同位素測年原理與方法-wenkub
2023-06-30 07:29:59 本頁面
【正文】 來進(jìn)行分離的方法。特別是當(dāng)殘?jiān)黾拥那闆r下往往會(huì)降低鉛在溶液中的含量。（以上的步驟需要非常仔細(xì)，防止溶江中的丟失影響同位素結(jié)果的測定）。然后仔細(xì)的把燒杯中的溶液仔細(xì)的倒入石英離心管中，用少量的混合液洗一下燒杯把其溶液合并到石英離心管中，離心分離準(zhǔn)確過柱。然后把離心管中的樣品液小心的倒入到交換柱中流干。準(zhǔn)確的加入 HCl 。 ? 3)鈾的離子交換 ? 鈾是以氯形成絡(luò)陰離子吸附在陰離子樹脂上與其它元素分離的。然后加入 5ml抗壞血酸江（ 1g+20ml4 mol/LHCl） ,靜止 10分鐘左右直到黃色的三價(jià)鐵離子逐漸消去。首先用 10ml mol/L HCl液洗柱 ，流干。 ? （二）、 黃鐵礦化學(xué)流程 ? 黃鐵礦在瑪瑙乳缽中被磨碎。 ? 加入混合溶液（ +1ml2mol/LHCl）。 ? 8ml 2mol/L HCl 洗去柱上的雜質(zhì)。 ? 首先加入少量的濃 HCl，趕盡硫后。 ? 鈾測定使用磷酸上樣，三帶源。離子傳輸率為 1/500鈾原子，質(zhì)量數(shù)范圍 1~350，分析重現(xiàn)性 %儀器用 HP9845B計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制。把樣品涂在金屬載樣帶上，金屬載樣帶則連在玻璃座上或金屬架上。 2： 然后通過離子光學(xué)系統(tǒng)，離子被拉出、聚焦和加速，形成具有一定能量和幾何形狀的離子束，進(jìn)入質(zhì)量分析器。 理論原理 ? 在電場中，一個(gè)離子的勢能（ ev）等于它完成加速后的動(dòng)能（ 1/2mv2） ? e: 電子電荷； ? V：離子的加速電壓 ?υ :離子的線速度； ? m ：離子的質(zhì)量 在磁場中，離子受到兩個(gè)相互平衡的力，向心力和離心力 ? H：磁場強(qiáng)度； R：曲率半徑（偏轉(zhuǎn)半徑） ? 將⑴、⑵式中的 υ 消去，得到： ? ⑴保持 H磁場強(qiáng)度恒定變化， V電掃描 ? ⑵保持 V恒定變化， H磁掃描（本室用） ? 由上式可知： ? 當(dāng)磁場強(qiáng)度 H及儀器電壓 V不變時(shí)，離子的偏轉(zhuǎn)半徑 R與荷質(zhì)比 m/e成正比，即荷質(zhì)比越大，離子的偏轉(zhuǎn)半徑越大。 離子接收器 ? 離子檢測器用于收集、放大和記錄經(jīng)分離后的離子束，視離子束強(qiáng)弱的不同，采用法拉第筒檢測器、二次電子倍增器檢測器及閃爍計(jì)數(shù)器等?？墒贡环珠_的離子束依次到達(dá)接受器，記錄儀得到的是一系列峰和谷，這就是被分析樣品的 質(zhì)譜圖 。因此，從離子流的發(fā)生直到被接收的整個(gè)通道中必須處于高真空狀態(tài)。能夠測量的最輕和最重離子之間的質(zhì)量范圍，通常以質(zhì)量數(shù)或質(zhì)荷比 (m／ e)或原子質(zhì)量單位表示， 它限制了被分析物質(zhì)質(zhì)量的上、下限。例如，加寬離子源出口縫和接受器入口縫，可以提高靈敏度，但分辨率卻要下降，同時(shí)精度常有所改善。 177。 ? 同位素?cái)?shù)據(jù)處理 ? 在測試 Pb同位素?cái)?shù)據(jù)時(shí)每一批樣品都用 NBS981 和 NBS987進(jìn)行監(jiān)控以保證樣品的真實(shí)性。 四：同位素定年 1：鉛年齡公式 207Pb/235U=еλ 2t—1 206Pb/238U=еλ 1t—1 2：銣 鍶 年齡公式 3：鉛同位素 1600 1200 800 400 0 0 1 2 3 4 5 207 Pb/ 235 U 206 Pb/ 23 8 U datapoint error ellipses are % conf . Lower intercept: 385 ? 19 Ma Upper intercept: 1726 ? 27 Ma MSWD = QJ965 0 20 40 60 ● ● ● ● ● 3 5 1 2 4 a= b= t=659Ma 珠穆朗瑪峰地區(qū)變質(zhì)巖系 Rb— Sr等時(shí)線年齡圖 ? 87Sr/86Sr ? 87Sr/87Rb ? 4：銣 鍶同位素 優(yōu)化與革新 7500系列的設(shè)計(jì)保留了 4500系列的最佳功能 , 更根據(jù)用戶反饋添加了更多有用功能 , 使得全球最佳的 ICPMS更上一層樓 Agilent 7500 系列 電感耦合等離子體質(zhì)譜儀 什么是 ICPMS? ?ICP Inductively Coupled Plasma 電感耦合等離子體 – 作為質(zhì)譜的高溫離子源 – 樣品在高溫中心通道中進(jìn)行蒸發(fā)、解離、原子化、電離等過程 ? MS Mas
教學(xué)教案相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1