復(fù)合材料的基本理論(文件)
【正文】 EnMIM?對(duì)短纖維復(fù)合材料的剛度做簡(jiǎn)單的估算，可分析內(nèi)部的應(yīng)力。 注意事項(xiàng)：充分理解數(shù)值方法的基礎(chǔ)，邊界條件的意義。相當(dāng)于力學(xué)性能中的彈性模量、線膨脹率等結(jié)構(gòu)不敏感特性。 P P Vc i n iiN??? ( )1 加和特性 (mean properties) 為了將此類問(wèn)題統(tǒng)一處理，現(xiàn)考慮標(biāo)量場(chǎng)勢(shì) ?，流束 Ji以及由定義的梯度場(chǎng)。這樣就相當(dāng)于產(chǎn)生了連鎖反應(yīng) ， 從而引出新的機(jī)能 （ Z/X） 。 Y/X（狀態(tài) 1） Z/Y（狀態(tài) 2） 傳遞特性（ Z/X） 磁 /壓力 磁場(chǎng) /壓力 電場(chǎng) /壓力 電場(chǎng) /壓力 應(yīng)變 /磁場(chǎng) 應(yīng)變 /磁場(chǎng) 溫度差 /磁場(chǎng) 應(yīng)變 /磁場(chǎng) 應(yīng)變 /電場(chǎng) 磁場(chǎng) /光 電場(chǎng) /光 電場(chǎng) /光 同位素 同位素 電阻變化 /磁場(chǎng) 旋光性 /磁場(chǎng)（法拉第效應(yīng)） 發(fā)光 /電場(chǎng)（電光亮度） 復(fù)折射 /電場(chǎng) 電場(chǎng) /應(yīng)變 電阻變化 /應(yīng)變 電場(chǎng) /溫度差 復(fù)折射 /應(yīng)變 磁場(chǎng) /應(yīng)變 應(yīng)變 /磁場(chǎng) 應(yīng)變 /電場(chǎng) 光 /電場(chǎng) 導(dǎo)電性 /光 熒光 壓力電阻效應(yīng) 由機(jī)械負(fù)荷引起偏光面回轉(zhuǎn) 壓力光亮度 由機(jī)械負(fù)荷引起偏光面回轉(zhuǎn) 磁電效應(yīng) 磁電阻效應(yīng) 擬洞穴效應(yīng)（磁電效應(yīng)） 磁感應(yīng)折射 電磁效應(yīng) 應(yīng)變 /光 應(yīng)變 /光 波長(zhǎng)變換 放射線誘起電導(dǎo) 放射線檢測(cè)器 有機(jī)材料蒽（ anthracene C14H10）可以將 X射線變換為可見(jiàn)光而發(fā)出熒光，但是由于構(gòu)成蒽的元素的原子序數(shù)過(guò)小，對(duì) X線的吸收能力低，因此將 X射線變換為可見(jiàn)光的效率也低?？梢钥闯?，由于復(fù)合化使發(fā)光強(qiáng)度提高了數(shù)倍。 InSbNiSb共晶合金中的 NiSb呈針狀，起到了前述的短路作用。當(dāng)?shù)诙嗟某叽绫绕鸸獾牟ㄩL(zhǎng)充分小的時(shí)候，即使是第二相的體積分?jǐn)?shù)達(dá)到50%，也可以制出透明性好的材料 。 InSb NiSb 結(jié)構(gòu)敏感特性 透光性陶瓷的光的透過(guò)率隨第二相或氣泡的尺寸而發(fā)生的變化 (47)。如果將InSb板的上下側(cè)進(jìn)行短路，則由于霍爾效應(yīng)會(huì)在原電流的方向產(chǎn)生電流。 當(dāng) X射線照射復(fù)合材料時(shí)，其結(jié)果為 X射線首先與 PbCl2顆粒作用而產(chǎn)生二次電子，接著二次電子再使蒽分子受激勵(lì)產(chǎn)生可見(jiàn)光，從而達(dá)到復(fù)合效果。 它為開(kāi)發(fā)出具有全新性能的功能性復(fù)合材料指出了方向 。 誘電率、透磁率、電導(dǎo)系數(shù)、熱導(dǎo)率、擴(kuò)散系數(shù)等穩(wěn)態(tài)過(guò)程的相似性 現(xiàn)象 勢(shì) ? 梯度 Xi=?? 物理常數(shù) Lij 流束 Ji=Lijxi
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