【摘要】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)1半導(dǎo)體的三種結(jié)構(gòu):金剛石型(硅和鍺)閃鋅礦型(Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料以及部分Ⅱ-Ⅵ族化合物如GaAs,InP,AlAs,纖礦型(Ⅱ-Ⅵ族二元化合物半導(dǎo)體ZnS、ZnSe、CdS、CdSe).結(jié)晶學(xué)原胞是立方對稱的晶胞。2電子共有化運動:當(dāng)原子相互接近形成晶體時,不同原子的內(nèi)外各電子殼層出現(xiàn)交疊,電子可由一個原子轉(zhuǎn)移到相鄰的原子,因此,電子可以在
2025-06-07 17:21
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程N(yùn)型硅:摻入V族元素--磷P、砷As、銻Sb P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng) PN結(jié): 半導(dǎo)體元件制造過程可分為 前段(FrontEnd)制程 晶圓處理制程(WaferFabrication;簡稱WaferFab)、 晶圓針測制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 構(gòu)裝(Packaging)、 測
2025-08-22 13:36
【摘要】中級維修電工復(fù)習(xí)題(共651題,共651分),其兩端按有關(guān)規(guī)定用( B )固定好。( B )。,如果導(dǎo)線較多,位置狹窄,不能很好地布置成束,則采用( B )。,通過微動開關(guān)SQ1、SQ2,行程開關(guān)SQ3,萬能轉(zhuǎn)換開關(guān)SA4,時間繼電器( C )和電磁閥YT與油路、
2025-04-16 13:14
【摘要】半導(dǎo)體物理習(xí)題解答(河北大學(xué)電子信息工程學(xué)院席礪莼)1-1.(P32)設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量Ev(k)分別為:Ec(k)=+和Ev(k)=-;m0為電子慣性質(zhì)量,k1=1/2a;a=。試求:①禁帶寬度;②導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量;③價帶頂電子有效質(zhì)量;④價帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時準(zhǔn)動量的變化。[解]①禁帶寬度
2025-01-14 18:50
【摘要】《模具制造工藝》復(fù)習(xí)題第一章概論?有何特點?14答:模具的技術(shù)要求(1)模具零件應(yīng)具有較高的強(qiáng)度、剛度、耐磨性、韌性淬透性和切削加工性(2)模具零件精度高、表面粗糙度低(3)模具零件的標(biāo)準(zhǔn)化程度高(4)模具凹凸模具有合理間隙模具制造的特點(1)模具變化多,技術(shù)要求高,對技術(shù)人員要求高(2)模具車間規(guī)模較小,對外協(xié)作程度高
2025-06-07 20:15
【摘要】復(fù)習(xí)題(一)一、填空 鐵素體 。%時,二次滲碳體沿晶界析出嚴(yán)重,使鋼的脆性 增加 。 低合金刃具鋼 和 高速鋼 ,而用于一些手工或切削速度較低的刀具材料是碳素工具鋼。,板條狀馬氏體有良好的塑性和韌性。高溫回火的熱處理工藝稱為調(diào)質(zhì),調(diào)質(zhì)后的組織為回火索氏體。主軸到刀架。,具有淬透性好,淬火變形小,熱硬
2025-04-17 02:48
【摘要】
2024-10-04 18:03
【摘要】第一章緒論1.半導(dǎo)體材料的五大特性:整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、負(fù)電阻溫度效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)和霍爾效應(yīng)所謂光電導(dǎo)效應(yīng),是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。電導(dǎo)與所加電場的方向有關(guān),在它兩端加一個正向電壓,它是導(dǎo)通的;如果把電壓極性反過來,它就不導(dǎo)通,這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)。2.能帶結(jié)構(gòu)3.外延生長:在單晶襯底上生長單晶薄
2025-01-09 18:29
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段
2025-05-12 20:53
【摘要】考試時間:18周周五上午10:00(1月4日第二大節(jié))考試地點:望江基C2022022級半導(dǎo)體物理總結(jié)第l章半導(dǎo)體(晶體)中的電子狀態(tài)問題的提出:半導(dǎo)體獨特的物理性質(zhì)半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)及其運動特點二者之間關(guān)系與結(jié)構(gòu)的關(guān)系本章介紹重點半導(dǎo)體單晶材料中的電子狀態(tài)及其運動規(guī)律
2025-01-14 10:18
【摘要】一、填充題1.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,?費米能級較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶正電達(dá)到熱平衡后兩者的費米能級相等。2.半導(dǎo)體硅的價帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央,其導(dǎo)帶極小值位于【100】,因此屬于間接帶隙半導(dǎo)體。3.晶體中缺陷一般可分為三類:點缺陷,如空位間
2025-01-14 18:45
2025-06-07 17:17
2025-06-07 17:02
【摘要】第頁1《概率論與數(shù)理統(tǒng)計》期(末)練習(xí)卷一、填空題(每空2分,共30分)1.設(shè)A、B、C為三事件,則事件“A發(fā)生B與C都不發(fā)生”可表示為_____________;事件“A、B、C不都發(fā)生”可表示為_______________;事件“A、B、C都不發(fā)生”可表示為______________。
2024-12-15 11:43
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序,消耗6~8周的時間,看似復(fù)雜,而實際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運用的過程,最終在硅片上實現(xiàn)所設(shè)計的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程
2025-03-01 04:28