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模擬電子技術(shù)第2章3場(chǎng)效應(yīng)管放大器與單管放大總結(jié)-wenkub

2023-03-29 12:29:28 本頁(yè)面
 

【正文】 1)增強(qiáng)型 MOS管 2)耗盡型 MOS管 開(kāi)啟電壓 夾斷電壓 DGS(th)GSDO2GS(th)GSDOD2)1(iUuIUuIi時(shí)的為式中在恒流區(qū)時(shí),??? MOS管的特性 2)耗盡型 MOS管 夾斷電壓 Q Q iD UGS UDS 2. 自給偏壓電路 ?漏極電流 ID在源極電阻 RS的壓降是柵 源之間的負(fù)偏壓 URS ?稱為自給偏壓 ?自給偏壓 URE具有穩(wěn)定工作點(diǎn)的作用 ID URs + 3. 分壓式偏置電路 ?A點(diǎn)電壓 UA即為柵 源電壓 UGS ?因?yàn)闆](méi)有柵極電流, Rg3上便沒(méi)有電壓降 ?故: UGS=URg1 ?所以 Rg3的阻值可以很大,以提高輸入阻抗(從而提高電壓放大倍數(shù)) ?UGS=VDD?Rg1 / (Rg1+Rg2) 即典型的 Q點(diǎn)穩(wěn)定電路 UA UGS CMOS放大器 授課結(jié)束 單管 放大器 總結(jié) 1. 放大倍數(shù) : 輸出量與輸入量之比 ioUUAAuuu ??????ioIIAAiii ??????ioIUAui ???ioUIAiu ????最常用參數(shù)(常測(cè)) 輸入電壓: 輸入信號(hào)源 Us在放大電路內(nèi)阻 Ri上的電壓降 輸入電流 電壓放大倍數(shù) 電流放大倍數(shù) 互阻放大倍數(shù) 互導(dǎo)放大倍數(shù) 阻抗 電導(dǎo) 信號(hào)源 信號(hào)源內(nèi)阻 輸入電壓: 輸入信號(hào)源 Us在放大電路內(nèi)阻 Ri上的電壓降 輸入電流 2. 輸入電阻和輸出電阻 輸出電阻: 將輸出信號(hào)等效成有內(nèi)阻的電壓源, 內(nèi)阻 Ro就是輸出電阻 。 BUDS — 漏源擊穿電壓(極限參數(shù)): 柵源電壓 UGS一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏 源電壓。 例如 ,3DJ6D是結(jié)型 P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管, 3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。第二章 3 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 單管放大器總結(jié) 單管放大器總結(jié) 場(chǎng)效應(yīng)管的分類( P49) ? 按工藝結(jié)構(gòu)分兩類: 結(jié)型和絕緣柵型( MOS) ? 按溝道材料分兩類: N溝道和 P溝道 ? 按導(dǎo)電方式分兩類: 耗盡型與增強(qiáng)型。 ? 第二種命名方法( CS ): – CS代表場(chǎng)效應(yīng)管, – 以數(shù)字代表 型號(hào) 的序號(hào), – 用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。(重要極限參數(shù):場(chǎng)效應(yīng)管的工作電壓必須小于 BUDS!) PDSM — 最大耗散功率(極限參數(shù)): 令場(chǎng)效應(yīng)管性能正常所允許的最大漏 源耗散功率。 Lo39。 ?不低于中間頻率放大倍數(shù) ,稱通頻帶。 【與交流電壓整流成直流電壓的原理、公式相同】 最大輸出功率 Pom= Uom . Iom 電壓 . 電流 效率 η = PV / Pom 電源輸出功率 / 放大器輸出功率 讀作: yi ta,希臘字母 電源耗散功率 復(fù)習(xí)一 1. 將圖中的 NPN型晶體管共射放大電路改為PNP型晶體管共射放大電路。 復(fù)習(xí)一 1. 將圖中的 NPN型晶體管共射放大電路改為PNP型晶體管共射放大電路。 1. 在空載情況下,當(dāng)輸入信號(hào)增大時(shí),電路首先出現(xiàn)飽和失真還是截止失真?若帶負(fù)載的情況下呢? EQTbb39。CCCEQBQCQ?????RIVUII ? 為什么用圖解法求解IBQ和 UBEQ? ???? k11bebi rR????? 952)1(EQTbb39。 設(shè) UBEQ= UBE+ ΔUBE,若 UBQ- UBEΔUBE,則 IEQ穩(wěn)定。 反饋的結(jié)果使輸出量的變化減小的稱為負(fù)反饋,反之稱為正反饋。Lbee)1( RRArRu ????? ,則若 ?無(wú)旁路電容 Ce時(shí): 如何提高電壓放大能力? 減小了放大倍數(shù) 穩(wěn)定了放大倍數(shù) 三
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