【正文】 RI（ 對(duì)應(yīng) DPHO， DPL， DPHI， DPLI） ，可通過 來選擇。 圖 CC1010（ TQFP64 封裝）引腳頂視圖 內(nèi)蒙古科技大學(xué)畢業(yè) 設(shè)計(jì) 說明書（畢業(yè) 論文 ） 12 CC1010 無線收發(fā)電路的設(shè)計(jì) 無線數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)框圖如圖 所示。 其中接收器部分由低噪聲放大器 （ LNA） 、混頻器 （ MIXER） 、中頻放大器（ IF）、解調(diào)器 （ MODEM） 、解碼器（ CODEC）組成。在 AD2/IF 引腳可用之后， RSSI 信號(hào)和 IF 信號(hào)是可選的。 RF 輸出信號(hào) 被反饋到 RF 緩沖區(qū)的數(shù)字流進(jìn)行頻率調(diào)制。頻率同步器是由晶體振蕩器、相位檢測(cè)器、低通濾波、振控電壓、分頻器組成的。 內(nèi)蒙古科技大學(xué)畢業(yè) 設(shè)計(jì) 說明書（畢業(yè) 論文 ） 14 圖 CC1010 典型應(yīng)用電路圖 由圖可見， CC1010 芯片 需要的外圍元器件非常少。壓控振蕩器完全整合在芯片內(nèi)，因此在使用時(shí)只需要 1 個(gè)電感 L101，通過 SmartRF Studio 軟件，可容易地計(jì)算出各個(gè)頻率 時(shí) 的 L101 值。 CC1010 可以使用各種各樣的天線，短距離最常用的天線有單極型、螺線型、環(huán)型等。影響通信距離的是無線通信模塊的天線部分。 C1 C1 L7 用于發(fā)射時(shí)的信號(hào)匹配。在位模式下，移位寄存器在每次傳輸完成后會(huì)下載 ，此時(shí)產(chǎn)生中斷。配置界面如圖 所示。 圖 SmartRF Studio 配置界面 內(nèi)蒙古科技大學(xué)畢業(yè) 設(shè)計(jì) 說明書（畢業(yè) 論文 ） 17 數(shù)據(jù)收發(fā)過程： RF 配置參數(shù)選好后，即可按選定的參數(shù)進(jìn)行收發(fā)，其具體的收發(fā)過程如下：當(dāng)在字節(jié)模式下傳輸一個(gè)數(shù)據(jù)時(shí)，緩沖區(qū)按選定的波特率依次移位到調(diào)制器中。例如當(dāng)傳 送 一個(gè)包含 0 和 1 的字節(jié)的前導(dǎo)字節(jié)時(shí)，則只需裝入前導(dǎo)符一次，并等待一定數(shù)目的周期，等待移位寄存器下載一定數(shù)目的前導(dǎo)字符進(jìn)行發(fā)送。當(dāng)接收數(shù)據(jù)時(shí)，過程與傳 送 類似。 IN12OUT3GND4U4L M 2937 C CC 29X 7R330uFC 28E L E C TR 41R 4247015uFC 30T A uT1uFC 31X 7RC 32X 7RD3圖 電壓轉(zhuǎn)換電路圖 內(nèi)蒙古科技大學(xué)畢業(yè) 設(shè)計(jì) 說明書（畢業(yè) 論文 ） 18 芯片 把從 1 引腳輸入的 5V電壓轉(zhuǎn)換為 并從 3 引腳輸出。負(fù)載電容應(yīng)接到模擬地平面 ， 還應(yīng)該注意晶體振蕩器反向器的反饋電阻已在片內(nèi)提供不需要外接電阻 應(yīng)查詢 OSCXCN 中的 XTLVLD 晶體振蕩器有效位或用該位產(chǎn)生中斷判斷晶體振蕩器頻率是否穩(wěn)定一旦 XTLVLD 變?yōu)楦唠娖?CLKSL 可以被置 1 以使用外部振蕩器作為系統(tǒng)時(shí)鐘。 