led芯片制程(文件)
【正文】 對應(yīng)的集合圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜不限的目的。15刻蝕光刻膠刻蝕技術(shù)濕法干法化學(xué)刻蝕電解刻蝕離子束濺射刻蝕（物理作用）等離子體刻蝕（化學(xué)作用）反應(yīng)離子刻蝕（物理化學(xué)作用）16去膠強(qiáng)氧化劑或等離子體光刻膠濕法去膠：非金屬用濃硫酸去膠，金屬用有機(jī)溶劑去膠。 光刻膠刻蝕 去膠18N電極光刻光刻膠19N電極蒸發(fā)金屬分子歐姆接觸電極的方法主要有 :(1)液體金屬法 。 (5)物理蒸發(fā)法。 劃片 ,裂片工作流程圖劃片前晶片背面劃片后背面劃片后 ,側(cè)視圖裂片后 ,側(cè)視圖31測試分檢32LED:What’s inside?電極LED芯片透明環(huán)氧樹脂圓頂金線有反射碗的陰極桿設(shè)計(jì) 生長 加工 封裝 檢測封裝好的 LED LED的組成部分工藝流程 :33問題：我們研究 LED的突破口和關(guān)鍵點(diǎn)在哪兒？34發(fā)展階段 年份 發(fā)展進(jìn)程 發(fā)光效率（ lm/w）應(yīng)用領(lǐng)域指示應(yīng)用1962 GaAsP紅光 LED（樣品） 指示燈1965 GaAsP紅光 LED 1968 GaAsP紅、橙、 黃光 LED 19701980 GaAsP高效紅、黃光、 GaP綠、紅光1 指示燈、計(jì)算器、數(shù)字手表信號顯示19801985 AlGaAs橙黃、 綠、紅光 LED 5 室外信號顯示、條形碼系
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