【正文】 （IN） 誤差放大器反向輸入端；2端（IN+） 誤差放大器同相輸入端；3端（SYN） 同步端； 4端（OUTOSC）振蕩器輸出端：5端（CT） 外接定時(shí)電容； 6端（RT） 外接定時(shí)電阻；7端（DIS） 放電端； 8端（SS） 軟啟動(dòng)端；9端（COMP） 誤差放大器輸出補(bǔ)償端；10端（SD） 關(guān)閉端；11端（OUTA） A輸出端； 12端（GND） 地；13端（UC） 集電極B輸出端； 14端（OUTB） B輸出端；15端（VCC） 電源電壓輸出端； 16端（UREF） 基準(zhǔn)電源輸出端；表3－2額定值參數(shù)數(shù)值參數(shù)數(shù)值電源電壓（Vcc）+40V功耗（TA=+25℃時(shí)）1000mW集電極電源電壓（UC）+40V熱阻（結(jié)至環(huán)境）100℃/W邏輯輸入功耗（在TC=+25℃時(shí)）2000mW模擬電流+UIN熱阻，結(jié)至外殼60℃/W輸出電流（源出或吸入）500mA工作溫度范圍①55℃至150℃基準(zhǔn)電源輸出電流50mA貯存溫度范圍65℃至150℃振蕩器充電電流5Ma引線(xiàn)溫度（焊接時(shí)間10s）300℃①工作溫度范圍 SG1525A/SG1527A 55℃～+125℃ SG1525A/SG1527A 25℃～+85℃ SG1525A/SG1527A 0℃～+70℃表3－3推薦工作條件參數(shù)數(shù)值參數(shù)數(shù)值電源電壓（+VCC）+8V至+35V吸入（源出）負(fù)載電流（峰值）0至400mA集電極電源電壓++35V基準(zhǔn)電源輸出電阻0至20mA吸入/源出負(fù)載電流（穩(wěn)態(tài)）0至100mA震蕩器頻率范圍100Hz至400KHz振蕩器定時(shí)電阻2000至15000歐姆振蕩器頻率范圍0至500歐振蕩器定時(shí)電容 功率MOSFET功率場(chǎng)控制管簡(jiǎn)稱(chēng)功率MOSFET，它是一種單極型的電壓控制器件，不但有關(guān)斷能力，而且有驅(qū)動(dòng)功率小，工作速度高，無(wú)二次擊穿問(wèn)題，安全工作區(qū)寬等顯著優(yōu)點(diǎn)，但實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高耐壓較困難，目前已研制開(kāi)發(fā)電流為100A，電壓為1000V的功率MOSFET模塊。而關(guān)斷時(shí)，其變化趨勢(shì)由這電容的放電時(shí)間常數(shù)所決定。圖35 功率MOSFET的輸出特性（2）通態(tài)電阻通態(tài)電阻是影響最大輸出的重要參數(shù)，在開(kāi)關(guān)電路中它決定了信號(hào)輸出幅度與自身?yè)p耗。特別是溫度影響較大，通態(tài)電阻隨溫度上升線(xiàn)性增大，因此，實(shí)際使用時(shí)要考慮這一點(diǎn)。在工業(yè)應(yīng)用中，常將漏極短接條件下ID等于1mA時(shí)的柵極電壓定義為閾值電壓。這些電容大小與偏置電壓有關(guān)，CGD隨漏源極間電壓動(dòng)態(tài)變化。（6）柵極電荷特性圖3－6示出功率MOSFET的柵極電荷特性，按照電荷量劃分為三個(gè)區(qū)域。圖3－9示出元件電容不同時(shí)，柵極電流的大小。開(kāi)通時(shí)間tON與功率MOSFET的閾值電壓，柵源間電容CGS和柵漏間電容CGD有關(guān)，也與信號(hào)源的上升時(shí)間和內(nèi)阻的影響。圖3－9 正向偏置安全工作區(qū)開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET應(yīng)用時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：①柵極電路的阻抗非常高，易受靜電損壞。⑤很多情況下，不能原封不動(dòng)地用于雙極型晶體管的自激振蕩電路。⑧漏柵極間電容極大，漏極電壓變化容易影響輸入。本節(jié)主要以DC/DC類(lèi)電源為例，介紹開(kāi)關(guān)電源的性能測(cè)試方法。線(xiàn)路見(jiàn)圖4－1，圖中被測(cè)變換器即被測(cè)電源。負(fù)載電流可保持為額定范圍內(nèi)的任意值。測(cè)量線(xiàn)路中使用的儀表的是一種和準(zhǔn)確度應(yīng)滿(mǎn)足測(cè)量要求。電壓穩(wěn)定度和下面的負(fù)載穩(wěn)定度、效率等都在預(yù)熱和輸出穩(wěn)定后進(jìn)行測(cè)試。