1234567891110J43 .3 V1nFC112pFC2150pFC33 .3 VL1 03 .3 V15pFC7L2 03 .3 V1 2Y11 4 .4 7 5 6 M H Z1 2Y23 2 .7 8 6 K H Z C 1 06 .8 p F6 .8 p FC9C815pF3 .3 VP 2 .1 / T X D 1C170.1uFS?S W P B47KR147KR247KR347KR4P 0 .2 / M I S OP 0 .1 / M O S I3 .3 V12J23 .3 V3 .3 VR847K0 .1 u FC 1 90 .1 u FC 2 0R947KR 1 047KR 3 947KR 1 147KR 4 047K3 .3 V0 .1 u FC 2 10 .1 u FC 2 23 .3 VR E S E T _ NA V D D _ A D C1A G N D _ A D C64A V D D _ M I X _ I F2A V D D _ M I X _ I F3A V D D _ L I N _ P A6A G N D _ L I N _ P A7A G N D _ P A8A V D D _ V O C _ P12A G N D _ V O C _ P9A V D D _ C O M B15A G N D _ C O M B16AGND17AGND22AD061AD162AD263X O C S _ Q 118X O S C _ Q 219X O S C 3 2 _ Q 121X O S C 3 2 _ Q 220R F _ I N4R F O U T5L110L211C H P _ O U T13R _ B I A S14DVDD40DVDD43DVDD50DGND23DGND24DGND32DGND41DGND49DVDD60R E S E T59P R O _ E25P R O G _ N58P 0 .0 / S C K33P 0 .1 / M O S I34P 0 .2 / M I S O51P 0 .352P 1 .026P 1 .135P 1 .236P 1 .337P 1 .438P 1 .553P 1 .654P 1 .755P 2 .0 / R X D 127P 2 .1 / T X D 128P 2 .239P 2 .342P 2 .444P 2 .545P 2 .656P 2 .757P 3 .0 / R X D 048P 3 .1 / T X D 047P 3 .2 / I N T 046P 3 .3 / I N T 131P 3 .4 / T 030P 3 .5 / P W M29U1C C 1 0 1 03 .3 VR 1 247KR 1 347KR 2 047KR 1 947K3 .3 V3 .3 VR 1 447KR 1 647KR 1 847KR 1 547KR 1 747KR 2 247K3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 VR 2 147KR 2 547KR 2 747K47KR 2 6R 2 847KR 2 347KR 2 447K3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 VR 3 047KR 2 947K47KR 3 13 .3 V3 .3 V3 .3 VR 3 847K47KR 3 747KR 3 647KR 3 547KR 3 447KR 3 247KR333 .3 V 3 .3 V 3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 V3 .3 V1KR61KR7P 2 .6P 2 .7P 0 .1 / M O S IP 0 .2 / M I S OP R O G NDVDDP 1 .0P O R _ ED2D1C 2 4 0 .1 u FC 2 50 .1 u FC 2 3 0 .1 u FC 2 60 .1 u FP 3 .0P 3 .1P 3 .0P 3 .1P 1 .1P 1 .2P 1 .3P 1 .4P 1 .5P 1 .6P 1 .7P 2 .0 / R X DP 2 .1 / T X D 1P 2 .2P 2 .3P 2 .4P 2 .5P 2 .6P 2 .7P 3 .2P 3 .3P 3 .4P 3 .5P 0 .3P 0 .0 / S C KP O R _ EP 0 .3P 1 .0P 1 .1P 1 .2P 1 .3P 1 .4P 1 .5P 1 .6P 1 .7P 2 .2P 2 .3P 2 .4P 2 .5P 3 .3P 3 .2P 3 .4P 3 .512J1V C C3 .3 VAD0AD21 23 45 67 89 1011 1213 1415 1617 1819 2021 22J5AD0AD2C 