量精度偏差為177。 【 EDX3000D】 RoHS專(zhuān)用設(shè)備簡(jiǎn)介 ■探測(cè)器 采用國(guó)際上先進(jìn)的由美國(guó)生產(chǎn)的半導(dǎo)體制冷的最新型探測(cè)器，電制冷，無(wú)需液氮制冷，探測(cè)器內(nèi)置信噪比增強(qiáng)器。如：檢測(cè)機(jī)構(gòu)等單位使用。同時(shí)，測(cè)試用樣品的元素干擾降低 X熒光鍍層不同配置特點(diǎn) 缺點(diǎn)： 探測(cè)窗口較小，一般只有幾個(gè)平方毫米的探測(cè)面積，測(cè)試樣品時(shí)，光斑面積不能太小，否則測(cè)試的統(tǒng)計(jì)誤差將加大。 由于硅鋰漂移的探測(cè)器必須采用液氮制冷方式，所以在鍍層設(shè)備中沒(méi)有廠家采用這種探測(cè)器，多采用后兩種。Zn/Fe。這一點(diǎn)是其他探測(cè)器無(wú)法做到的。 缺點(diǎn)： 由于 Z軸方向不可調(diào)，對(duì)復(fù)雜樣品表面不平整的不易測(cè)量，如：對(duì)凹型樣品不易測(cè)量，所以多用于表面平整的樣品測(cè)量。 雖然也可以實(shí)現(xiàn)三維移動(dòng)控制，但制造比上照射的設(shè)備復(fù)雜得多，所以一般都不采用三維控制方式。 缺點(diǎn)：由于三維移動(dòng)的范圍有限，所以測(cè)試的樣品的大小受到一定限制，凹形樣品深度有限制。 此類(lèi)設(shè)備必須實(shí)現(xiàn)三維移動(dòng)控制，即： X、 Y軸方向調(diào)整樣品測(cè)試位置，或確定樣品的連續(xù)測(cè)量點(diǎn)； Z軸方向用于確定射線照射光斑的焦點(diǎn)，確保測(cè)量的準(zhǔn)確性。 缺點(diǎn)： 由于采用數(shù)學(xué)校對(duì)的方法，因此其測(cè)量的精確度很低，結(jié)果往往只能作為參考。即基本參數(shù)法。 X熒光鍍層不同配置特點(diǎn) 一、軟件特點(diǎn) 鍍層厚度的測(cè)量可分為標(biāo)準(zhǔn)曲線法和 FP法 (基本參數(shù)法 )2種 標(biāo)準(zhǔn)曲線法 標(biāo)準(zhǔn)曲線法是測(cè)量已知厚度的標(biāo)準(zhǔn)樣品，根據(jù)熒光 X射線的能量和強(qiáng)度及相應(yīng)鍍層厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系，來(lái)得到標(biāo)準(zhǔn)曲線。 可以將 X射線照射在樣品的光斑調(diào)到很小的地步（最小可以達(dá)到微米級(jí)，因此，超小樣品的測(cè)試非常容易。 對(duì)分析的多鍍層每層之間的材料，要求有明顯的區(qū)別，即，每層樣品元素有明顯的差別 由于 X熒光是通過(guò)特征 X射線，對(duì)被測(cè)樣品進(jìn)行厚度分析的，因此每層鍍層的材料應(yīng)有明顯的區(qū)別。 可分析合金鍍層厚度 如果合金鍍層成分穩(wěn)定，選擇合適的對(duì)比分析樣品，就可以準(zhǔn)確的分析出合金鍍層的厚度。 可測(cè)試超薄鍍層，如：在測(cè)試鍍金產(chǎn)品時(shí)，最低可測(cè)試，這是其他測(cè)厚設(shè)備無(wú)法達(dá)到的。 多鍍層分析所需要的條件，必須有所測(cè)試鍍層的無(wú)限厚樣品、各個(gè)鍍層的薄膜標(biāo)樣、多鍍層標(biāo)樣，否者鍍層分析無(wú)法達(dá)到要求。 ，可以達(dá)到對(duì)樣品的無(wú)鹵測(cè)試要求，檢出限可達(dá)到 15ppm X熒光在 RoHS檢測(cè)中的作用（ 4） ? 綜上所述 ， X熒光是電子行業(yè)企業(yè)中最適用的環(huán)保檢測(cè)設(shè)備 ，它更適合企業(yè)的品質(zhì)檢驗(yàn)過(guò)程中，對(duì)產(chǎn)品制造過(guò)程起到監(jiān)督、監(jiān)控的作用。儀器的主要備件采用 OEM采購(gòu)，所 以，備件成本比同類(lèi)產(chǎn)品低，同時(shí)備件的定購(gòu)儲(chǔ)備量充足。這樣才可以大大提高對(duì)進(jìn)貨原材料的環(huán)保評(píng)測(cè)的可靠性。對(duì)懷疑的或者超標(biāo)的樣品，再次作化學(xué)分析。其特點(diǎn)為： a) 測(cè)試判斷為環(huán)保的樣品，其均為環(huán)保產(chǎn)品 b) 如果測(cè)試結(jié)果為不環(huán)保，并不代表其樣品為不環(huán)保的產(chǎn)品。 ④、對(duì)操作人員要求較高 ⑤、需要各種樣品前處理設(shè)備，如：微波消解爐、通 風(fēng)柜、加熱板。等離子炬形成后，從內(nèi)管通入載氣，在等離子炬的軸向形成一通道。 ＩＣＰ等離子發(fā)射光譜原理（ 2） 電感耦合高頻等離子體裝置 ?它是由高頻發(fā)生器、等離子炬管和霧化器等三部分組成 ?當(dāng)高頻電源與圍繞在等離子炬管外的負(fù)載感應(yīng)線圈（用圓銅管或方銅管繞成 2－ 5匝的水冷卻線圈）接通時(shí)，高頻感應(yīng)電流流過(guò)線圈，產(chǎn)生軸向高頻磁場(chǎng)。 常見(jiàn)問(wèn)題實(shí)例（ 2） 第三章 RoHS的常規(guī)檢測(cè)方法與特點(diǎn) RoHS的常規(guī)檢測(cè)方法 檢測(cè)方法（借鑒 IEC62321文件） 檢測(cè)項(xiàng)目 快速篩選方法 化學(xué)分析方法 Pb（鉛） EDX（ X熒光分析儀） ICP（等離子發(fā)射光譜）、 AAS（ 原子吸收分光光度計(jì)） Cd（鎘） EDX（ X熒光分析儀） ICP（等離子發(fā)射光譜）、 AAS（ 原子吸收分光光度計(jì)） Hg（汞） EDX（ X熒光分析儀） ICP（等離子發(fā)射光譜）、 AAS（ 原子吸收分光光度計(jì)） Cr+6 （六價(jià)鉻） 顯色定性法 （二苯咔吧肼） UV（紫外可見(jiàn)光分光光度計(jì)） PBB 無(wú)（均采用 X熒光測(cè)試總溴，低于 320ppm為絕對(duì)環(huán)保） GC/MS(氣質(zhì)聯(lián)動(dòng)儀） PBDE RoHS中 6種有害物質(zhì)的檢測(cè)方法 檢測(cè)方法的特點(diǎn) 檢測(cè)設(shè)備區(qū)別（借鑒 IEC62321文件） 測(cè)試設(shè)備 測(cè)試物質(zhì) 測(cè)試精度 前處理要求