【摘要】半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)與起源(~1900)在二十世紀(jì)的近代科學(xué),特別是量子力學(xué)發(fā)展知道金屬材料擁有良好的導(dǎo)電與導(dǎo)熱特性,而陶瓷材料則否,性質(zhì)出來(lái)之前,人們對(duì)于四周物體的認(rèn)識(shí)仍然屬于較為巨觀的瞭解,那時(shí)已經(jīng)介于這兩者之間的,就是半導(dǎo)體材料。英國(guó)科學(xué)家法拉第(MIChaelFaraday,1791~1867),在電磁學(xué)方面擁有許多貢獻(xiàn),為人所知的,則是他在1833年發(fā)現(xiàn)的其中一種半
2025-04-04 02:20
【摘要】半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析組員:93114114林怡欣93114124蔡松展93114251謝瑋璘93114169蔡文杰目錄III半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)V.邏輯ICVI.記憶體VII.臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況半導(dǎo)體的定義所謂的半導(dǎo)體,是指在某些情況下,
2025-10-02 21:13
【摘要】1新進(jìn)人員半導(dǎo)體流程簡(jiǎn)介HRTRNPresentedby2ITEM?L/F導(dǎo)線架封裝?BGA球閘陣列封裝?IC封裝前段流程介紹?IC封裝后段流程介紹3L/F(LEADFRAME)導(dǎo)線架封裝LEADFRAME導(dǎo)線架,又可稱為"釘架",是在IC晶片封裝時(shí)所
2025-01-06 09:23
【摘要】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體,根據(jù)對(duì)導(dǎo)電性的影響,雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié),在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型(或p型)半導(dǎo)體單晶上,
2025-07-25 02:12
【摘要】LogoIntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝介紹LogoIntroductionofICAssemblyProcess一、概念半導(dǎo)體芯片封裝是指利用膜技術(shù)及細(xì)微加工技術(shù),將芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘貼固定及連接,引出接線端子并通過(guò)可塑性絕緣介質(zhì)灌封固
2025-02-26 01:37
【摘要】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)晶體三極管場(chǎng)效應(yīng)管單結(jié)晶體管和晶閘管半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦运?、PN結(jié)的電容效應(yīng)一、本征半導(dǎo)體根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體-鐵、鋁、銅等金屬元素
2025-08-04 09:14
【摘要】1半導(dǎo)體光催化的應(yīng)用2?光催化分解水研究;?染料敏化太陽(yáng)能電池;?環(huán)境保護(hù)等領(lǐng)域的研究。3HydrogenStorageFuelCellWaterINO2H2O2WaterOUTH2ElectrolysisPhotovoltaicsPhotosynthesisPh
2025-01-12 04:10
【摘要】......?化合物射頻半導(dǎo)體:百億美元空間、持續(xù)穩(wěn)健成長(zhǎng)。,%。,%。砷化鎵器件應(yīng)用于消費(fèi)電子射頻功放,是3G/4G通訊應(yīng)用的主力,物聯(lián)網(wǎng)將是其未來(lái)應(yīng)用的藍(lán)海;氮化鎵器件則以高性能特點(diǎn)目前廣泛應(yīng)用于基站、雷達(dá)、電子戰(zhàn)等軍工領(lǐng)域,利潤(rùn)率高且
2025-06-23 05:28
【摘要】 半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿w論大陸是未來(lái)半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿ψ畲蟮牡貐^(qū)之一,預(yù)計(jì)到公元2005年將占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的13%,是世界半導(dǎo)體業(yè)者兵家必爭(zhēng)之地,更是臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者追求永續(xù)發(fā)展不能不正視的市場(chǎng)?! C產(chǎn)業(yè)從上游的設(shè)計(jì)到下游之封裝、測(cè)試,每個(gè)階段都能夠獨(dú)立作業(yè),也都可以分開在世界各地尋求最適當(dāng)?shù)纳a(chǎn)資源生產(chǎn)之,以提高競(jìng)爭(zhēng)力,因此
2025-06-29 14:32
【摘要】目錄第一篇、產(chǎn)業(yè)綜合篇一、十年風(fēng)雨十年路,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展回顧和展望工業(yè)和信息化部電子信息司司長(zhǎng)丁文武二、對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的思考中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)名譽(yù)理事長(zhǎng)、科技顧問(wèn)俞忠鈺三、加強(qiáng)科技創(chuàng)新是發(fā)展我國(guó)集成電路的關(guān)鍵中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)教授王陽(yáng)元四、硅芯片業(yè)的一個(gè)重要方向中國(guó)工程院院士、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司
2025-06-28 23:31
【摘要】半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)實(shí)踐總結(jié)報(bào)告一、實(shí)踐目的半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)及儀器集中學(xué)習(xí)是在課堂結(jié)束之后在實(shí)習(xí)地集中的實(shí)踐性教學(xué),是各項(xiàng)課間的綜合應(yīng)用,是鞏固和深化課堂所學(xué)知識(shí)的必要環(huán)節(jié)。學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件與集成電路性能參數(shù)的測(cè)試原理、測(cè)試方法,掌握現(xiàn)代測(cè)試設(shè)備的結(jié)構(gòu)原理、操作方法與測(cè)試結(jié)果的分析方法,并學(xué)以致用、理論聯(lián)系實(shí)際,鞏固和理解所學(xué)的理論知識(shí)。同時(shí)了解測(cè)試技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢(shì)以及本專業(yè)的發(fā)展
2025-03-26 02:55
【摘要】一、填充題1.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,?費(fèi)米能級(jí)較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶正電達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級(jí)相等。2.半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央,其導(dǎo)帶極小值位于【100】,因此屬于間接帶隙半導(dǎo)體。3.晶體中缺陷一般可分為三類:點(diǎn)缺陷,如空位間
2025-01-14 18:45
【摘要】半導(dǎo)體物理習(xí)題解答(河北大學(xué)電子信息工程學(xué)院席礪莼)1-1.(P32)設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價(jià)帶極大值附近能量Ev(k)分別為:Ec(k)=+和Ev(k)=-;m0為電子慣性質(zhì)量,k1=1/2a;a=。試求:①禁帶寬度;②導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量;③價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量;④價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的變化。[解]①禁帶寬度
2025-01-14 18:50
【摘要】JobTitlePriorityJobDescriptionSalaryBudgetRecruitingStatusVacancyOwnerSalesDirector,GCSetTopBoxHighJobDuties:Responsibleforoverseeingthesaleofall??
2025-06-30 19:30
【摘要】一、判斷下列說(shuō)法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()(3)PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。()(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。()
2025-06-23 17:39