在被測(cè)電源的輸出端與負(fù)載間必須串一電流表。將輸入電壓分別設(shè)置在標(biāo)稱(chēng)值、標(biāo)稱(chēng)值下限和標(biāo)稱(chēng)值上限駱測(cè)出兩個(gè)輸出電壓：額定負(fù)載電流時(shí)測(cè)得U0，空載或50%額定負(fù)載時(shí)測(cè)得U01。測(cè)量線(xiàn)路見(jiàn)圖4－2。注意：η隨負(fù)載變化。然后，反復(fù)斷開(kāi)和閉合開(kāi)關(guān)S，用示波器觀測(cè)并記錄輸出電壓的恢復(fù)時(shí)間（響應(yīng)時(shí)間），其最大值即為所求。圖53 暫態(tài)波形用示波器觀測(cè)并記錄輸出電壓的恢復(fù)時(shí)間時(shí)，同時(shí)可測(cè)出過(guò)沖幅度。同時(shí)檢查告警電路的聲、光、接點(diǎn)信號(hào)是否符合規(guī)定。定時(shí)元件RT、CT接規(guī)定的最大值（最小值），電源端施加規(guī)定的電壓，用接在振蕩器輸出端的頻率計(jì)測(cè)出輸出脈沖的頻率fmin（fmax）。在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的最低工作環(huán)境溫度和最高工作環(huán)境溫度中，用頻率計(jì)測(cè)出對(duì)應(yīng)的輸出脈沖頻率ff5，用f4與f5之差除以25℃環(huán)境溫度中測(cè)得的頻率求得頻率的溫度穩(wěn)定度。用示波器測(cè)量器件的驅(qū)動(dòng)器的輸出脈沖周期T。則得關(guān)斷延遲時(shí)間。使我對(duì)問(wèn)題認(rèn)識(shí)由無(wú)到有。在比較器輸入端施加規(guī)定的控制電壓，調(diào)節(jié)負(fù)載電阻RL，使輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電流為規(guī)定值，用示波器測(cè)得輸出高電平和低電平電壓。電源端施加規(guī)定的電壓。在規(guī)定的環(huán)境溫度下，將被測(cè)器件接入圖4－20線(xiàn)路中。按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，RT、CT的精度應(yīng)在1%以?xún)?nèi)。七、PWM控制電路的測(cè)試測(cè)量PWM控制電路的線(xiàn)路見(jiàn)圖4－圖4－5。試驗(yàn)時(shí)，模擬過(guò)壓、過(guò)流等故障的產(chǎn)生和恢復(fù)，檢查保護(hù)電路是否按規(guī)定動(dòng)作。負(fù)載電流國(guó)I0和輸出電壓U0的波形如圖5－3所示。測(cè)量線(xiàn)路見(jiàn)圖4－2。四、效率效率η為總輸出功率P0與輸入的有功功率Pi之比?！　　　　　　　　　　　　　　。?－2）式中，ΔU0＝U0－U01。通常在空載和額定值之間變化，也有上些電源規(guī)定在50%額定值和額定值之間變化。負(fù)載穩(wěn)定度也常稱(chēng)作負(fù)載調(diào)整率、負(fù)載效應(yīng)等。輸出負(fù)載應(yīng)可變。然后，以它們計(jì)算出額定負(fù)載和空載時(shí)的電壓穩(wěn)定度，取最大值作為電源的電壓穩(wěn)定度SU。通常在標(biāo)稱(chēng)值、標(biāo)稱(chēng)值下限和標(biāo)穩(wěn)值上限三點(diǎn)測(cè)量電壓穩(wěn)定度。一、電壓穩(wěn)定度電壓穩(wěn)定度是僅由輸入電壓在規(guī)定的范圍內(nèi)變化所引起的輸入電壓的最大相對(duì)變化量。⑩理論上無(wú)電流集中產(chǎn)生二次擊穿，但寄生晶體管因dV/dt受到損壞，從而FET也受到損壞。⑦開(kāi)關(guān)速度快而產(chǎn)生噪聲，容易使驅(qū)動(dòng)電路誤動(dòng)作。③并聯(lián)工作時(shí)容易產(chǎn)生高頻振蕩。圖3－8 功率MOSFET的輸入電壓與輸出電壓對(duì)應(yīng)的波形⑻正向偏置安全工作區(qū)功率MOSFET的正向偏置安全工作區(qū)（FBSOA）如圖3－9所示。定義開(kāi)通時(shí)間tON為從輸入信號(hào)Ui波形上升到其幅值的10%的時(shí)刻開(kāi)始到輸出信號(hào)U0波形下降到其幅值的90%的時(shí)刻為止所需的時(shí)間，tON可細(xì)分為延遲時(shí)間td和上升時(shí)間tr。