【正文】 答：其結(jié)構(gòu)在SIT的結(jié)構(gòu)上再增加一個P+層形成了無胞結(jié)構(gòu)。答：功率MOSFET驅(qū)動電路的特點是：輸入阻抗高，所需驅(qū)動功率小，驅(qū)動電路簡單，工作頻率高。應(yīng)當(dāng)注意的是，太小的柵極電阻會使關(guān)斷過程電壓變化加劇，在損耗允許的情況下，柵極電阻不使用宜太小。、VDMOS相比，IGBT管有何特點?答：IGBT的開關(guān)速度快，其開關(guān)時間是同容量GTR的1/10，IGBT電流容量大，是同容量MOS的10倍；與VDMOS、GTR相比，IGBT的耐壓可以做得很高，最大允許電壓UCEM可達(dá)4500V，IGBT的最高允許結(jié)溫TJM為150℃，而且IGBT的通態(tài)壓降在室溫和最高結(jié)溫之間變化很小，具有良好的溫度特性；通態(tài)壓降是同一耐壓規(guī)格VDMOS的1/10，輸入阻抗與MOS同。（2）開關(guān)安全工作區(qū)：由最大峰值漏極電流ICM，最大漏源擊穿電壓BUDS最高結(jié)溫IJM所決定。，功率MOS管與VDMOS管有何區(qū)別?答：功率MOS采用水平結(jié)構(gòu)，器件的源極S，柵極G和漏極D均被置于硅片的一側(cè)，通態(tài)電阻大，性能差，硅片利用率低。?答：緩沖電路可以使GTR在開通中的集電極電流緩升，關(guān)斷中的集電極電壓緩升，避免了GTR同時承受高電壓、大電流。正偏工作區(qū)又叫開通工作區(qū)，它是基極正向偏量條件下由GTR的最大允許集電極功耗PCM以及二次擊穿功率PSB，ICM，BUCEO四條限制線所圍成的區(qū)域。 什么叫GTR的一次擊穿?什么叫GTR的二次擊穿?答：處于工作狀態(tài)的GTR，當(dāng)其集電極反偏電壓UCE漸增大電壓定額BUCEO時，集電極電流IC急劇增大（雪崩擊穿），但此時集電極的電壓基本保持不變，這叫一次擊穿。 解：其波形如下圖所示：，若要使用單次脈沖觸發(fā)晶閘管T導(dǎo)通，門極觸發(fā)信號（觸發(fā)電壓為脈沖）的寬度最小應(yīng)為多少微秒（設(shè)晶閘管的擎住電流IL=15mA）？ 解：由題意可得晶閘管導(dǎo)通時的回路方程：可解得 ， ==1要維維持持晶閘管導(dǎo)通，必須在擎住電流IL以上，即 ， 所以脈沖寬度必須大于150181。（c）因為，大于額定值，所以不合理。答：光控晶閘管是在普通晶閘管的門極區(qū)集成了一個光電二極管，在光的照射下，光電二極管電流增加，此電流便可作為門極電觸發(fā)電流使晶閘管開通。答：晶閘管從正向陽極電流下降為零到它恢復(fù)正向阻斷能力所需的這段時間稱為關(guān)斷時間。進(jìn)而實現(xiàn)晶閘管的關(guān)斷，其兩端電壓大小由電源電壓UA決定?！峨娏﹄娮蛹夹g(shù)》習(xí)題及解答龍巖學(xué)院 物機學(xué)院第1章 思考題與習(xí)題? 導(dǎo)通后流過晶閘管的電流和負(fù)載上的電壓由什么決定?答：晶閘管的導(dǎo)通條件是：晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓，并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流（或脈沖）。，晶閘管的觸發(fā)電流、正反向漏電流、維持電流以及正向轉(zhuǎn)折電壓和反向擊穿電壓如何變化？答：溫度升高時，晶閘管的觸發(fā)電流隨溫度升高而減小，正反向漏電流隨溫度升高而增大，維持電流IH會減小，正向轉(zhuǎn)折電壓和反向擊穿電壓隨溫度升高而減小。即。主要用于高壓大功率場合。 ，其最大值均為Im，試計算各圖的電流平均值．電流有效值和波形系數(shù)。s。發(fā)生一次擊穿時，如果繼續(xù)增大UCE，又不限制IC，IC上升到臨界值時，UCE突然下降，而IC繼續(xù)增大（負(fù)載效應(yīng)），這個現(xiàn)象稱為二次擊穿。反偏安全工作區(qū)又稱為GTR的關(guān)斷安全工作區(qū)，它表示在反向偏置狀態(tài)下GTR關(guān)斷過程中電壓UCE，電流IC限制界線所圍成的區(qū)域。另一方面，緩沖電路也可以使GTR的集電極電壓變化率和集電極電流變化率得到有效值抑制，減小開關(guān)損耗和防止高壓擊穿和硅片局部過熱熔通而損壞GTR。VDMOS采用二次擴散形式的P形區(qū)的N+型區(qū)在硅片表面的結(jié)深之差來形成極短的、可精確控制的溝道長度（1~3）、制成垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以直接裝漏極、電流容量大、集成度高。（3）換向安全工作區(qū)：換向速度一定時，由漏極正向電壓UDS和二極管的正向電流的安全運行極限值IFM決定。、GTR、IGBT、GTO、MOSFET、IGCT及MCT器件中，哪些器件可以承受反向電壓？