[工學(xué)]高電壓技術(shù)(文件)
【正文】 時，使電介質(zhì)失去了絕緣的性能，形成導(dǎo)電通道，這樣的擊穿稱為 電擊穿 。 二 . 影響固體介質(zhì)擊穿電壓的主要因素 ?電壓的作用時間 ?溫度 ?電場均勻度和介質(zhì)厚度 ?電壓頻率 ?受潮度的影響 ?機(jī)械力的影響 ?多層性的影響 ?累積效應(yīng)的影響 三 . 提高固體擊穿電壓的方法 ：如采取合理的絕緣結(jié)構(gòu)，使各部分絕緣的耐電強(qiáng)度能與共所承擔(dān)的場強(qiáng)有適當(dāng)?shù)呐浜希? 改善電極形狀及表面光潔度，盡可能使電場分布均勻，把邊緣效應(yīng)減到最??； 改善電極與絕緣體的接觸狀態(tài)，消除接觸處的氣隙或使接觸處的氣隙不承受電位差。 四 . 固體介質(zhì)的老化 老化 —— 電氣設(shè)備的絕緣在長期運(yùn)行過程中會發(fā)生一系列物理變化 (如固體介質(zhì)軟化或熔解 ,低分子化合物及增塑劑的揮發(fā) )和化學(xué)變化 (如氧化 ,電解 ,電離 ,生成新物質(zhì) ), 致使其電氣 ,機(jī)械及其他性能逐漸劣化。熱老化的主要過程為熱裂解、氧化裂解、交聯(lián)、以及低分子揮發(fā)物的進(jìn)出。 液體電介質(zhì)的擊穿特性 一、擊穿理論 （一）電子碰撞電離理論 當(dāng)外電場足夠強(qiáng)時，在陰極產(chǎn)生的強(qiáng)場發(fā)射或因肖特基效應(yīng)發(fā)射的電子將被電場加速而具有足夠的動能，在碰撞液體分子是可引起電離，使電子數(shù)加倍，形成電子崩。氣泡電離后溫度上升、體積膨脹、密度減小，這促使電離近一步發(fā)展。 三、提高液體擊穿電壓的方法 二、影響液體擊穿電壓的因素 第四章作業(yè)： 液體的熱擊穿的發(fā)生過程 。 51 測定絕緣電阻 絕緣電阻是反映絕緣性能的最基本的指標(biāo)之一，通常用兆歐表來測量。轉(zhuǎn)軸上沒有裝彈簧游絲，所以當(dāng)線圈中沒有電流時，指針可停在任一偏轉(zhuǎn)角的位置。 （比較有無屏蔽極時所測值即可知） 測量絕緣電阻不能發(fā)現(xiàn)下列缺陷： ； 。 極化指數(shù) P—— 絕緣體在加電壓后 10min和 1min分別所測得的絕緣電阻值的比值，稱之為極化指數(shù)，即 極化指數(shù) P是用來反映大中型電氣設(shè)備的絕緣狀況，如絕緣良好，則此比值應(yīng)不小于某一定值。 2．兆歐表刻度的非線性度很強(qiáng)，尤其在接近高量程段，刻度甚密，難以精確分辨。 ? 保護(hù)電阻 R ? 并聯(lián)電容 C ..OT LHKSCPAPAR高電位電極—被試品； HOT —..直流微安表—低電位電極；— PAL放電管—保護(hù)電阻；— PR屏蔽系統(tǒng)—旁路開關(guān)；—緩沖電容；— SKC125圖電流的電路圖測量泄漏： ..OTASM225圖時的測試電路被試品一極已固定接地屏蔽系統(tǒng)—測量系統(tǒng)；—被試品；—SM.. OT 被試品的一極已固定接地 ,不能分開 .采用圖 522所示電路 . 此時處在高電位的屏蔽系統(tǒng)，使其附近空間氣體電離造成的對地漏導(dǎo)電流，并不流經(jīng)測量系統(tǒng)，也就不會產(chǎn)生測量誤差了。 53 測定介質(zhì)損耗因數(shù)（ tgδ ） 介質(zhì)損耗因數(shù)（ tgδ ）是表征絕緣在交變電壓作用下比損耗大小的特征參數(shù)，它與絕緣體的形狀和尺寸無關(guān)，它是絕緣性能的基本指標(biāo)之一。 由于通過橋臂 FA和 AD,FB和 BD的電流分別均為 I1和 I2，所以各橋臂電壓之比即相應(yīng)的橋臂阻抗之比 即 Z1/Z3=Z2/Z4 或 Z1Z4=Z2Z3 可以求得試品電容和等值電阻 XX j w CRZ ?? 11NCjZ ?12 ?33 RZ ?444 11CjRZ???? ?242423 41 RCRCRC Nx ??? ? ?Nx CRCRCRR2442242423 1????441 RCRCtgxx??? ??介質(zhì)并聯(lián)等值電路的介質(zhì)損耗角正切 因?yàn)?ω=2πf=100π ，若取 R4=10000/π(Ω) 則 tgδ=C4 （ C4以 來計(jì)） 由于 tgδ1 ，所以 F?? ? NNx CRRtgRCRC342341 ??? ?二、接線方式 1. 正接線： D點(diǎn)接地，被試品 Cx的兩端對地絕緣。 A P B CN Cx Rx R3 R4 C4 C D U 反接線 正接線 三、 tgδ 測量準(zhǔn)確度的影響因素 ㈠本試驗(yàn)高壓電源對橋體雜散電容的影響。 五、測試時應(yīng)注意的事項(xiàng) 1．盡可能分布測試； 2. tgδ 與溫度的關(guān)系； 3. tgδ 與試驗(yàn)電壓的關(guān)系； 4. 護(hù)環(huán)和屏蔽的影響； 5. 測繞組時，必須將每個繞組首尾短接。 ㈢外界磁場干擾。（ 實(shí)際中，絕大多數(shù)電氣設(shè)備的金屬外殼是直接接在接地底座上的，即被試品的一極是固定接地的。 一、測試電路 圖 532 西林電橋基本原理電路圖 Cx、 Rx：被試品的等值電容和電阻； R3 ：可調(diào)無感電阻； CN ：高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器的電容； C4 ：可調(diào)電容； R4 ：定值無感電阻（一般取 R4=10000/π 歐姆）； P ：交流檢流計(jì)。 知識點(diǎn)匯總 : 3． 介質(zhì)損耗角正切的測量 （掌握）： 原理、接線、測量方法，正、反接線的使用場合，抗干擾措施。 2．由于施加在試品上的直流高壓是逐漸增大的 ,所以可以在升壓過程從所測電流與電壓關(guān)系的線性度，即可指示絕緣情況。 52 測定泄漏電流 泄漏電流的測量原理和絕緣電阻的測量原理一致，本試驗(yàn)是將直流高壓加
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