電鏡的近期發(fā)展-wenkub
2023-02-09 11:30:55 本頁面
【正文】 三個高潮： 1） 5060年代的薄晶體中位錯等晶體缺陷的衍襯像的觀察； 2） 70年代極薄晶體的高分辨結(jié)構(gòu)像及原子像的觀察； 3） 80年代興起的分析電鏡的對納米區(qū)域的固體材料，用 X射線能譜或電子能量損失譜進(jìn)行成分分析及用微束電子衍射進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析。 在此期間，人們還致力于發(fā)展超高壓電鏡、掃描透射電鏡、環(huán)境電鏡以及電鏡的部件和附件等，以擴(kuò)大電子顯微分析的應(yīng)用范圍和提高其綜合分析能力。 圖 硅 [110]晶向的結(jié)構(gòu)像 結(jié)構(gòu)像的襯度 SEM像襯之三 — 位相襯度 在 SEM質(zhì)厚襯度成像時，一般是用物鏡光闌擋掉散射光束，使透射束產(chǎn)生襯度。 圖 行波圖 但如果使 S 波改變的位相，那么如圖 (b)所示，就會看到振幅 I + S 與 T 的不同，這種形成的襯度就叫做位相襯度。 以位相襯度形成的單原子像或結(jié)構(gòu)像的觀測標(biāo)志著電鏡已得到了重大發(fā)展。 (1)可觀察較厚的樣品。前者是一個薄壁容器，一側(cè)可通大氣。超高壓電鏡中衍射束和光軸的夾角很小，當(dāng)移動物鏡光闌使衍射束通過以獲得暗場像時，成像束的像差比在 100kV的情況下要小得多，所以能 掃描透射電鏡是綜合了掃描電鏡和透射電鏡的原理和特點(diǎn)而出現(xiàn)的一種新型電鏡。 如果利用彈性散射和非彈性散射電子的強(qiáng)度差，形成一幅組合圖像可以直接顯示單個重原子或原子排列 (即高分辨像 )。 而在掃描透射成像時，透鏡在樣品之前不參與成像，不同能量的透射電子直接被檢測器
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