cmos門(mén)電路工作原理介紹-wenkub
2022-09-01 23:31:59 本頁(yè)面
【正文】 若參數(shù)選擇合理 輸入低電平時(shí) MOS管截止，輸出高電平。 vGS/V iD/mA O GS(th)V轉(zhuǎn)移特性曲線 第三節(jié) CMOS門(mén)電路 4 下頁(yè) 返回 上頁(yè) 可變 電阻區(qū) 恒流區(qū) vGS=UT iD/mA vDS/V O 輸出特性曲線 截止區(qū) G S G S (th )VV?截止區(qū) 漏極和源極之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道，iD≈0。 當(dāng) vDS 0， 且 vGS vGS(th) (MOS管的 開(kāi)啟電壓 ）時(shí)，柵極下面的襯底表面形成一個(gè) N型反型層。這個(gè)反型層構(gòu)成了 DS間的導(dǎo)電溝道，有 iD流通。 漏極特性曲線分為三個(gè)工作區(qū)。 輸入高電平時(shí) MOS管導(dǎo)通，輸出低電平。 RON為 MOS管導(dǎo)通狀態(tài)下的內(nèi)阻，約在 1k?以內(nèi)。 CMOS反相器的靜態(tài)功耗極小 1. 電路結(jié)構(gòu) 下頁(yè) 上頁(yè) 第三節(jié) CMOS門(mén)電路 8 T2的開(kāi)啟電壓 T1的開(kāi)啟電壓 閾值電壓 VTH AB段： T1導(dǎo)通， T2截止， VO = VOH ≈ VDD。 C B A D 12 DDVDDVGS(th)NV GS(th)PVIvDiO 第三節(jié) CMOS門(mén)電路 10 0 I vO VDD=10V VDD=15V NLVNLV?NHV?NHV適當(dāng)提高 VDD，可提高 CMOS反相器的輸入噪聲容限。 VDD=5V 15V IOH VOH O CMOS反相器的高電平輸出特性 10V VDD 1T0ILV ?DDVOHVLROHI第三節(jié) CMOS門(mén)電路 15 下頁(yè) 返回 上頁(yè) 四、其他類型的 CMOS門(mén)電路 在 CMOS門(mén)電路的系列產(chǎn)品中， 除反相器外常用的還有： 與非門(mén)、或非門(mén)、與門(mén)、 或門(mén)、與或非門(mén)、異或門(mén)等幾種。 2. 輸出的高、低電平受輸入端數(shù)目的影響。 （ 2） CMOS“或非 ” 門(mén)電路 ()Y A B ???下頁(yè) 返回 上頁(yè) B A VDD T3 T4 T2 T1 Y CMOS或非門(mén) 存在和與非門(mén)類似的問(wèn)題。 ()Y A B ??RL VDD2 CC40107 VDD1 A B VSS A B Y 第三節(jié) CMOS門(mén)電路 20 下頁(yè) 返回 上頁(yè) A B Y A B
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