蔡微機(jī)原理及應(yīng)用(文件)
【正文】 沖器 為了擴(kuò)充存儲(chǔ)器系統(tǒng)的容量 ， 常常需要將幾片 RAM芯片的數(shù)據(jù)線(xiàn)并聯(lián)使用或與雙向的數(shù)據(jù)線(xiàn)相連 。 ?可擦除可編程 ROM（ EPROM） 用戶(hù)可以多次寫(xiě)，速度慢，需要一些條件。當(dāng)柵極電容 C上充有電荷時(shí)，表示該存儲(chǔ)單元保存信息 “ 1”。 ? ：讀／寫(xiě)控制信號(hào)輸入 ? I/O1~I/O5 ： 5根數(shù)據(jù)輸入／輸出信號(hào)引腳 ， ? ： 低電平有效 ， 通常接地址譯碼器的輸出端 。 2．微型計(jì)算機(jī)中常用的存儲(chǔ)器有哪些類(lèi)型？它們各有何特點(diǎn)？分別適用于哪些場(chǎng)合？ 3．試比較靜態(tài) RAM和動(dòng)態(tài) RAM的優(yōu)缺點(diǎn) ？ 4． 存儲(chǔ)器的哪一部分用來(lái)存儲(chǔ)程序指令及像常數(shù)和查找表一類(lèi)的固定不變的信息 ？及哪一部 分用來(lái)存儲(chǔ)經(jīng)常改變的數(shù)據(jù) ？ 。 ? GND：地 。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 靜態(tài) RAM 存儲(chǔ)矩陣 地址譯碼器 地址寄存器 地址總線(xiàn) 讀寫(xiě)放大器 數(shù)據(jù)寄存器 數(shù)據(jù)總線(xiàn) 控制電路 OE WE CE RAM芯片的結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 靜態(tài) RAM ?RAM的特點(diǎn) 讀寫(xiě)速度快 所用管子數(shù)目多，單個(gè)器件容量小 T T2總有一個(gè)處于到通狀態(tài)，功耗較大 P243 圖 5－ 2 靜態(tài) RAM存儲(chǔ)器芯片 Intel 2115 Intel 2115是一種1K 5的靜態(tài) RAM存儲(chǔ)器芯片，其最基本的存儲(chǔ)單元就是六管存儲(chǔ)電路。 RAM 靜態(tài) RAM（ SRAM） 是由兩個(gè)增強(qiáng)型的 NM0S反相器交叉耦合而成的觸發(fā)器，每個(gè)基本的存儲(chǔ)單元由六個(gè) MOS管構(gòu)成，所以，靜態(tài)
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