數(shù)電課后習(xí)題與答案-wenkub
2023-07-08 18:46:57 本頁面
【正文】 (B39。+C39。BC) 39。C+A39。(1)Y=AB39。 Y2=((AB39。Y1=((A+B) 39。CD+ABC39。BCD+AB39。+A39。C39。C39。B39。列出該電路的真值表，寫出函數(shù)式。列出該函數(shù)的真值表。)+BC (A+A39。)B=AB+BC39。)(B+D)(B+D39。+B+A39。+ABC+ A39。 用余3碼表示下列各數(shù)①（8）10 ②（7）10 ③（3）10 解（1）1011；（2）1010；（3）0110 直接寫出下面函數(shù)的對偶函數(shù)和反函數(shù)。①（）16.. .. .. .. 完成下面的數(shù)值轉(zhuǎn)換：（1）將二進制數(shù)轉(zhuǎn)換成等效的十進制數(shù)、八進制數(shù)、十六進制數(shù)。=（）10 ②（127）8解 證明下面的恒等式相等(AB+C)B=AB+BC=AB ( C+C39。BC= ABC+ABC39。B=A+B+A39。)= (A+C39。 在下列各個邏輯函數(shù)中，當(dāng)變量A、B、C為哪些取值組合時，函數(shù)Y的值為1。)+A39。設(shè)A為主裁判，真值表如下表所示。 已知邏輯函數(shù)真值表如右表所示，寫出對應(yīng)的函數(shù)表達式。C+ A39。+ AB39。D+A39。BC39。C39。D+ABCD39。C) 39。)E+(B39。C+A39。+B+C39。+(AB39。+A39。C+B+C39。C39。+B) = AB39。) 39。 =0 (5)Y=AC (C39。+CE) 39。D+AB39。DE39。F = AC +AD+AB39。 (D+E)+ABE39。C) 39。 =AB39。 +(A+B39。) 39。) =(AB+A39。B39。(AD39。+ AD39。C39。D)(ACD))39。+A39。C39。) 39。C =A39。C = A39。C Y=AB+((BC)39。) 39。+D39。D = ∑m(1,3,5,7,9,15)Y=((A+B)(C+D)) 39。所以為提高開關(guān)速度通常要減輕三極管飽和深度題22 試寫出三極管的飽和條件，并說明對于題圖262的電路，下列方法中，哪些能使未達到飽和的三極管飽和. 解：三極管的飽和判斷條件為 所以，能使未達到飽和的三極管飽和的方法：題23 電路如圖263所示，其三極管為硅管，=20，試求小于何值時，三極管T截止；大于何值時，三極管T飽和；題25 為什么說TTL反相器的輸入端在以下4種接法下都屬于邏輯0？(1)輸入端接地。（4）因為TTL反相器接的輸入端負(fù)載題26 為什么說TTL反相器的輸入端在以下4種接法下都屬于邏輯1？(1)輸入端懸空。(1) 如果輸入端A懸空，由下圖TTL反相器電路可見，反相器各點的電位將和A端接高電平的情況相同，輸出也為低電平。所以輸入端接的 電阻到地相當(dāng)于接高電平。已知它們都是74HC系列的CMOS電路。(a) (b) (c) 解：原圖都有錯誤：（a）圖的普通TTL 門不可輸出端“線與”連接， TTL門只有OC門可輸出端線與連接；（b）圖應(yīng)把接VCC處改為接邏輯“0”，才能實現(xiàn)；（c）圖原來不能實現(xiàn)；原圖需作如下修改：題215 試說明在下列情況下，用萬用表測量圖271中的端得到的電壓各 為多少：（1） 懸空；（2） 接低電平（）；（3） 接高電平（）；（4） 經(jīng)51電阻接地；（5） 經(jīng)10k電阻接地。因為20k （），根據(jù)反相器輸入端負(fù)載特性，則 =。題216 若將圖271中的門電路改為CMOS與非門，試說明當(dāng)為題215給出的五種狀態(tài)時測得 的各等于多少?解：因為CMOS門在輸入工作電壓（0~VDD）時，輸入端電流為0，所以萬用表的等效內(nèi)阻（20K ）壓降為0，則給出的五種狀態(tài)時測得的 均為0V。S1 S0Y0 0A+B 0 1(A+B)’ 1 0(AB)’ 1 1ABY=((A ⊕S1)+(B ⊕S1)) ⊕S0 編碼器的邏輯功能是什么？普通編碼器和優(yōu)先編碼器的 主要區(qū)別是什么？編碼器是將m路輸入數(shù)據(jù)按一定規(guī)律編成n位二進制碼， 。 寫出 圖示電路的輸出邏輯表達式，并分析其邏輯功能， 然后用與非門實現(xiàn)該邏輯功能。 用74HC139設(shè)計3線—8線譯碼器。設(shè)計實現(xiàn)該邏輯功能的數(shù)字電路。（2）7448輸入為LT’=1，0000， 顯示“0”。A B C D Y0 001 0 110 1 11 1 0 111 1 1 01CD=C+D補輸血判斷電路（實驗）。 0 1 0 1真值表：A B CF0 0 000 0 110 1 010 1 101 0 011 0 101 1 001 1 11函數(shù)式：Y=A’B’C+A’BC’+AB’C’+ABC =((A’B’C)’(A’BC’)’(AB’C’)’(ABC)’)’ 什么是競爭—冒險，當(dāng)某一個門的兩個輸入端同時向相反方向變化時，是否一定會產(chǎn)生競爭—冒險。有接入濾波電容、修改邏輯設(shè)計和引入選通脈沖3種方法?！尽咳鐖D436所示為同步SR觸發(fā)器，并給出了CLK和輸入信號S、R的波形，請畫出Q和Q’端的波形。 有誤見更正【】如圖437給出了主從SR觸發(fā)器的CLK及S、R的波形，請畫出Q和Q’端的波形。設(shè)觸發(fā)器初始狀態(tài)為Q=0。設(shè)觸發(fā)器初始狀態(tài)為Q=0。設(shè)觸發(fā)器初始狀態(tài)為Q=0。設(shè)觸發(fā)器初始狀態(tài)為Q=0。使用整體清零法:附加一個4輸入與非門，輸入連接74161(2)的Q0端和74160(1)的Q1端，其輸出連接兩個RD’端。狀態(tài)方程：DFF特性方程：驅(qū)動方程：檢驗自啟動：由卡諾圖可知111—000，所以電路能自啟動。 試說明ROM和RAM的區(qū)別，它們各適用于什么場合？ 試說明PROM種類，以及擦除和寫入方法。4的存儲器。答：PROM主要包括OTPROM、UVEPROM、EEPROM；紫外線擦除、FN隧道穿越擦除和寫入（隧道注入），以及熱電子注入寫入（雪崩注入）。 某計算機具有16位寬度的地址總線和8位寬度的數(shù)據(jù)總線，試計算其可訪問的最大存儲器容量是多少？如計算機已安裝存儲器容量超過此數(shù)值，會怎樣？答： 216180。8的存儲器。
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1