【正文】 scope 掃描隧道顯微鏡 STS scanning tunneling spectrograph 掃描隧道譜 TA thermal analysis 熱分析 TEM transmission electron microscope 透射電子顯微鏡 TG thermogravimetry 熱重法 TMA thermomechanical analysis 熱機械分析法 TOFSIMS timeofflight SIMS 飛行時間二次離子質(zhì)譜 UPS ultravioletphotoelectron spectroscopy 紫外光電子能譜 ultraviolet amp。 相對靈敏度不高（ 只能測樣品 ω＞ %的組分 ） ， 絕對靈敏度高 （ 痕量分析 ） 難于準確定量 結(jié)構(gòu)分析與物質(zhì)分析研究 結(jié)構(gòu)定性分析 [確定元素的化學狀態(tài) （ 環(huán)境 ） —— 元素存在于何種化合物中 （ 常與 XPS結(jié)合分析 ） ] [確定元素的化學狀態(tài)（ 環(huán)境 ） （ 常與 AES結(jié)合分析 ） ]； [角分辨光電子譜（ ARXPS） ]； （ 軌道 ） 結(jié)構(gòu)分析 （ 軌道結(jié)構(gòu)特征 、 電子量子數(shù)檢測 、 自旋 軌道偶合 、 多重分裂研究等 ） ； （ CT） 現(xiàn)象的研究 （ 簡單混合物組分 、 某些同分異構(gòu)體鑒定等 ） ； [角分辨光電子譜 （ ARUPS或 UARPS） ]； （ 項目同 XPS） ； 轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)分析 [振動精細結(jié)構(gòu) （ 高分辨UPS） ]等； （ 小的原子聚集體 ） 的 UPS研究 （ 原子簇價帶測定等 ） 固體表面分析 （ EAES：微區(qū)分析 、 點分析 、 線分析 、面分析 、 深度分析 ） ； 化學研究 （ 如：表面碳的存在形態(tài)鑒定 ， 表面內(nèi)氫的狀態(tài)分析 ， 含硅化合物的電子結(jié)構(gòu)分析 ， 催化劑結(jié)構(gòu)分析， 銅合金腐蝕機理研究等 ） （ 可作深度拋析 ） ； （ 如半導體能帶結(jié)構(gòu)測定等 ） ； [如：元素存在的化學狀態(tài) ， 粉末樣品氧化層厚度測定與層狀結(jié)構(gòu)分析 （ ARXPS） 等 ] （ 如聚合物價帶結(jié)構(gòu)分析等 ） ； [表面原子排列與電子結(jié)構(gòu)分析 （ 表面馳豫與重構(gòu) ） ，表面吸附性質(zhì) 、 表面催化機理研究等 ] 固體樣品探測深度 約 ～ 2nm（ 俄歇電子能量50～ 2022eV范圍內(nèi) ） （ 與電子能級及樣品材料有關 ） 約 ～ （ 金屬及金屬氧化物 ） ；約 4～ 10nm（ 有機物和聚合材料 ） 約 ～ 2nm（ 光電子能量 10～ 100eV范圍內(nèi) ） 附表 分析方法（縮寫） 樣品 基本分析項目與應用 應用特點 原子發(fā)射光譜分析(AES) 固 體 與 液體樣品 ，分 析 時 被蒸發(fā) 、 解離 為 氣 態(tài)原子 元素定性分析 、 半定量分析與定量分析（ 可測所有金屬和譜線處于真空紫外區(qū)的 C、 S、 P等非金屬共七八十種元素 。 作為重要輔助手段可與IR、 NMR等進行配合進行有機化合物鑒定和結(jié)構(gòu)分析 續(xù)附表 9 紅外吸收光譜分析（ IR） 氣、液、固體（薄膜）樣品（需經(jīng)樣品制備過程） [已知物驗證 ， 化合物純度鑒定 ， 未知物結(jié)構(gòu)鑒別 （ 常用于結(jié)構(gòu)相近化合物鑒別 ） ] （ 確定分子結(jié)構(gòu)等） ； （ 單組分和多組分含量 ）； （ 高分子聚合過程 、涂料成膜過程 、 高聚物光熱老化過程等 ） 適用于分子 （ 基團 ） 振動中伴有偶極矩變化的有機化合物分析 。 