【正文】 （IN） 誤差放大器反向輸入端；2端（IN+） 誤差放大器同相輸入端；3端（SYN） 同步端； 4端（OUTOSC）振蕩器輸出端：5端（CT） 外接定時電容； 6端（RT） 外接定時電阻；7端（DIS） 放電端； 8端（SS） 軟啟動端；9端（COMP） 誤差放大器輸出補償端；10端（SD） 關閉端；11端（OUTA） A輸出端； 12端（GND） 地；13端（UC） 集電極B輸出端； 14端（OUTB） B輸出端；15端（VCC） 電源電壓輸出端； 16端（UREF） 基準電源輸出端；表3－2額定值參數數值參數數值電源電壓（Vcc）+40V功耗（TA=+25℃時）1000mW集電極電源電壓（UC）+40V熱阻（結至環(huán)境）100℃/W邏輯輸入功耗（在TC=+25℃時）2000mW模擬電流+UIN熱阻，結至外殼60℃/W輸出電流（源出或吸入）500mA工作溫度范圍①55℃至150℃基準電源輸出電流50mA貯存溫度范圍65℃至150℃振蕩器充電電流5Ma引線溫度（焊接時間10s）300℃①工作溫度范圍 SG1525A/SG1527A 55℃～+125℃ SG1525A/SG1527A 25℃～+85℃ SG1525A/SG1527A 0℃～+70℃表3－3推薦工作條件參數數值參數數值電源電壓（+VCC）+8V至+35V吸入（源出）負載電流（峰值）0至400mA集電極電源電壓++35V基準電源輸出電阻0至20mA吸入/源出負載電流（穩(wěn)態(tài)）0至100mA震蕩器頻率范圍100Hz至400KHz振蕩器定時電阻2000至15000歐姆振蕩器頻率范圍0至500歐振蕩器定時電容 功率MOSFET功率場控制管簡稱功率MOSFET，它是一種單極型的電壓控制器件，不但有關斷能力，而且有驅動功率小，工作速度高，無二次擊穿問題，安全工作區(qū)寬等顯著優(yōu)點，但實現低導通電阻與高耐壓較困難，目前已研制開發(fā)電流為100A，電壓為1000V的功率MOSFET模塊。而關斷時，其變化趨勢由這電容的放電時間常數所決定。圖35 功率MOSFET的輸出特性（2）通態(tài)電阻通態(tài)電阻是影響最大輸出的重要參數，在開關電路中它決定了信號輸出幅度與自身損耗。特別是溫度影響較大，通態(tài)電阻隨溫度上升線性增大，因此，實際使用時要考慮這一點。在工業(yè)應用中，常將漏極短接條件下ID等于1mA時的柵極電壓定義為閾值電壓。這些電容大小與偏置電壓有關，CGD隨漏源極間電壓動態(tài)變化。（6）柵極電荷特性圖3－6示出功率MOSFET的柵極電荷特性，按照電荷量劃分為三個區(qū)域。圖3－9示出元件電容不同時，柵極電流的大小。開通時間tON與功率MOSFET的閾值電壓，柵源間電容CGS和柵漏間電容CGD有關，也與信號源的上升時間和內阻的影響。圖3－9 正向偏置安全工作區(qū)開關電源中功率MOSFET應用時應注意以下幾點：①柵極電路的阻抗非常高，易受靜電損壞。⑤很多情況下，不能原封不動地用于雙極型晶體管的自激振蕩電路。⑧漏柵極間電容極大，漏極電壓變化容易影響輸入。本節(jié)主要以DC/DC類電源為例，介紹開關電源的性能測試方法。線路見圖4－1，圖中被測變換器即被測電源。負載電流可保持為額定范圍內的任意值。測量線路中使用的儀表的是一種和準確度應滿足測量要求。電壓穩(wěn)定度和下面的負載穩(wěn)定度、效率等都在預熱和輸出穩(wěn)定后進行測試。在被測電源的輸出端與負載間必須串一電流表。將輸入電壓分別設置在標稱值、標稱值下限和標稱值上限駱測出兩個輸出電壓：額定負載電流時測得U0，空載或50%額定負載時測得U01。測量線路見圖4－2。注意：η隨負載變化。然后，反復斷開和閉合開關S，用示波器觀測并記錄輸出電壓的恢復時間（響應時間），其最大值即為所求。圖53 暫態(tài)波形用示波器觀測并記錄輸出電壓的恢復時間時，同時可測出過沖幅度。同時檢查告警電路的聲、光、接點信號是否符合規(guī)定。定時元件RT、CT接規(guī)定的最大值（最小值），電源端施加規(guī)定的電壓，用接在振蕩器輸出端的頻率計測出輸出脈沖的頻率fmin（fmax）。在規(guī)定溫度范圍內的最低工作環(huán)境溫度和最高工作環(huán)境溫度中，用頻率計測出對應的輸出脈沖頻率ff5，用f4與f5之差除以25℃環(huán)境溫度中測得的頻率求得頻率的溫度穩(wěn)定度。用示波器測量器件的驅動器的輸出脈沖周期T。則得關斷延遲時間。使我對問題認識由無到有。在比較器輸入端施加規(guī)定的控制電壓，調節(jié)負載電阻RL，使輸出驅動器導通電流為規(guī)定值，用示波器測得輸出高電平和低電平電壓。電源端施加規(guī)定的電壓。在規(guī)定的環(huán)境溫度下，將被測器件接入圖4－20線路中。按照標準規(guī)定，RT、CT的精度應在1%以內。