【總結(jié)】第一篇:電工學習題答案.. ,五個元件代表電源和負載。電流和電壓的參考方向如圖中所示。今通過實驗測量得知 I1=-4AI2=6AI3=10AU1=140VU2=-90VU3=60VU4=-80VU...
2024-11-15 05:23
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)班級姓名學號第一頁數(shù)字電子技術(shù)復(fù)習題題目一二三四五六七八總分數(shù)分數(shù)評卷人得分閱卷人一、選擇題(每小題分,共分).組合邏輯電路通常由()組合
2025-04-25 13:02
【總結(jié)】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00
【總結(jié)】.....電路電子技術(shù)復(fù)習題一、計算題:1、計算圖1所示各電路,K打開時及閉合時的Ua、Ub及Uab。圖12、求圖2所示電路中的電壓U。3A36Ω36Ω12Ω12Ω12Ω+-U
2025-04-17 07:17
【總結(jié)】中南大學網(wǎng)絡(luò)教育課程考試(??疲?fù)習題及參考答案電子技術(shù)基礎(chǔ)一、選擇題:1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,少子濃度主要取決于()(A)摻入雜質(zhì)的濃度、(B)材料、(C)溫度2.測得某PNP型三極管各極點位為:UB=-3VUE=-4VUC=-6V,則該管工作于()(
2024-11-07 19:42
【總結(jié)】電子技術(shù)復(fù)習題一、填空:1.PN結(jié)沒有外加電壓時,擴散電流漂移電流。2.半導(dǎo)體有和兩種載流子,對于N型半導(dǎo)體多數(shù)載流子是。 。,則輸出電壓的平均值為,則二極管截止時承受的反向電壓的最大值為5.本證半導(dǎo)體的主要特
2025-08-03 06:17
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》復(fù)習題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃
2025-06-07 02:14
【總結(jié)】第一章復(fù)習題?答:當晶閘管承受正向電壓時,僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才能導(dǎo)通。2.維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?答:(1)維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。(2)若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下,即降到維持電流以下,便可使
2025-06-18 13:42
【總結(jié)】08級數(shù)控專業(yè)《電工電子技術(shù)基礎(chǔ)》復(fù)習題及答案一、填空題1、有甲燈220V60W和乙燈110V40W白熾燈,把他們串聯(lián)后接到220V電源上時燈較亮;若把他們并聯(lián)后接到48V電源上時燈較亮。2、交流電的最大值反映其變化范圍,角頻率(或頻率、周期)反映其,初相角反映其
2024-11-03 17:24
【總結(jié)】11電工電子技術(shù)復(fù)習題及答案參考小抄電工電子技術(shù)復(fù)習復(fù)習題1一、單項選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號內(nèi)1、在圖示電路中,已知US=2V,IS=?2A。A、B兩點間的電壓UAB為()。(a)?3V(b)?1
2025-06-03 05:02
【總結(jié)】《數(shù)字電子技術(shù)》復(fù)習題參考答案一、選擇題1.在數(shù)字電路中,用“1”表示高電平,用“0”表示低電平,稱為(C);(A)譯碼(B)編碼(C)正邏輯(D)負邏輯2.AB(A+BC)化成最簡式是(D)A、AB、BC、A+BD、
2025-06-22 17:14
【總結(jié)】1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價元素,形成N型半導(dǎo)體。2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價元素,變成為P型半導(dǎo)體。3、在本征半導(dǎo)體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃度。5、本征半導(dǎo)體溫度升高以后自
2025-06-24 23:32
【總結(jié)】電力電子技術(shù)B卷答案及評分標準一、填空(每空1分,36分)1、請在正確的空格內(nèi)標出下面元件的簡稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動功率、觸發(fā)
2025-01-08 20:13
【總結(jié)】第1頁共73頁答案參見我的新浪博客:第1章直流電路1理想電流源的外接電阻越大,則它的端電壓()。(a)越高(b)越低(c)不能確定2理想電壓源的外接電阻越
2025-10-15 11:14
【總結(jié)】........第1章電路的基本知識電路的概念(1)略(2)電路通常由電源、負載和中間環(huán)節(jié)(導(dǎo)線和開關(guān))等部分組成。A.電源的作用:將其他形式的能轉(zhuǎn)換成電能。B.負載的作用:將電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。C.中間環(huán)節(jié)的
2025-06-23 18:14