【正文】 與g(x)、f(x)的卷積方程，得出物理寬化函數(shù)f(x)的表達(dá)式是很困難的。得到歸一化后的衍射數(shù)據(jù)：Ig(x)和最大強(qiáng)度Ig(m) ； Ih(x)和最大強(qiáng)度Ih(m) 考慮到以后微晶寬化和微觀應(yīng)力寬化分離的計(jì)算，應(yīng)選二條衍射線分別計(jì)算， （43）(x)的選取 （44） 擬合離散度s2j可以確定函數(shù)是否選的合理,j=3分別對(duì)應(yīng)以上三種函數(shù)。因?yàn)間(x)和f(x)各有三種選擇，他們有九種搭配關(guān)系，下表列出了其中五種搭配情況下解出的B、b、。表1g(x)和f(x)五種搭配表Table 1 g (x) and f (x) five kind of collocation tableNof(x)g (x)，b1B= +b2B2 = + b2345假定一個(gè)真實(shí)線形f0(x)，然后作卷積g(x)?f0(x)，利用差值h(x)g(x)?f0(x)得到f1(x)修正f0(x)，多次疊代，使與g(x)?f(x)與h(x)的差值很小。如果物理寬化同時(shí)包括晶格畸變或晶塊細(xì)化兩種因素，首先應(yīng)從β中分離出晶格疇變加寬n和晶塊細(xì)化加寬m，然后進(jìn)行微觀應(yīng)力與晶塊尺寸的計(jì)算。反射球與選擇反射區(qū)的任何部位相交都能產(chǎn)生衍射?？梢园丫О?dāng)做一個(gè)散射單元，將晶胞的原點(diǎn)做為散射中心。晶胞間的相干散射位相差可表示為： （48） 一個(gè)晶胞內(nèi)所有原子散射的相干散射振幅等于一個(gè)電子散射的相干散射振幅Ae與晶胞結(jié)構(gòu)FHKL的乘積。主峰的最大值可由羅必塔法則求出： |G1|2max=N12 主峰的有值區(qū)間ξ =(H177。當(dāng)D105cm(100nm)時(shí)，干涉函數(shù)的主峰近于一個(gè)點(diǎn)D105cm(100nm)時(shí)，相當(dāng)于三維尺度上的晶胞數(shù)都N1，N2，N3都很小。這種應(yīng)力也會(huì)由多相物質(zhì)中不同取向晶粒的各向異性收縮或合金中相鄰相的收縮不一致或共格畸變所引起。Δd，相應(yīng)地引起衍射角變化2(θ177。反之，則由微觀應(yīng)力引起。設(shè)微晶寬化的線性函數(shù)為M(x)、微觀應(yīng)力寬化的線性函數(shù)為N(x)。表2Ｍ(x)，Ｎ (x)搭配關(guān)系表Table 2M (x), N (x) collocation relation tableNoＭ(x)Ｎ (x)、ｍ、ｎ的關(guān)系12= ｍ+ｎ345 （58） （59） （60） 根據(jù)所選兩級(jí)衍射線的衍射角θθ2算出r、s，根據(jù)衍射線線形分析算出K=β2/β1，再從公式（59）、（60）求出MN2，由此得到m1和n2值。其中位錯(cuò)能占80％～90％[4]。但它隨加工工藝或組成成分而變，壓下率小時(shí)彈性模量大的方向儲(chǔ)能較小，彈性模量小的方向儲(chǔ)能較大；當(dāng)壓下率大并使點(diǎn)陣畸變達(dá)到一定程度時(shí)，儲(chǔ)能大小排列順序有逆轉(zhuǎn)傾向。例如采用X 射線衍射法和新的線形分析理論[9][13]，測定了經(jīng)球化退火處理的20CrMnTi鋼的圓柱試樣，計(jì)算得出在不同變形條件下的位錯(cuò)密度。幾何線形能夠用Fourier級(jí)數(shù)表示。這一新的線形分析理論可以方便準(zhǔn)確地測出常見的fcc 、bcc 和hcp 三種結(jié)構(gòu)的位錯(cuò)密度及分布狀態(tài)情況。從圖中可以看出，隨壓下量的增大，位錯(cuò)密度也增大，當(dāng)變形量大于40%時(shí)位錯(cuò)密度基本恒定在10121013／cm2。PANalytical粉末衍射儀測定納米Pt／C催化劑[15]為例，說明衍射線形分析的Voigt函數(shù)應(yīng)用 。 ，從而得到晶粒尺寸分布的對(duì)數(shù)正態(tài)方差，它的值為0．58．相較于Dｖ和Dｓ，由于受衍射線形的影響很大，使并不準(zhǔn)確。統(tǒng)計(jì)檢驗(yàn)研究表明，可把修正模擬衍射線和實(shí)測衍射線當(dāng)做同源的整體。