七、PWM控制電路的測試測量PWM控制電路的線路見圖4－圖4－5。試驗時，模擬過壓、過流等故障的產生和恢復，檢查保護電路是否按規(guī)定動作。負載電流國I0和輸出電壓U0的波形如圖5－3所示。測量線路見圖4－2。四、效率效率η為總輸出功率P0與輸入的有功功率Pi之比?！　　　　　　　　　　　　　　。?－2）式中，ΔU0＝U0－U01。通常在空載和額定值之間變化，也有上些電源規(guī)定在50%額定值和額定值之間變化。負載穩(wěn)定度也常稱作負載調整率、負載效應等。輸出負載應可變。然后，以它們計算出額定負載和空載時的電壓穩(wěn)定度，取最大值作為電源的電壓穩(wěn)定度SU。通常在標稱值、標稱值下限和標穩(wěn)值上限三點測量電壓穩(wěn)定度。一、電壓穩(wěn)定度電壓穩(wěn)定度是僅由輸入電壓在規(guī)定的范圍內變化所引起的輸入電壓的最大相對變化量。⑩理論上無電流集中產生二次擊穿，但寄生晶體管因dV/dt受到損壞，從而FET也受到損壞。⑦開關速度快而產生噪聲，容易使驅動電路誤動作。③并聯工作時容易產生高頻振蕩。圖3－8 功率MOSFET的輸入電壓與輸出電壓對應的波形⑻正向偏置安全工作區(qū)功率MOSFET的正向偏置安全工作區(qū)（FBSOA）如圖3－9所示。定義開通時間tON為從輸入信號Ui波形上升到其幅值的10%的時刻開始到輸出信號U0波形下降到其幅值的90%的時刻為止所需的時間，tON可細分為延遲時間td和上升時間tr。根據斜率CGS＋CGD＝dQg/dUGS可計算出不同偏置條件時電容大小。這些電容對開關過程有直接影響，在開通延遲時間，上升時間以及下降時間，由于UDS2UGS，所以，CGD較小，一般為幾十pF。（5）功率MOSFET的電容功率MOSFET的柵極有絕緣層，極間存在著絕緣電容。（4）柵極閾值電壓柵極閾值電壓UGS（th）表示開始有規(guī)定的漏極電流時的最低柵極電壓。不必要時若用高電壓驅動，會對電容過充電，使關斷時間變長，這點需要注意。隨著柵極電壓的增大，漏極電流增大，但UGS＞10V時，漏極電流與漏源極間電壓成線性關系，具有電阻特性。功率MOSFET的漏極電流上升時間（tr）與柵源極間電壓UGS變化趨勢一致。500mA的負載能力。這樣它可保證每周期內只有PWM比較器送來的單脈沖，而將誤差放大器上的噪音、振鈴及系統所有的跳動或振蕩消除掉。同時，外接的軟啟動電容上電荷也可通過內部電路放電，在關閉端正電壓信號去除后，軟啟動又可起作用。同步輸入可使主電路帶幾個從電路同步工作，單個電路可由系統外的時鐘同步。 ④分離的振蕩器同步端；⑤可調的死區(qū)時間控制； ⑥軟啟動時間可由外設電容值整定；⑦逐個脈沖關閉； ⑧具有滯后電壓的欠壓鎖定電路；⑨防止多重脈沖的PWM鎖存器； ⑩雙源出/吸入驅動器。圖中RR1C9與SG1525A配合，形成限流電路，防止電源的輸出電流超過額定的輸出電流。輸入經整流、濾波加在變壓器初級線圈和開關管V1的兩端。若R187。在電容選定后，尚就考慮負載突然轉變?yōu)榱銜r電感器中儲能使電容電壓上沖，交校驗引起的過電壓是否在允許值之內。故：Vce=2VS+=　　　 （2－13） 尚須設計正確的基極驅動小型以及緩沖器網絡，使集電極電流在高電壓Vce出現之前，IC已降到零，否則有二次擊穿(雙極型晶體管)的可能。(5)功率晶體管的選擇①電流額定值通常在最大原邊電流條件下，選擇有較大電流增益和較好飽和特性的管子作為功率開關晶體管。這種小于最佳磁感應強度值的設計法，叫“飽和限制法”。說明推挽工作時，2?150=300(mT)有最小損耗。（1）根據輸出功率選擇磁芯P0=40?5=200(W)考慮6%的余量。為了確保磁通在反激期間恢復到低的剩磁水平，并考慮偶而出現的較大磁密不致出現磁芯飽和，加一很小氣隙是必要的。為了補償這個缺陷，控制線路就能把占空比調到最大。在高電壓應用，例如1000V以上時，也采用反激。反激變換器適用在功率較小的場合。所以有可能出現輸出電壓升高的現象。（4）因為紋波電流小，波電壓小。正激變換器的能量儲存于輸出電感器是有利于負載的，儲能電容可以取得很小，因它只用和來協助降低輸出紋波電壓。因此，銅損較小。另一方法，可以使用低耗能量緩沖器線路。會使得輸出電壓線上有VS電壓紋波頻率調制的電壓分量，所以要小心地選用附加電容CC。（注意，線圈P1和P2的非同銘端同時變負，而且CC的兩端電壓不會改變）。為了避免在P1和P2間存在的漏電感過大和因此產生的晶體管集電極的電壓過高，一般采用原邊繞組P1與能量再生線圈P2雙線并繞的方法。在Tr關斷，反激作用期間，輸出二極管D1反偏而不可能有鉗位作用或能量泄放的回路。若有負載為0的情況時，則只能加固定電阻作為假負載，以求得電壓的穩(wěn)定。若某一輸出負載降到電感臨界電流以下，這線路的輸出電壓將上升。從性能角度看，L