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正文內(nèi)容

蔡微機(jī)原理及應(yīng)用(存儲版)

2024-10-24 20:00上一頁面

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【正文】 號輸入 ? I/O1~I/O5 : 5根數(shù)據(jù)輸入/輸出信號引腳 , ? : 低電平有效 , 通常接地址譯碼器的輸出端 。 ?可擦除可編程 ROM( EPROM) 用戶可以多次寫,速度慢,需要一些條件。 行列選擇線交叉處即為所選中的內(nèi)存單元 。 存儲器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 1 基本存儲單元 一個(gè)基本存儲單元可以存放一位二進(jìn)制信息,其內(nèi)部具有兩個(gè)穩(wěn)定的且相互對立的狀態(tài),并能夠在外部對其狀態(tài)進(jìn)行識別和改變。 2. 按存取方式分類 隨機(jī)存取存儲器、只讀存儲器兩種形式。按照存放信息原理的不同 , 隨機(jī)存儲器又可分為靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種 。 存儲器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 3. 地址譯碼器 每個(gè)存儲單元一般存放 8位二進(jìn)制信息,為了加以區(qū)分,我們必須首先為這些存儲單元編號,即分配給這些存儲單元不同的地址。 5. I/O電路 I/O電路位于系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線與被選中的存儲單元之間 , 用來控制信息的讀出與寫入 , 還可包含對 I/O信號的驅(qū)動(dòng)及放大處理功能 。 動(dòng)態(tài) RAM( DRAM) 一個(gè)動(dòng)態(tài) RAM的基本存儲單元,它由一個(gè) MOS管 T1和位于其柵極上的分布電容 c構(gòu)成。 動(dòng)態(tài) RAM 半導(dǎo)體存儲器 行選擇信號 列選擇信號 數(shù)據(jù)輸入輸出線 刷新放大器 單管動(dòng)態(tài)存儲電路 動(dòng)態(tài) RAM 半導(dǎo)體存儲器 存儲矩陣 地址總線 I/O緩沖器 數(shù)據(jù)總線 讀寫控制 /動(dòng)態(tài)刷新電路 RAS RAM芯片的結(jié)構(gòu) 地址鎖存器 CAS WE 動(dòng)態(tài) RAM( DRAM) 半導(dǎo)體存儲器 ?DRAM的特點(diǎn)
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