儀器價格高 ， 相對靈敏度較差 ， 定量分析應用尚不廣泛 激光拉曼光譜分析 氣體 、 液體 、 固體樣品 （ 判斷有機化合物結(jié)構(gòu)即結(jié)構(gòu)鑒定 ） ； （ 幾何構(gòu)型等 ） ； 3. 高聚物研究 （ 結(jié)晶度 、 取向性 、碳鏈結(jié)構(gòu)等 ） 適用于沒有偶極矩變化的有機化合物分析 ， 因而與 IR配合成為判斷有機化合物的重要手段 。 直接法只適用于具有熒光性質(zhì)的物質(zhì)分析 （ 芳香族有機化合物 、 稀土元素離子等 ） 核磁共振波譜分析（ NMR） 液體（固體樣品配制溶液） （ 有機化合物結(jié)構(gòu)鑒定 ） ； （ 化合物組分 、 混合物組分含量 ） ； ； 結(jié)構(gòu)分析的重要手段 ， 可用以研究反應過程與機理 。 靈敏度不夠高 ， 只能分析含量在%以上的元素 紫外、可見吸收光譜分析 （ UV、 VIS） 一 般 用 液體 （ 樣品配制溶液 ） （ 有機化合物鑒定和結(jié)構(gòu)分析 ） ； 2.（ 某些 ） 有機化合物構(gòu)型和構(gòu)象的測定； （ 單一物質(zhì) ， 化合物組分 ， 混合物組分含量 ） ； 4. 化學和物理數(shù)據(jù)測定 （ 氫鍵強度、 化合物相對分子質(zhì)量測定等 ） 主要用于有機化合物微量和常量組分定量分析 。 典型應用： RHEED監(jiān)控人造超晶格材料的生長 （ 分子束外延 、 原子層外延或分子層外延生長等 ） 附表 6. 電子顯微分析方法 方法或儀器名稱（縮寫） 技術(shù)基礎 （分析原理） 檢測信息 （物理信號） 樣品 基本應用 透射電鏡 （ TEM） 透射和衍射 透射電子和衍射電子 薄膜和 復型膜 （ 顯微組織 、 晶體缺陷 ） ； ； （ 配附件 ） 高壓透射電鏡 （ HVEM） 透射和衍射 透射電子和衍射電子 薄膜和 復型膜 （ 顯微組織 、 晶體缺陷 ） ； ； （ 配附件 ） 與電子結(jié)構(gòu)分析 掃描電鏡 (SEM) 電子激發(fā)二次電子；吸收電子和背散射電子 二次電子、吸收電子和背散射電子 固體 1. 形貌分析 ［ 顯微組織 、 斷口形貌 、三維立體形態(tài) （ 通過深腐蝕 ）］ ； 2. 成分分析 （ 配附件 ） ； 3. 斷裂過程動態(tài)研究； 4. 結(jié)構(gòu)分析 掃描透射電鏡 (STEM) 透射和衍射 透射電子和衍射電子 薄膜和 復型膜 （ 顯微組織 、 晶體缺陷 ） ； ； （ 配附件 ） 與電子結(jié)構(gòu)分析 電子探針 （ EPMA） 電子激發(fā)特征 X射線 X光子 固體 （ 元素 ） 分析 （ 離表面 1～ 10μ m層內(nèi) ） ：點分析 、 線分析 、 面分析； 俄歇電子能譜 （ AES） 電子激發(fā)俄歇效應 俄歇電子 固體 成分分析 （ ≤ 1nm， 幾個原子層內(nèi) ） ：點分析 、 線分析 、 面分析 ， 并可做深度分析 場發(fā)射顯微鏡 (FEM) （電）場致電子發(fā)射 場發(fā)射電子 針尖狀（ 電極 ） 1. 晶面結(jié)構(gòu)分析； 、 擴散和脫附等分析 （分辨率一般可達 ， 最高小于 1nm） 續(xù)附表 6 場離子顯微鏡 （ FIM） 場電離 正離子 針尖狀（ 電極 ） （ 直接觀察原子排列組態(tài) ， 即結(jié)構(gòu)像 、 晶體缺陷像等 ） ； 、 表面重構(gòu) 、 擴散等分析 （ 分辨率可達 ） 原子探針 場離子顯微鏡 （ APFIM） 場蒸發(fā) 正離子 針尖狀（ 電極 ）