1 +1VDD2C 1 3C 2 +4C 2 5V E E6T 2 O U T7R 2 I N8R 2 O U T9T 2 I N10T 1 I N11R 1 O U T12R 1 I N13T 1 O U T14GND15V C C16U3M A X 3 2 3 23 .3 V0 .1 u FC 2 7 1包秀英1基于 C C 1 0 1 0 的溫度傳感器數(shù)據(jù)傳送板設(shè)計(jì) 圖 外部晶振電路 內(nèi)蒙古科技大學(xué)畢業(yè) 設(shè)計(jì) 說明書（畢業(yè) 論文 ） 19 XOSC_Q1 和 XOSC_Q2 為芯片時(shí)鐘信號(hào) 接口引腳，可接 3～ 24MHz 的外部晶振。對(duì)于晶體和陶瓷諧振器配置，晶體 /陶瓷諧振器必須接到XTAL1 和 XTAL2 引腳。 外部振蕩器具有很高的可配置性 ， 為系統(tǒng)設(shè)置者提供了多種選擇 。 外部 CMOS時(shí)鐘 為 系統(tǒng)時(shí)鐘可以由一個(gè)接到 XTAL1 腳的外部 CMOS 電平時(shí)鐘源提供 ， 例如晶體振蕩器模塊或來自另一個(gè)微控制器的時(shí)鐘；外部晶體通常在需要一個(gè)精確的時(shí) 鐘 信號(hào)才會(huì)
。 內(nèi)部振蕩器本身的功耗與所選擇的頻率無關(guān) ， 但是整個(gè)器件的功耗 與 所選擇的頻率有關(guān) ， 隨著工藝 、 供電電壓及溫度的不同 ， 內(nèi)部振蕩器的精度在177。 系統(tǒng)時(shí)鐘可以自由地在內(nèi)部振蕩器和外部振蕩器之間進(jìn)行切換 。外部振蕩器電路可以驅(qū)動(dòng)外部晶體、陶瓷諧振器、電容或 RC 網(wǎng)絡(luò)。外部振蕩器電路可以驅(qū)動(dòng)外部晶體、陶瓷諧振器、電容或 RC 網(wǎng)絡(luò)。 系統(tǒng)晶體振蕩電路 在硬件設(shè)計(jì)中，由于涉及到 ADC 的絕對(duì)采樣速率和產(chǎn)生一個(gè)標(biāo)準(zhǔn) UART 波特率的需要，所以采用外部晶體來實(shí)現(xiàn)外部振蕩器。 將 5V 電壓轉(zhuǎn)換為 電源的方案有：國家半導(dǎo)體 的LM39 等。所以不能關(guān)閉傳輸鏈的任一部分。 RFBUF 寄存器的內(nèi)容在移位寄存器取走之后仍然沒有變化。 SmartRF Studni將根據(jù)用戶輸入的各項(xiàng)參數(shù)給出所有必需的 CC1010 芯片配置信息，這些 16 進(jìn)制數(shù)作為 CC1010 芯片的配置信息將被輸入到微控制器中。 利用 SmartRF Studio 來 配置 RF 電路參數(shù) 。在字節(jié)模式中，從緩沖寄存器 RFBUF 中一次取 8 位到移位寄存器，經(jīng)過調(diào)制發(fā)射出去，當(dāng)移位寄存器空時(shí)，再從 RFBUF 中取 8 位，而 RFBUF中數(shù)據(jù)的裝入 是由中斷引發(fā)的。 1234567891110J43 .3 V1nFC112pFC2150pFC322pFC43 .3 VL1 03 .3 VC6 33pF15pFC7C5 150pFL2 03 .3 V3 .3 V1 2Y11 4 .4 7 5 6 M H Z C815pFL427nHR X 1N O U S ER582K8 .2 p FC 1 110pFC 1 2L368nH6 .2 n HL5C 1 36 .8 p FC 1 4220pFL6 03 .3 V 15nHL7C 1 512pFC 1 612pF12345P1天線12345678910J33 .3 VP 2 .1 / T X D 1P 2 .0 / R X DC170.1uFS?S W P B47KR147KR247KR347KR4R E S E T NP R O G NP 0 .2 / M I S OP 0 .1 / M O S IP 0 .0 / S C K3 .3 V12J23 .3 VU2L M 6 1U02Us1GND30 .1 u FC 1 83 .3 VAD13 .3 VR847K0 .1 u FC 2 00 .1 u FC 2 1R947KR 1 047KR 3