根據(jù)斜率CGS＋CGD＝dQg/dUGS可計(jì)算出不同偏置條件時(shí)電容大小。這些電容對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程有直接影響，在開(kāi)通延遲時(shí)間，上升時(shí)間以及下降時(shí)間，由于UDS2UGS，所以，CGD較小，一般為幾十pF。（5）功率MOSFET的電容功率MOSFET的柵極有絕緣層，極間存在著絕緣電容。（4）柵極閾值電壓柵極閾值電壓UGS（th）表示開(kāi)始有規(guī)定的漏極電流時(shí)的最低柵極電壓。不必要時(shí)若用高電壓驅(qū)動(dòng)，會(huì)對(duì)電容過(guò)充電，使關(guān)斷時(shí)間變長(zhǎng)，這點(diǎn)需要注意。隨著柵極電壓的增大，漏極電流增大，但UGS＞10V時(shí)，漏極電流與漏源極間電壓成線(xiàn)性關(guān)系，具有電阻特性。功率MOSFET的漏極電流上升時(shí)間（tr）與柵源極間電壓UGS變化趨勢(shì)一致。500mA的負(fù)載能力。這樣它可保證每周期內(nèi)只有PWM比較器送來(lái)的單脈沖，而將誤差放大器上的噪音、振鈴及系統(tǒng)所有的跳動(dòng)或振蕩消除掉。同時(shí)，外接的軟啟動(dòng)電容上電荷也可通過(guò)內(nèi)部電路放電，在關(guān)閉端正電壓信號(hào)去除后，軟啟動(dòng)又可起作用。同步輸入可使主電路帶幾個(gè)從電路同步工作，單個(gè)電路可由系統(tǒng)外的時(shí)鐘同步。 ④分離的振蕩器同步端；⑤可調(diào)的死區(qū)時(shí)間控制； ⑥軟啟動(dòng)時(shí)間可由外設(shè)電容值整定；⑦逐個(gè)脈沖關(guān)閉； ⑧具有滯后電壓的欠壓鎖定電路；⑨防止多重脈沖的PWM鎖存器； ⑩雙源出/吸入驅(qū)動(dòng)器。圖中RR1C9與SG1525A配合，形成限流電路，防止電源的輸出電流超過(guò)額定的輸出電流。輸入經(jīng)整流、濾波加在變壓器初級(jí)線(xiàn)圈和開(kāi)關(guān)管V1的兩端。若R187。在電容選定后，尚就考慮負(fù)載突然轉(zhuǎn)變?yōu)榱銜r(shí)電感器中儲(chǔ)能使電容電壓上沖，交校驗(yàn)引起的過(guò)電壓是否在允許值之內(nèi)。故：Vce=2VS+=　　　 （2－13） 尚須設(shè)計(jì)正確的基極驅(qū)動(dòng)小型以及緩沖器網(wǎng)絡(luò)，使集電極電流在高電壓Vce出現(xiàn)之前，IC已降到零，否則有二次擊穿(雙極型晶體管)的可能。(5)功率晶體管的選擇①電流額定值通常在最大原邊電流條件下，選擇有較大電流增益和較好飽和特性的管子作為功率開(kāi)關(guān)晶體管。這種小于最佳磁感應(yīng)強(qiáng)度值的設(shè)計(jì)法，叫“飽和限制法”。說(shuō)明推挽工作時(shí)，2?150=300(mT)有最小損耗。（1）根據(jù)輸出功率選擇磁芯P0=40?5=200(W)考慮6%的余量。為了確保磁通在反激期間恢復(fù)到低的剩磁水平，并考慮偶而出現(xiàn)的較大磁密不致出現(xiàn)磁芯飽和，加一很小氣隙是必要的。為了補(bǔ)償這個(gè)缺陷，控制線(xiàn)路就能把占空比調(diào)到最大。在高電壓應(yīng)用，例如1000V以上時(shí)，也采用反激。反激變換器適用在功率較小的場(chǎng)合。所以有可能出現(xiàn)輸出電壓升高的現(xiàn)象。（4）因?yàn)榧y波電流小，波電壓小。正激變換器的能量?jī)?chǔ)存于輸出電感器是有利于負(fù)載的，儲(chǔ)能電容可以取得很小，因它只用和來(lái)協(xié)助降低輸出紋波電壓。因此，銅損較小。另一方法，可以使用低耗能量緩沖器線(xiàn)路。會(huì)使得輸出電壓線(xiàn)上有VS電壓紋波頻率調(diào)制的電壓分量，所以要小心地選用附加電容CC。（注意，線(xiàn)圈P1和P2的非同銘端同時(shí)變負(fù)，而且CC的兩端電壓不會(huì)改變）。為了避免在P1和P2間存在的漏電感過(guò)大和因此產(chǎn)生的晶體管集電極的電壓過(guò)高，一般采用原邊繞組P1與能量再生線(xiàn)圈P2雙線(xiàn)并繞的方法。在Tr關(guān)斷，反激作用期間，輸出二極管D1反偏而不可能有鉗位作用或能量泄放的回路。若有負(fù)載為0的情況時(shí)，則只能加固定電阻作為假負(fù)載，以求得電壓的穩(wěn)定。若某一輸出負(fù)載降到電感臨界電流以下，這線(xiàn)路的輸出電壓將上升。從性能角度看，L