【總結(jié)】HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案雙極型半導(dǎo)體晶體管雙極型晶體管的工作原理雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)雙極型晶體管的電流分配關(guān)系晶體管的電流放大系數(shù)晶體管的特性曲線晶體管的參數(shù)
2025-05-12 23:17
【總結(jié)】制作:浙江廣廈建設(shè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院信息與控制工程學(xué)院晶體管開關(guān)電路1一、模擬電路和數(shù)字電路?模擬信號:在時間上和數(shù)值上連續(xù)的信號。?數(shù)字信號:在時間上和數(shù)值上不連續(xù)的(即離散的)信號。?對模擬信號進行傳輸、處理的電子線路稱為模擬電路。?對數(shù)字信號進行傳輸、處理的電子線路稱為數(shù)字電路。2數(shù)字電路和模擬電路特
2025-04-30 18:47
【總結(jié)】Bipolarjunctiontransisitor(BJT)第三章雙極晶體管第三章雙極晶體管?雙極晶體管的工作原理?少子的分布與直流特性?低頻共基極電流增益?非理想效應(yīng)?等效電路模型?頻率特性?大信號開關(guān)特性?其他的雙極晶體管結(jié)構(gòu)?無源器件(pa
2025-01-14 10:46
【總結(jié)】電子電路綜合設(shè)計實驗實驗三晶體管放大倍數(shù)β檢測電路的設(shè)計與實現(xiàn)實驗報告信息與通信工程學(xué)院摘要:簡易晶體管放大倍數(shù)β檢測電路由三極管類型判別電路,三極管放大倍數(shù)檔位判別電路,顯示電路,報警電路和電源電路五部分構(gòu)成。三極管有電流放大功能,當放大后的電流大小不同時,三極管的集電極電壓也不同。一般
2025-08-16 17:52
【總結(jié)】封面西藏·班公湖返回返回引言本頁完本頁完引言倍頻器是一種輸出頻率等于輸入頻率整數(shù)倍的電路,用以提高頻率,其優(yōu)點為返回返回1、發(fā)射機主振器的頻率可以降低,對穩(wěn)頻有利。振蕩器的頻率越高,頻率穩(wěn)定度應(yīng)越低。一般主振器頻率不宜超過5MHz。因此發(fā)射頻率高于5MHz,一般宜采用倍頻器。2、在采用石英晶體
2025-05-12 08:47
【總結(jié)】無錫晶體管廠凈化空調(diào)設(shè)計畢業(yè)論文目 錄中文摘要.....................................................I英文摘要....................................................Ⅱ緒論...................................................
2025-06-28 19:46
【總結(jié)】**1目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁章節(jié)目錄**2目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁第7章晶體管特性圖示儀本章要點§晶體管特性圖示儀的組成及原理框圖§?晶體管特性曲線的測量方法§?用晶體管特性圖示儀測量二極管、三極管和場效應(yīng)管**3目 錄退 出下一頁上
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理第第5章章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性二極管的開關(guān)作用和二極管的開關(guān)作用和反向恢復(fù)時間反向恢復(fù)時間開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性晶體管開關(guān)的動態(tài)特性晶體管開關(guān)的動態(tài)特性半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半
【總結(jié)】數(shù)字電路邏輯設(shè)計天馬行空官方博客:;QQ:1318241189;QQ群:175569632第二章邏輯函數(shù)及其簡化?邏輯代數(shù)=布爾代數(shù)=開關(guān)代數(shù)解決邏輯問題的理論方法,與布爾、香農(nóng)有關(guān)?主要內(nèi)容
2025-01-20 06:27
【總結(jié)】任務(wù)11組裝晶體管收音機任務(wù)描述晶體管收音機屬于小家電產(chǎn)品中的音響視聽設(shè)備,“麻雀雖小,五臟俱全”,它的組成電路幾乎包括了模擬電路的所有電路,主要有直流電源的退藕濾波;高頻電路的混頻、振蕩、變頻、選頻、耦合、負反饋、檢波及放大等;低頻電路的電壓放大、功率放大、耦合及負反饋等。本任務(wù)就是按照電子工藝的要求來設(shè)計和制作晶體管收音機。n
2025-02-06 01:14
【總結(jié)】第6章雙極型晶體管?晶體管概述?晶體管基本結(jié)構(gòu)從基本結(jié)構(gòu)來看,晶體管由兩個十分靠近的,分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。兩個P-N結(jié)將晶體管劃分為三個區(qū):發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極、基極和集電極,用符號E、B、C(e、b、c)表示。晶體管的基本形式可分為PNP型和NPN型兩種。
2025-05-06 18:03
【總結(jié)】課程設(shè)計題目:電子技術(shù)課程設(shè)計學(xué)生姓名學(xué)號:院系名稱:電氣與信息工程學(xué)院專業(yè)班級:指導(dǎo)教師:職稱:講師
2025-05-18 09:31
【總結(jié)】1功率場效應(yīng)晶體管功率場效應(yīng)晶體管是20世紀70年代中后期開發(fā)的新型功率半導(dǎo)體器件,通常又叫絕緣柵功率場效應(yīng)晶體管,簡稱為PMOSFET,用字母PM表示。功率場效應(yīng)晶體管已發(fā)展了多種結(jié)構(gòu)型式,本節(jié)主要介紹目前使用最多的單極VDMOS、N溝道增強型PM,2G(柵極)S(源極)D
2025-05-08 00:18
【總結(jié)】微電子器件原理第七章MOS場效應(yīng)晶體管2第七章MOS場效應(yīng)晶體管§基本工作原理和分類§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開關(guān)特性§
2025-05-01 22:36
【總結(jié)】雙端MOS結(jié)構(gòu)1、MOS結(jié)構(gòu)及其場效應(yīng)2、半導(dǎo)體的耗盡及反型3、平衡能帶關(guān)系4、柵壓-平帶電壓和閾值電壓5、電容(C-V)特性MOS-V+a.MOS結(jié)構(gòu)b.電場效應(yīng)1、雙端MOS結(jié)構(gòu)及其場效應(yīng)-V+_______
2025-05-10 19:00