【摘要】第一章半導體中的電子狀態(tài)1半導體的三種結構:金剛石型(硅和鍺)閃鋅礦型(Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料以及部分Ⅱ-Ⅵ族化合物如GaAs,InP,AlAs,纖礦型(Ⅱ-Ⅵ族二元化合物半導體ZnS、ZnSe、CdS、CdSe).結晶學原胞是立方對稱的晶胞。2電子共有化運動:當原子相互接近形成晶體時,不同原子的內外各電子殼層出現(xiàn)交疊,電子可由一個原子轉移到相鄰的原子,因此,電子可以在
2025-06-07 17:21
【摘要】半導體制造工藝流程N型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng) PN結: 半導體元件制造過程可分為 前段(FrontEnd)制程 晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、 晶圓針測制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 構裝(Packaging)、 測
2025-08-22 13:36
【摘要】中級維修電工復習題(共651題,共651分),其兩端按有關規(guī)定用( B )固定好。( B )。,如果導線較多,位置狹窄,不能很好地布置成束,則采用( B )。,通過微動開關SQ1、SQ2,行程開關SQ3,萬能轉換開關SA4,時間繼電器( C )和電磁閥YT與油路、
2025-04-16 13:14
【摘要】半導體物理習題解答(河北大學電子信息工程學院席礪莼)1-1.(P32)設晶格常數(shù)為a的一維晶格,導帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量Ev(k)分別為:Ec(k)=+和Ev(k)=-;m0為電子慣性質量,k1=1/2a;a=。試求:①禁帶寬度;②導帶底電子有效質量;③價帶頂電子有效質量;④價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化。[解]①禁帶寬度
2025-01-14 18:50
【摘要】《模具制造工藝》復習題第一章概論?有何特點?14答:模具的技術要求(1)模具零件應具有較高的強度、剛度、耐磨性、韌性淬透性和切削加工性(2)模具零件精度高、表面粗糙度低(3)模具零件的標準化程度高(4)模具凹凸模具有合理間隙模具制造的特點(1)模具變化多,技術要求高,對技術人員要求高(2)模具車間規(guī)模較小,對外協(xié)作程度高
2025-06-07 20:15
【摘要】復習題(一)一、填空 鐵素體 。%時,二次滲碳體沿晶界析出嚴重,使鋼的脆性 增加 ?!〉秃辖鹑芯咪摗『汀「咚黉摗?,而用于一些手工或切削速度較低的刀具材料是碳素工具鋼。,板條狀馬氏體有良好的塑性和韌性。高溫回火的熱處理工藝稱為調質,調質后的組織為回火索氏體。主軸到刀架。,具有淬透性好,淬火變形小,熱硬
2025-04-17 02:48
【摘要】
2025-09-25 18:03
【摘要】第一章緒論1.半導體材料的五大特性:整流效應、光電導效應、負電阻溫度效應、光生伏特效應和霍爾效應所謂光電導效應,是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現(xiàn)象。電導與所加電場的方向有關,在它兩端加一個正向電壓,它是導通的;如果把電壓極性反過來,它就不導通,這就是半導體的整流效應。2.能帶結構3.外延生長:在單晶襯底上生長單晶薄
2025-01-09 18:29
【摘要】半導體制造工藝流程半導體相關知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結:NP------+++++半導體元件制造過程可分為?前段
2025-05-12 20:53
【摘要】考試時間:18周周五上午10:00(1月4日第二大節(jié))考試地點:望江基C2022022級半導體物理總結第l章半導體(晶體)中的電子狀態(tài)問題的提出:半導體獨特的物理性質半導體中電子的狀態(tài)及其運動特點二者之間關系與結構的關系本章介紹重點半導體單晶材料中的電子狀態(tài)及其運動規(guī)律
2025-01-14 10:18
【摘要】一、填充題1.兩種不同半導體接觸后,?費米能級較高的半導體界面一側帶正電達到熱平衡后兩者的費米能級相等。2.半導體硅的價帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央,其導帶極小值位于【100】,因此屬于間接帶隙半導體。3.晶體中缺陷一般可分為三類:點缺陷,如空位間
2025-01-14 18:45
2025-06-07 17:17
2025-06-07 17:02
【摘要】第頁1《概率論與數(shù)理統(tǒng)計》期(末)練習卷一、填空題(每空2分,共30分)1.設A、B、C為三事件,則事件“A發(fā)生B與C都不發(fā)生”可表示為_____________;事件“A、B、C不都發(fā)生”可表示為_______________;事件“A、B、C都不發(fā)生”可表示為______________。
2024-12-15 11:43
【摘要】半導體制造工藝第2章 半導體制造工藝概況第2章 半導體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序,消耗6~8周的時間,看似復雜,而實際上是將幾大工藝技術順序、重復運用的過程,最終在硅片上實現(xiàn)所設計的圖形和電學結構。在講述各個工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程
2025-03-01 04:28