如何看懂mosfet規(guī)格書(文件)
【正文】 heet 上電氣參數(shù)第一個就是 V(BR)DSS，即 DS 擊穿電壓，也就是我們關心的 MOSFET 的耐壓 此處V(BR)DSS的最小值是600V，是不是表示設計中只要MOSFET上電壓不超過600V MOSFET就能工作在安全狀態(tài)? 相信很多人的答案是“是!”，曾經(jīng)我也是這么認為的，但這個正確答案是“不是!” 這個參數(shù)是有條件的，這個最小值600V是在Tj=25℃的值，也就是只有在Tj=25℃時，MOSFET上電壓不超過600V才算是工作在安全狀態(tài)。如何看懂MOSFET規(guī)格書 作為一個電源方面的工程師、技術人員，相信大家對 MOSFET 都不會陌生?！ OSFET V(BR)DSS是正溫度系數(shù)的，其實datasheet上有一張V(BR)DSS與Tj的關系圖(Table 17)，如下： 要是電源用在寒冷的地方，環(huán)境溫度低到40℃甚至更低的話，MOSFET V(BR)DSS值 所以在MOSFET使用中，我們都會保留一定的VDS的電壓裕量，其中一點就是為了考慮到低溫時MOSFET V(BR)DSS值變小了，另外一點是為了應對各種惡例條件下開關機的VDS電壓尖峰。但對于低壓MOSFET就有點不一樣了，很多低壓MOSFET的Vgs(th)在常溫時就很低，比如BSC010NE2LS的Vgs(th)~2V，這樣只要在Gate有一個很小的尖峰就可能誤觸發(fā)MOSFET開啟從而引起整個電源系統(tǒng)異常。怎樣轉換呢？有興趣的可以發(fā)表一下意見......2).最大脈沖電流限制，如下圖紅色線附近部分此部分為MOSFET的最大脈沖電流限制，). VBR(DSS)擊穿電壓限制，如下圖紅色線附近部分此部分為MOSFET VBR(DSS)的限制，最大電壓不能超過VBR(DSS) ==所以在雪崩時，SOA圖是沒有參考意義的4). 器件所能夠承受的最大的損耗限制，如下圖紅色線附近部分上述曲線是怎么來的？這里以圖中紅線附近的那條線（10us）來分析。在MOSFET的設計中也會采取各種措施去讓寄生三極管不起作用，如減小P+Body中的橫向電阻RB。通常對于全電壓的輸入，MOSFET耐壓(BVDSS)得選600V以上，一般會選擇650V。而Qg的大小直接影響到MOSFET的開關速度，選擇較小Qg的MOSFET有利于減小硬開關拓撲的開關損耗3). LLC諧振、移相全橋等軟開關拓撲：LLC、移相全橋等軟開關拓撲的軟開關是通過諧振，在MOSFET開通前讓MOSFET的體二極管提
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