半高寬是表征粒度效應(yīng)的重要參數(shù)，而對(duì)于微米級(jí)粒度的變化則能通過譜線背底寬度來表示。 衍射線形存在明顯差異，這主要與材料晶粒尺寸及顯微畸變的空間分布有關(guān)，其中薄膜法線方向上的晶粒尺寸最大，同時(shí)該方向的顯微畸變最小．但是計(jì)算機(jī)使用讓各種測量儀器的功能變得強(qiáng)大，測試過程變得簡單快捷，雙晶衍射、多重衍射也越來越完善。使我很是感激。必將激勵(lì)我在今后的學(xué)習(xí)和工作中奮發(fā)向上、努力進(jìn)取。參考文獻(xiàn)[1] [M]．原子能出版社，1993[2] ，宋小平,李家寶，理化檢驗(yàn)物理分冊[M]，1998[3] 盧柯,梁志德．X射線線形的解卷分析與Bragg角的精確計(jì)算[J]．物理學(xué)報(bào)，2000，[4] 何忠智．電工鋼[M]．冶金工業(yè)出版社，1996．[5] 李長一，周順兵，冷軋低碳鋼帶中各晶體學(xué)位向的點(diǎn)陣畸變儲(chǔ)能[J].　理化檢驗(yàn)　2006[6] 藤鳳恩,王煜明,X射線結(jié)構(gòu)分析與材料性能表征 [M].科學(xué)出版社,1997[7] Langford J I． A rapid method for analysing thebreadths of difraction and spectral lines using the Voigt function[J]．J Appl Cryst，1978，11[8] 程萬軍，高占民，[J],吉林大學(xué)學(xué)報(bào),2004 [9] 陳明偉，單愛黨，[J］. 金屬熱處理學(xué)報(bào)，1995 [10] 張靜江，王濱，[J].[11] 謝書銀，袁鵬，萬關(guān)良，[J].稀有金屬，1998,02[12] 李航月,胡奈賽,[J].金屬學(xué)報(bào),[13] [J].材料科學(xué)與工藝，[14] . CoSi2薄膜二維X射線衍射線形分析與表征[J]. 金屬學(xué)報(bào)2005,5[15] —Mo合金氫化物結(jié)構(gòu)及缺陷的衍射分析[D].北京中國科學(xué)院研究生2006[16] ／[17] [J].原子與分子物理學(xué)報(bào) 2004[18] 賀笑春,熊華波,徐建輝,[J] .[19] 徐建輝. Voigt函數(shù)法線形分析技術(shù)的改進(jìn)及其在噴丸組織強(qiáng)化研究中的應(yīng)用[J]. [20] [J].中國有色金屬學(xué)報(bào)2002。在此，我要向老師致以崇高的敬意，并表示衷心地感謝！還有我的同學(xué)在寫作論文中給我的幫助和支持。 在論文期間，老師對(duì)我的學(xué)習(xí)上嚴(yán)格要求，生活上關(guān)懷備至。本文是在老師的精心指導(dǎo)下完成的，從論文的選題、設(shè)計(jì)方案直至完成論文的整個(gè)過程中，都得到了老師耐心細(xì)致的指導(dǎo)。另外晶粒越細(xì)，衍射強(qiáng)度的變化規(guī)律與半高寬的規(guī)律呈反轉(zhuǎn)對(duì)應(yīng)關(guān)系。在晶粒度研究發(fā)展方面，隨粒度變小，衍射線線形從有尖峰到分布散漫。若我們對(duì)試驗(yàn)樣品的衍射數(shù)據(jù)進(jìn)行Rietveld分析研究后，本底的線形形狀通過修飾也就可以定下來．去除試驗(yàn)本底的計(jì)數(shù)，然后對(duì)衍射線形單獨(dú)進(jìn)行擬合，我們就可以得到實(shí)際的衍射線形積分寬度．在圖5中我們比較了由Rietveld分析得到的衍射線形積分寬度和實(shí)際的衍射線形積分寬度，我們可以很清晰看出各向異性[16]。通過晶粒尺寸衍射線形的積分寬度及其洛侖茲分量，可求得體積加權(quán)平均表觀尺寸。在金屬材料中，常采用的是Voigt函數(shù)的近似形式。加工應(yīng)變分別為5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%。理論研究分析表明，物理線形由粒子大小寬化線形和應(yīng)變寬化線形卷積疊加而成，因此： （64）式中：a為Hook 效應(yīng)常數(shù)參數(shù)，一般線形均可認(rèn)為是由Cauchy 成分和Guassian 成分混合的疊加線形。用衍射儀測得的試樣衍射線形h（x ）稱為實(shí)際線形，可表示為： （62）式中：g（y ）為幾何寬化