哪些可以用作靜態(tài)交流開關(guān)？答：SCR、GTR、IGBT、GTO、MCT都可承受反向電壓。SITH的電導(dǎo)調(diào)制作用使它比SIT的通態(tài)電阻小，通態(tài)壓降低，通態(tài)電流大，但因器件內(nèi)有大量的存儲電荷，其關(guān)斷時間比SIT要慢，工作頻率低。？關(guān)斷緩沖與開通緩沖在電路形式上有何區(qū)別，各自的功能是什么？答：緩沖電路的作用是抑制電力電子器件的內(nèi)因過電壓du/dt或者過電流di/dt,減少器件的開關(guān)損耗。第2章 思考題與習(xí)題 什么是整流？它與逆變有何區(qū)別？答：整流就是把交流電能轉(zhuǎn)換成直流電能，而將直流轉(zhuǎn)換為交流電能稱為逆變，它是對應(yīng)于整流的逆向過程。由于具有電感，當(dāng)其電流增大時，在電感上會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，抑制電流增加。因為負(fù)載上的電壓、電流是非正弦波，除了直流Ud與Id外還有諧波分量和，負(fù)載上有功功率為。(1) 采用由220V交流直接供電時：，Ud==24V時　　 取2倍安全裕量，晶閘管的額定電壓、額定電流分別為622V和108A。所選導(dǎo)線截面積為 負(fù)載電阻上最大功率 （2）單相全控橋時,負(fù)載電流有效值 (Kf=)晶閘管的額定電流為 IT(AV)6(A) IT=晶閘管承受最大電壓為 =1885V取2倍安全裕量，晶閘管的額定電壓、額定電流分別為4000V和20A。若已知U2=220V，分別計算其輸出直流電壓值Ud。電阻性負(fù)載： 感性負(fù)載： (3)其波形如下圖所示，晶閘管承受的最大反向電壓為。時負(fù)載兩端的電壓 ud波形。觸發(fā)脈沖寬度為15176。求α=45176。(1) 熔斷器1FU熔斷。試求： (1)不考慮控制角裕量時，整流變壓器二次線電壓。如穩(wěn)壓管損壞斷開，單結(jié)晶體管上峰值電壓太高，不利于單結(jié)晶體管工作。時的換相重疊角。有源逆變的條件：（1） 一定要有直流電動勢，其極性必須與晶閘管的導(dǎo)通方向一致，其值應(yīng)稍大于變流器直流側(cè)的平均電壓；（2） 變流器必須工作在的區(qū)域內(nèi)使Ud0。 有源逆變最小逆變角受哪些因素限制？為什么？答：最小有源逆變角受晶閘管的關(guān)斷時間tq折合的電角度、換相重疊角以及安全裕量角的限制。答；相同點：Buck電路和Boost電路多以主控型電力電子器件（如GTO，GTR，VDMOS和IGBT等）作為開關(guān)器件，其開關(guān)頻率高，變換效率也高。答：這兩種電路都有升降壓變換功能，其輸出電壓與輸入電壓極性相反，而且兩種電路的輸入、輸出關(guān)系式完全相同，BuckBoost電路是在關(guān)斷期內(nèi)電感L給濾波電容C補充能量，輸出電流脈動很大，而Cuk電路中接入了傳送能量的耦合電容C1，若使C1足夠大，輸入輸出電流都是平滑的，有效的降低了紋波，降低了對濾波電路的要求。升壓斬波電路是：輸出電壓的平均值高于輸入電壓的變換電路，它可用于直流穩(wěn)壓電源和直流電機的再生制動。 試分析反激式和正激式變換器的工作原理。當(dāng)T截止時，N2中的感應(yīng)電動勢極性上正下負(fù)，二極管D導(dǎo)通。答：當(dāng)ug1和ug4為高電平，ug2和ug3為低電平，開關(guān)管T1和T4導(dǎo)通，T2和T3關(guān)斷時，變壓器建立磁化電流并向負(fù)載傳遞能量；當(dāng)ug1和ug4為低電平，ug2和ug3為高電平，開關(guān)管T2和T3導(dǎo)通，T1和T4關(guān)斷，在此期間變壓器建立反向磁化電流，也向負(fù)載傳遞能量，這時磁芯工作在B－H回線的另一側(cè)。解：（1）， （2） (3)因為 則 181。試求:(1) 占空比；(2) 電容器C1兩端的電壓Uc1；(3) 開關(guān)管的導(dǎo)通時間和關(guān)斷時間。（3） 由于直流電壓源的鉗位作用，交流側(cè)電壓波形為矩形波，并且與負(fù)載阻抗角無關(guān)，而交流側(cè)輸出電流波形和相位因負(fù)載阻抗情況的不同而不同，其波形接近于三角波或正弦波。因直流側(cè)電壓方向不能改變，所以只能靠改變直流電流的方向來實現(xiàn)，這就需要給交—直整流橋再反并聯(lián)一套逆變橋。（4） 當(dāng)用于交—直—交變頻器且負(fù)載為電動機時，若交—直變換為可控整流，則很方便地實現(xiàn)再生制動。？解：由于全電路開關(guān)管采用自關(guān)斷器件，其反向不能承受高電壓，所以需要在各開關(guān)器件支路串入二極管。解：①輸出相電壓基波幅值 輸出相電壓基波有效值 ②輸出線電壓基波幅值 輸出線電壓基波有效值 ③輸出線電壓中5次諧波 輸出線電壓中5次諧波有效值 全控型器件組成