內(nèi)層制作與檢驗(文件)
【正文】 使用何種銅面處理方式，各廠應(yīng)以產(chǎn)品的層次及製程能力來評估之，並無定論，但可預(yù)知的是化學(xué)處理法會更普遍，因細(xì)線薄板的比例愈來愈高。通常乳膠塗佈多少次,安定性高,用於大 ,且太厚時可能因厚薄不均而產(chǎn)生解像不良. (2).間接網(wǎng)版(Indirect Stencil) 把感光版膜以曝光及顯像方式自原始底片上把圖形轉(zhuǎn)移過來，然後把已有圖 形的版膜貼在網(wǎng)面上，待冷風(fēng)乾燥後撕去透明之載體護(hù)膜，即成間接性網(wǎng)版。 第三點(diǎn)是刮刀的長度，須比圖案的寬度每側(cè)長出3/4－1吋左右。 氯化銅蝕刻液比較 兩種藥液的選擇，視影像轉(zhuǎn)移製程中，Resist是抗電鍍之用或抗蝕刻之用。 B．操作條件 見表為兩種蝕刻液的操作條件 C. 設(shè)備及藥液控制 兩種 Etchant 對大部份的金屬都是具腐蝕性，所以蝕刻槽通常都用塑膠，如 PVC (Poly Vinyl chloride)或PP (Poly Propylene)。因為作用之蝕刻液Cu+濃度增高降低了蝕刻速度，須迅速補(bǔ)充 新液以維持速度。金屬銅可在銅溶液中被氧化而溶解，見下面反應(yīng)式（1） Cu176。 + H2CuCl4 + 2HCl → 2H2CuCl3 (2) 金屬銅 銅離子 亞銅離子 其中H2CuCl4 實際是 CuCl2 + 2HCl 2H2CuCl3 實際是 CuCl + 2HCl 在反應(yīng)式(2)中可知HCl是消耗品。由此可看出HCl是氯化銅蝕刻中的消耗品，而且 是蝕刻速度控制的重要化學(xué)品。 3. 有可能因此補(bǔ)充過多的氧化劑 (H2O2)，而攻擊鈦金屬H2O2 。 C. 有文獻(xiàn)指K(鉀)會攻擊錫，因此外層線路蝕刻前之剝膜液之選擇須謹(jǐn)慎評 估。兩者的對位度好壞，影響成品良率極大，也是M/L對關(guān)鍵。 B. Mass Lam System 沿用上一觀念Multiline發(fā)展出蝕後沖孔式的PPS系統(tǒng)，其作業(yè)重點(diǎn)如下： 光學(xué)靶點(diǎn)(Optical Target)以及四 、下底片仔細(xì)對準(zhǔn)固定後，如三明治做法，做曝光、顯影蝕刻， 剝膜等步驟。 Cure過程故pattern必須有預(yù)先放大的設(shè)計才能符合最終產(chǎn)品尺寸需求。AOI及測試後面有專題,在此不詳述. 內(nèi)層製作至此完成, 下一流程為壓合. 。因一旦完成壓合後,不幸仍有缺陷時,則已為時太晚,對於高層次板子而言更是必須先逐一保證其各層品質(zhì)之良好,始能進(jìn)行壓合, 由於高層板漸多,內(nèi)層板的負(fù)擔(dān)加重,且線路愈來愈細(xì),自動光學(xué)檢查(AOI)之使用在大廠中已非常普遍, 利用電腦將原圖案牢記,再配合特殊波長光線的掃瞄,而快速完美對各層板詳作檢查。 、即當(dāng)做鉚釘孔，內(nèi)層黑化後，即可以鉚釘將內(nèi)層及膠片 鉚合成冊，再去進(jìn)行無梢壓板。每個SLOT孔當(dāng)置放圓PIN後，因受溫壓會有變形時，仍能 自由的左右、上下伸展，但中心不變，故不會有應(yīng)力產(chǎn)生。 A. 四層板內(nèi)層以三明治方式，,黏貼於一壓條上(和內(nèi)層同厚), 緊貼於曝光檯面上，己壓膜內(nèi)層則放進(jìn)二底片間, 靠邊即可進(jìn)行曝光。注意事項如下： A. 硬化後之乾膜在此溶液下部份溶解，部份剝成片狀，
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