正文內(nèi)容

第422場效應(yīng)管及基本放大電路(文件)

2025-05-22 22:04 上一頁面

下一頁面

　

【正文】 ) iD(mA) 當(dāng) VGS變化時， RON將隨之變化，因此稱之為可變電阻區(qū) 恒流區(qū) (放大區(qū)，飽和區(qū) )： VGS一定時，iD基本不隨 VDS變化而變化。直流通道及靜態(tài)工作點 Q估算 CCb2b1b2B VRRRU??IBQ=ICQ/? UCEQ = VCC ICRC IERe ICQ? IEQ=UE/Re = （ UB UBE） / Re(基本不變 ) UBE ? +VCC Rb1 RC Rb2 Re IC IE IB UCE 電容開路 ,畫出直流通路基極分壓射極偏置電路穩(wěn) Q條件： Ib1≈ Ib2﹥﹥ IB 求靜態(tài)工作點 Q(放大區(qū) ) Q點： VGS 、 ID 、 VDS 1. 因為 MOSFET的柵極電流 IG為零 (反偏 )，與 G極相連的支路可看成開路。設(shè) R1=30kΩ， R2=20k Ω， RD=20k Ω， VDD=5V， VTN=1V， Kn=。電路如圖所示。另兩種假設(shè)（電阻區(qū)或截止區(qū)）導(dǎo)致無解。要求 ID=.(采用標準電阻 ) 例：設(shè)計 MOSFET電路的直流偏置，滿足漏極電流的特定要求。電路如圖 (a)所示。常稱這種連接電路為增強型負載電路（這種稱法在下一章作詳細解釋）。解：由于場效應(yīng)管工作于放大區(qū)，所以 2)( VVKI TNGSnD ?? RIVV SDDDGSDS V ??? 由上兩式可得 2)( VVRKV TNGSSnDDGS V ???2)( ???? GSGS VV解得（舍去）或 ??? GSGS VVmA2 1 ?? DDS IV 。電路如圖。驗證是否工作在放大區(qū)：將 N溝道增強型 MOSFET像圖樣連接的電路應(yīng)用較為廣泛。 )210(10)()5(5 ??????????

點擊復(fù)制文檔內(nèi)容

教學(xué)課件相關(guān)推薦

場效應(yīng)管的高頻等效模型54單管放大電路的頻率響應(yīng)-資料下載頁

【摘要】第五章放大電路的頻率響應(yīng)場效應(yīng)管的高頻等效模型場效應(yīng)管各極之間存在極間電容，其高頻等效模型如下：一般情況下，rgs和rds比外接電阻大得多，可認為是開路。Cgd可進行等效變化，使電路單向化。第五章放大電路的頻率響應(yīng)Cgd等效變化：g-s之間的等效電容為d-s之間的等效電容為)(1Lmgdds

2025-05-15 00:20

場效應(yīng)管ppt課件(2)-資料下載頁

【摘要】場效應(yīng)管與雙極型晶體管不同，它是多子導(dǎo)電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。結(jié)型場效應(yīng)管JFET絕緣柵型場效應(yīng)管MOS場效應(yīng)管有兩種:N溝道P溝道耗盡型增強型耗盡型增強型N溝道P溝道§5場效應(yīng)管放大電路G(柵極)S源極D漏極1、結(jié)構(gòu)結(jié)型場效應(yīng)管(

2025-01-14 13:04

第四章場效應(yīng)管放大器-資料下載頁

【摘要】第四章場效應(yīng)管放大器場效應(yīng)管放大電路結(jié)型場效應(yīng)管-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管場效應(yīng)管BJT是一種電流控制元件(iB~iC)，工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，所以被稱為雙極型器件。場效應(yīng)管（FieldEffectTransistor簡稱FET）是一種電壓控制器件(uGS~iD)，工

2025-08-05 10:36

場效應(yīng)管feppt課件-資料下載頁

【摘要】場效應(yīng)管FieldEffectTransistor、命名、標識、結(jié)構(gòu)MOSFET的基本知識場效應(yīng)管是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的半導(dǎo)體器件。這種器件不僅兼有體積小、重量輕、耗電省、封裝外型腳數(shù)少、散熱好、壽命長等特點，而且還有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好

2025-05-03 22:02

清華大學(xué)160;模擬電子技術(shù)第04章160;場效應(yīng)管放大電路160;34頁-資料下載頁

【摘要】4章場效應(yīng)管放大電路場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體三極管是由一種載流子導(dǎo)電的、用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來劃分，它有自由電子導(dǎo)電的N溝道器件和空穴導(dǎo)電的P溝道器件。按照場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)劃分，有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管兩大類。

2025-09-26 00:21

場效應(yīng)管識別與檢測-資料下載頁

【摘要】1常用電子元器件-場效應(yīng)管2場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.特點:具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大

2025-05-10 23:11

jfet結(jié)型場效應(yīng)管-資料下載頁

【摘要】一、結(jié)型場效應(yīng)管?1、結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)?N溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)如圖(a)所示，它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個PN結(jié)，形成兩個PN結(jié)夾著一個N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個P區(qū)連接在一起為柵極G，N型硅的一端是漏極D，另一端是源極S。P溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)如圖(b)所示請看動

2025-07-25 17:47

結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別-資料下載頁

【摘要】....·　　結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別　　(1)從包裝上辨別　　由于絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極易被擊穿損壞，所以管腳之間一般都是短路的或是用金屬箔包裹的；而結(jié)型場效應(yīng)管在包裝上無特別要求?！　?2)用指針式萬用表的電阻檔測量　　用萬用表的“R譴

2025-04-02 00:11

結(jié)型場效應(yīng)管ppt課件-資料下載頁

【摘要】NPPg(柵極)s源極d漏極N溝道結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)基底：N型半導(dǎo)體兩邊是P區(qū)導(dǎo)電溝道dgs結(jié)型場效應(yīng)管PNNg(柵極)s源極d漏極P溝道結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)基底：P型半導(dǎo)體兩邊是N區(qū)導(dǎo)電溝道dgsN

2025-05-03 04:06

場效應(yīng)管電源設(shè)計ppt課件-資料下載頁

【摘要】1第四章晶體管及其小信號放大－場效應(yīng)管放大電路電子電路基礎(chǔ)2§4場效應(yīng)晶體管及場效應(yīng)管放大電路§場效應(yīng)晶體管(FET)N溝道P溝道增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道

2025-05-07 00:12

單端a類放大器及場效應(yīng)管-資料下載頁

【摘要】單端A類放大器及場效應(yīng)管（2）?3?場效應(yīng)管的主要參數(shù)及選用：　　為了正確安全運用場效應(yīng)管，防止靜電、誤操作或儲存不當(dāng)而損壞場效應(yīng)管，必須對場效應(yīng)管主要參數(shù)有所了解和掌握。場效應(yīng)管的參數(shù)多達幾十種，現(xiàn)將主要參數(shù)及含義列于表1

2025-08-17 08:27