第422場效應管及基本放大電路(文件)
【正文】 ) iD(mA) 當 VGS變化時， RON將隨之變化，因此稱之為 可變電阻區(qū) 恒流區(qū) (放大區(qū)，飽和區(qū) )： VGS一定時，iD基本不隨 VDS變化而變化。 直流通道及靜態(tài)工作點 Q估算 CCb2b1b2B VRRRU??IBQ=ICQ/? UCEQ = VCC ICRC IERe ICQ? IEQ=UE/Re = （ UB UBE） / Re(基本不變 ) UBE ? +VCC Rb1 RC Rb2 Re IC IE IB UCE 電容開路 ,畫出直流通路 基極分壓射極偏置電路穩(wěn) Q條件： Ib1≈ Ib2﹥﹥ IB 求靜態(tài)工作點 Q(放大區(qū) ) Q點： VGS 、 ID 、 VDS 1. 因為 MOSFET的柵極電流 IG為零 (反偏 )，與 G極相連的支路可看成開路。設 R1=30kΩ， R2=20k Ω， RD=20k Ω， VDD=5V， VTN=1V， Kn=。 電路如圖所示。 另兩種假設（電阻區(qū)或截止區(qū)）導致無解。要求 ID=.(采用標準電阻 ) 例 ：設計 MOSFET電路的直流偏置，滿足漏極電流的特定要求。 電路如圖 (a)所示。 常稱這種連接電路為 增強型負載 電路（這種稱法在下一章作詳細解釋）。 解：由于場效應管工作于放大區(qū)，所以 2)( VVKI TNGSnD ?? RIVV SDDDGSDS V ??? 由上兩式可得 2)( VVRKV TNGSSnDDGS V ???2)( ???? GSGS VV解得 （舍去）或 ??? GSGS VVmA2 1 ?? DDS IV 。 電路如圖 。 驗證是否工作在放大區(qū)： 將 N溝道增強型 MOSFET像圖 樣連接的電路應用較為廣泛。 )210(10)()5(5 ??????????
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1