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cmos二級密勒補(bǔ)償運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)說明(文件)

2025-04-25 05:17 上一頁面

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【正文】 得黑暗太黑的時候。 參考。我不知道年少輕狂,我只知道勝者為王。正輸入端接1V的直流電壓, Vin 輸入端加從0到2V的直流掃描電壓。運(yùn)放的電源為2V,運(yùn)放的反相端和輸出相連,構(gòu)成緩沖器;同相端加直流掃描從0到2V。測試電路:仿真圖: 通過交流小信號分析得到運(yùn)放的電源抑制比特性曲線如圖。測試電路圖:仿真圖:從仿真結(jié)果可得。測試電路圖: 仿真圖:從仿真波形得到:在輸出上升曲線的10%和90%處,;。從圖可知,該運(yùn)放相位裕度為:119+180=61度。運(yùn)放的輸出端接3pF的負(fù)載電容,電源電壓為2V,共模輸入電壓為1V,差模輸入幅度為1V的交流信號,即兩輸入端的輸入交流信號相位相反。(11)功耗: 運(yùn)放在開環(huán)狀態(tài)下允許消耗的最大靜態(tài)功耗。(6)共模抑制比:運(yùn)放在開環(huán)狀態(tài)下,對共模信號或共模噪聲的抑制能力,其表達(dá)式為(7)電源電壓: 提供給運(yùn)放的工作電壓。(2)單位增益帶寬:運(yùn)放在開環(huán)狀態(tài)下,當(dāng)放大倍數(shù)為0 dB時的頻率范圍。最終得到的器件參數(shù)如下M1 140/ M9 M2 140/ M10 10/M3 60/ M11 10/M4 60/ M12 40/M5 18/ M13 10/M6 240/ M14 65/M7 36/ Cc pFM8 注意這里有幾個關(guān)系式要保證嚴(yán)格成立,即式()和式()。也得到(W/L)12 =40μm/,取(W/L)10=(W/L)11=(W/L)13=10μm/。7:計(jì)算M8,M10,1M1M13 的寬長比和RB 的阻值。再由k1 和k2 得W3,4=60μm。由于α=2,取L3,4=2L1 。由于要加上2LD 的擴(kuò)散長度,預(yù)先取L1=,得到W1 為140μm。取偏置電流IDS8=10μA,k1=12,k2=24,即IDS5=120μA,IDS7=240μA,總電流為380μA。另外,在同等電流前提下,過驅(qū)動越小,跨導(dǎo)越大。在IDS1不變的前提下,gm1 的提高可以通過降低VDSAT1 得到。設(shè)計(jì)步驟:1:選擇Cc 的大小。 下面進(jìn)行具體計(jì)算。相位補(bǔ)償電路由M14和Cc組成,M14工作在線性區(qū),可等效為一個電阻,與電容Cc一起跨接在第二級輸入輸出之間,構(gòu)成RC密勒補(bǔ)償。偏
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