【正文】 子電路作為第一保護措施，快速熔斷器只作為短路時的部分區(qū)斷的保護，直流快速斷路器在電子電力動作之后實現(xiàn)保護，過電流繼電器在過載時動作?？烊鄣腎t值應(yīng)小于被保護器件的允許It值。短路保護方式是指快熔只要短路電流較大的區(qū)域內(nèi)起保護作用，此方式需與其他過電流保護措施相配合。其有效辦法是在晶閘管的陽極回路串聯(lián)入電感。這里介紹陽極伏安特性和門極伏安特性。 （2）門極伏安特性晶閘管的門極與陰極間存在著一個PN結(jié)J3，門極伏安特性就是指這個PN結(jié)上正向門極電壓Ug與門極電流Ig間的關(guān)系。（1）開通特性晶閘管由截止轉(zhuǎn)為導通的過程為開通過程。tgt=td+tr，～，～3μs。要關(guān)斷已導通的晶閘管，通常給晶閘管加反向陽極電壓。在選用管子時，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2～3倍，以保證電路的工作安全。的電路中，結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時，所允許的最大通態(tài)平均電流值。4掣住電流IL 晶閘管剛從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)并撤除門極觸發(fā)信號，此時要維持元件導通所需的最小陽極電流稱為掣住電流。6門極觸發(fā)電流Ig 。一般為每微秒幾十伏。9波形系數(shù)：有直流分量的電流波形，其有效值與平均值之比稱為該波形的波形系數(shù)，用Kf表示。1)整流輸出電壓平均值=== (531) 2)紋波系數(shù)紋波系數(shù)用來表示直流輸出電壓中相對紋波電壓的大小，即 （532） 元器件備注數(shù)量整流變壓器， 帶電阻負載的電路仿真圖19 帶電感負載的電路仿真圖7總結(jié)這次課程設(shè)計讓我明白了很多關(guān)于電力電子技術(shù)方面的知識，尤其是在課本中沒有完全介紹的。設(shè)計過程中，我明白了整流電路，尤其是單相全控橋式整流電路的重要性以及整流電路設(shè)計方法的多樣性。參考文獻[1] 王兆安，劉進軍. 電力電子技術(shù)[M]. 五版. 北京：機械工業(yè)出版社, [2] 黃忠霖. 電力電子技術(shù)的MATLAB實踐. 2009.[3] 洪乃剛. 電力電子和電力拖動控制系統(tǒng) MATLA 仿真[M]. 北京：機械工業(yè)出版社， 2006.[4] 蘇曉麗，沈錦飛. 諧振負載全橋逆變PSPWMamp。本次課程設(shè)計計算量大，從開始進入課題到最后計算的順利完成，有多少可敬的同學、朋友給了我無言的幫助，在這里請接受我誠摯的謝意！。她嚴肅的科學態(tài)度，嚴謹?shù)闹螌W精神，精益求精的工作作風，深深地感染和激勵著我。雖然設(shè)計過程中遇到很多問題，尤其是保護電路的設(shè)計，因為課上沒有講到保護電路的內(nèi)容，保護電路的理解不夠全面，設(shè)計的時候是一頭霧水，但還是在老師的幫助下，我一一解決了。對于課程設(shè)計的內(nèi)容，首先要做的應(yīng)是對設(shè)計內(nèi)容的理論理解，在理論充分理解的基礎(chǔ)上，才能做好課程設(shè)計，才能設(shè)計出性能良好的電路。帶電阻負載接線圖帶電感負載的接線圖 設(shè)置好各模塊參數(shù)，單擊工具欄“Simulation”菜單下的“Start”命令進行仿真。根據(jù)參數(shù)計算可知:變壓器應(yīng)選變比為K=U2/Ud=容量至少為1200V。在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的最大通態(tài)電流上升率。7斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。5通態(tài)平均管壓降 UT(AV) 。ITn ：額定電流有效值，根據(jù)管子的IT(AV) 換算出，IT(AV) 、ITM ITn 三者之間的關(guān)系： (521) (522)3維持電流IH 維持電流是指晶閘管維持導通所必需的最小電流，一般為幾十到幾百毫安。其定義是在室溫40176。突加反向陽極電壓后，由于外電路電感的存在，晶閘管陽極電流的下降會有一個過程，當陽極電流過零，也會出現(xiàn)反向恢復電流，反向電流達最大值IRM后，再朝反方向快速衰減接近于零，此時晶閘管恢復對反向電壓的阻斷能力。 晶閘管的開關(guān)特性（2）關(guān)斷特性通常采用外加反壓的方法將已導通的晶閘管關(guān)斷。在晶閘管處在正向阻斷的條件下突加門極觸發(fā)電流，由于晶閘管內(nèi)部正反饋過程及外電路電感的影響，陽極電流的增長需要一定的時間。 晶閘管門極伏安特性晶閘管常應(yīng)用于低頻的相控電力電子電路時，有時也在高頻電力電子電路中得到應(yīng)用，如逆變器等。 晶閘管陽極伏安特性①正向阻斷高阻區(qū)；②負阻區(qū)；③正向?qū)ǖ妥鑵^(qū)；④反向阻斷高阻區(qū)陽極伏安特性可以劃分為兩個區(qū)域：第Ⅰ象限為正向特性區(qū)，第Ⅲ象限為反向特性區(qū)。為抑制dv/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收回路。最好的辦法是晶閘管元件上直接串快熔，因流過快熔電流和晶閘管的電流相同，所以對元件的保護作用最好。快熔對器件的保護方式分為全保護和短保護兩種。電流容量應(yīng)按照其在主電路中的接入方式和主電路連接形式確定。一般電力電子均同時采用幾種過電壓保護措施，怪提高保護的可靠性和合理性。過電壓產(chǎn)生過程：電源變壓器初級側(cè)突然拉閘，使變壓器的勵磁電流突然切斷，鐵芯中的磁通在短時間內(nèi)變化很大，因而在變壓器的次級感應(yīng)出很高的瞬時電壓。在電力電子器件電路中，除了電力電子器件參數(shù)要選擇合適，驅(qū)動電路設(shè)計良好外，采用合適的過電壓保護，過電流保護，du/dt保護和di/dt保護也是必不可少的。例如單相全控橋式整流電路帶電阻性負載時，要求觸發(fā)脈沖的移項范圍是0度~180度，帶大電感負載時，要求移項范圍是0度~90度；三相半波可控整流電路電阻性負載時，要求移項范圍是0度~90度。為了可靠地、快速地觸發(fā)大功率晶閘管，常常在 觸發(fā)脈沖的前沿疊加上一個觸發(fā)脈沖。由閘管的門極伏安特性曲線可知，同一型號的晶閘管的門極伏安特性的分散性很大，所以規(guī)定晶閘管元件的門極阻值在某高阻和低阻之