如何看懂mosfet規(guī)格書(shū)(文件)
【正文】 heet 上電氣參數(shù)第一個(gè)就是 V(BR)DSS，即 DS 擊穿電壓，也就是我們關(guān)心的 MOSFET 的耐壓 此處V(BR)DSS的最小值是600V，是不是表示設(shè)計(jì)中只要MOSFET上電壓不超過(guò)600V MOSFET就能工作在安全狀態(tài)? 相信很多人的答案是“是!”，曾經(jīng)我也是這么認(rèn)為的，但這個(gè)正確答案是“不是!” 這個(gè)參數(shù)是有條件的，這個(gè)最小值600V是在Tj=25℃的值，也就是只有在Tj=25℃時(shí)，MOSFET上電壓不超過(guò)600V才算是工作在安全狀態(tài)。如何看懂MOSFET規(guī)格書(shū) 作為一個(gè)電源方面的工程師、技術(shù)人員，相信大家對(duì) MOSFET 都不會(huì)陌生?！ OSFET V(BR)DSS是正溫度系數(shù)的，其實(shí)datasheet上有一張V(BR)DSS與Tj的關(guān)系圖(Table 17)，如下： 要是電源用在寒冷的地方，環(huán)境溫度低到40℃甚至更低的話，MOSFET V(BR)DSS值 所以在MOSFET使用中，我們都會(huì)保留一定的VDS的電壓裕量，其中一點(diǎn)就是為了考慮到低溫時(shí)MOSFET V(BR)DSS值變小了，另外一點(diǎn)是為了應(yīng)對(duì)各種惡例條件下開(kāi)關(guān)機(jī)的VDS電壓尖峰。但對(duì)于低壓MOSFET就有點(diǎn)不一樣了，很多低壓MOSFET的Vgs(th)在常溫時(shí)就很低，比如BSC010NE2LS的Vgs(th)~2V，這樣只要在Gate有一個(gè)很小的尖峰就可能誤觸發(fā)MOSFET開(kāi)啟從而引起整個(gè)電源系統(tǒng)異常。怎樣轉(zhuǎn)換呢？有興趣的可以發(fā)表一下意見(jiàn)......2).最大脈沖電流限制，如下圖紅色線附近部分此部分為MOSFET的最大脈沖電流限制，). VBR(DSS)擊穿電壓限制，如下圖紅色線附近部分此部分為MOSFET VBR(DSS)的限制，最大電壓不能超過(guò)VBR(DSS) ==所以在雪崩時(shí)，SOA圖是沒(méi)有參考意義的4). 器件所能夠承受的最大的損耗限制，如下圖紅色線附近部分上述曲線是怎么來(lái)的？這里以圖中紅線附近的那條線（10us）來(lái)分析。在MOSFET的設(shè)計(jì)中也會(huì)采取各種措施去讓寄生三極管不起作用，如減小P+Body中的橫向電阻RB。通常對(duì)于全電壓的輸入，MOSFET耐壓(BVDSS)得選600V以上，一般會(huì)選擇650V。而Qg的大小直接影響到MOSFET的開(kāi)關(guān)速度，選擇較小Qg的MOSFET有利于減小硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞拈_(kāi)關(guān)損耗3). LLC諧振、移相全橋等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌篖LC、移相全橋等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞能涢_(kāi)關(guān)是通過(guò)諧振，在MOSFET開(kāi)通前讓MOSFET的體二極管提
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