【正文】 8009 (1) (1/3,2/3,1/4)。 (0,0,3/8)。 176。 220 。 8015 a= pm r= pm A1堆積每個(gè)晶胞中有4個(gè)Al原子, d= gcm3 r= pm 8021 a= pm 8021 r=(2)1/2 pm = pm 8022 a=b=2146 pm = 292 pm c=292 pm = 477 pm 8023 對(duì)于體心立方,只能出現(xiàn)h+k+l=偶數(shù)之衍射線,即只出現(xiàn)(110),(200), (211),(220), (310), (222),(231),(004)等。 q211= 176。 8024 (1) 點(diǎn)陣型式:簡(jiǎn)單立方。 結(jié)構(gòu)基元: Cu, Zn。 r= 130 pm 。cm3。 (0,0,)。 (1/3,2/3,1/2)。 sinq=[(l/2a)2(h2+k2+l2)]1/2= q=176。2+E=0 8050 參看周公度《結(jié)構(gòu)化學(xué)基礎(chǔ)》 8051 6, 3, 2N, 2 。 2 8056 6 。, 176。 8058 a= Z=4 。, 176。 6 。 1/4 。cm3 灰錫: d= (2/3,1/3,1/2) 8039 禁帶寬度不同 (半導(dǎo)體 Eg 3eV ) 8040 % 8041 V==1023cm3 a= 統(tǒng)計(jì)原子半徑: r=(/4)a= 8042 Mo的原子半徑: r=(/4)a= d100= d110= 8043 a=(8/)r= V= a3=108pm3 d== (1/3,2/3, )。 (2)增大26%。cm3 8028 (1) pm。 8025 (1) Cu的摩爾分?jǐn)?shù)為x,Zn為1x。 r= 138 pm。 q310= 176。其衍射角分別為: q110= 176。pm = pm sinq=, q=176。cm3 8014 r= 143 pm。 指標(biāo): 111。 平行四邊形面積 2r2rsin60176。 (2) (2/3,1/3,1/8)。 (3) (NA 1/3,2/3,1/2 (或 0,0,0。《結(jié)晶學(xué)基礎(chǔ)》第八章習(xí)題答案8001 (C) 8002 非。7193 第二對(duì)衍射線對(duì)應(yīng)的衍射指標(biāo)為200。7187 7188 由 得 當(dāng)時(shí)，= 不出現(xiàn)消光。 結(jié)構(gòu)基元為兩個(gè)球。 7173 d(001)=nm = nm d(100)=nm = nm 7174 7175 7176 A1型堆積點(diǎn)陣型式為立方面心，第三對(duì)譜線對(duì)應(yīng)于220衍射。cm3。 (4) 189pm, 112 pm。 7171 (1)1個(gè)C原子和1個(gè)Si原子, cF。 (1/4,1/4,1/4)。 或(1/2,1/2,1/2)。 (3/4,3/4,3/4)。 (2) lSiSi=a=235pm (3)(1/2,1/2,1/2)。 7168 (1) AB3C (2) A (0,0,0) B (1/2,1/2,0) (0,1/2,1/2) (1/2,0,1/2) C (1/2,1/2,1/2) (3) 點(diǎn)陣型式: cP 7169 (1) cF。(0,1/2,1/2) K+: (1/2,1/2,1/2)。 (3) 4,4。 (2) 。 (2) (121)。(1/2,0,1/2)。(3/4,1/4,3/4)。,176。,60176。cm3 =cm3 7155 2。 h+k+l為奇數(shù)時(shí), Fhkl= fCl fCs+,F2較小,即I很小。 Cs+: (1/2,1/2,1/2) Fhkl=fClexp[i2p(0 Cl NH2─CH─COOH 7146 金剛石碳原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo):(0,0,0),(1/2,1/2,0),(1/2,0,1/2),(0,1/2,1/2), (1/2,1/2,1/2),(3/4,3/4,1/4),(3/4,1/4,3/4),(1/4,3/4,3/4) Fhkl=fjexp[2pi(hxj+kyj+lzj)] =f`c{1+exp[pi(h+k)]+exp[pi(h+l)]+exp[pi(l+k)]} {1+exp[i(h+k+l)]} 系統(tǒng)消光條件: h,k,l奇偶混雜,或h,k,l全偶且h+k+l=4n+2 7147 B (3/4,3/4,1/2) A (0,0,0) (1/2,1/2,0) 7148 (1)簡(jiǎn)單正交。 7145 因不對(duì)稱單位相當(dāng)于半個(gè)分子,分子只能坐落在2重軸上,2重軸通過(guò)Pt原子,分子呈反式構(gòu)型。 7143 sinq（hkl）=nl/2d（hkl）=240n/(2400)=, (n≤3) n=1, sinq100=, q100=176。八個(gè)晶胞共用一個(gè)頂點(diǎn),才能將晶胞前、后、上、下、左、右并置起來(lái)構(gòu)成整個(gè)晶體。原子散射因子f隨sinq/l的增加而減小,粒子越細(xì),衍射強(qiáng)度越小,為獲得較高強(qiáng)度, q應(yīng)小。cm3 7134 晶體中無(wú)任何對(duì)稱元素聯(lián)系的那一部分原子,分子或離子。 (3/4,3/4,1/4)。 (0,1/2,1/2)。 關(guān)系:略。 對(duì)稱中心。 7131 由某種對(duì)稱性相聯(lián)系的、等效的一組點(diǎn)，即從任一點(diǎn)出發(fā),可得到其他點(diǎn)。 7130 A:（0,0,0）。6和分別過(guò)六邊形的中心和C原子而與平面垂直。 晶體結(jié)構(gòu)=點(diǎn)陣+結(jié)構(gòu)基元 7129 (1)見(jiàn)附圖。 點(diǎn)陣的性質(zhì)有:點(diǎn)陣點(diǎn)的數(shù)目無(wú)限。 三個(gè)條件,即每個(gè)結(jié)構(gòu)基元: (a)化學(xué)組成相同。 簡(jiǎn)單點(diǎn)陣素單位見(jiàn)圖,該單位只包含1個(gè)點(diǎn)陣點(diǎn),代表1個(gè)A,1個(gè)B和1個(gè)C 。