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國(guó)家火炬計(jì)劃產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目可行性研究報(bào)告-wenkub

2023-05-27 23:04:52 本頁(yè)面
 

【正文】 費(fèi)1757合 計(jì)420第六章 經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益分析、銷(xiāo)售收入估算 項(xiàng)目產(chǎn)品生產(chǎn)規(guī)模及銷(xiāo)售量年份生產(chǎn)規(guī)模(噸)銷(xiāo)售數(shù)量(噸)第一年(2008年)第二年44第三年44第四年44第五年44年份總銷(xiāo)售收入總成本費(fèi)用凈利潤(rùn)第一年(2008)23101591277第二年33002177451第三年33002177451第四年33002177451第五年33002177451 項(xiàng)目產(chǎn)品生產(chǎn)規(guī)模及銷(xiāo)售量 單位:萬(wàn)元 通過(guò)現(xiàn)金流量表分析,財(cái)務(wù)動(dòng)態(tài)分析結(jié)果如下:● 項(xiàng)目今后十年累計(jì)實(shí)現(xiàn)凈現(xiàn)值2551萬(wàn)元。 新增500萬(wàn)元投資中,企業(yè)自籌資金400萬(wàn)元,申請(qǐng)國(guó)家火炬計(jì)劃資金支持100萬(wàn)元。目前本項(xiàng)目產(chǎn)品已牢牢占領(lǐng)國(guó)內(nèi)單晶市場(chǎng),并成功打入世界最大的砷化鎵制造和使用商—日本住友電工,同時(shí)在韓國(guó)、美國(guó)和臺(tái)灣都開(kāi)發(fā)了客戶(hù)并擁有代理商,形成了穩(wěn)定的國(guó)內(nèi)外銷(xiāo)售渠道。紅外LED和高亮度LED是一種應(yīng)用面廣,用量大的半導(dǎo)體器件,在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域其用量都在大幅度增長(zhǎng),據(jù)統(tǒng)計(jì),目前我國(guó)LED產(chǎn)量約占全球產(chǎn)量的12%,1999年—%,預(yù)計(jì)今后仍將以20%以上的速度增長(zhǎng),隨著LED不斷擴(kuò)展其應(yīng)用領(lǐng)域,不斷增大應(yīng)用量,對(duì)HBGaAs襯底的需求亦相應(yīng)增長(zhǎng),在今后相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)期內(nèi),本項(xiàng)目產(chǎn)品的需求量越來(lái)越大,市場(chǎng)前景非常樂(lè)觀?!顚?duì)核心員工開(kāi)展有針對(duì)性的培訓(xùn)。建立完善的績(jī)效管理制度,有利于對(duì)公司員工的工作業(yè)績(jī)做出一個(gè)準(zhǔn)確、公正的評(píng)判,使之對(duì)自身有一個(gè)客觀的認(rèn)識(shí),也有利于企業(yè)及時(shí)了解員工工作績(jī)效存在的問(wèn)題,幫助其改善工作績(jī)效,提高工作滿(mǎn)意度。合理薪酬是留住核心員工的關(guān)鍵性因素之一。所以,該產(chǎn)品在技術(shù)上不存在任何風(fēng)險(xiǎn)。項(xiàng)目技術(shù)實(shí)現(xiàn)主要面臨的風(fēng)險(xiǎn)有技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)、人員風(fēng)險(xiǎn)、市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)等。 隨著LED的廣泛應(yīng)用,國(guó)際市場(chǎng)對(duì)該產(chǎn)品的需求也越來(lái)越大,本產(chǎn)品憑借其良好的性能指標(biāo)和低廉的產(chǎn)品價(jià)格已經(jīng)占領(lǐng)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng),并逐步進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)。這樣GaInAlP/ GaAs基高亮度LED也會(huì)大量用于白光光源,至于彩色照明、景觀裝飾照明等更離不開(kāi)GaAs襯底。 固態(tài)光源——半導(dǎo)體照明中的應(yīng)用高亮度LED或白色LED作為照明光源,已開(kāi)始逐步代替現(xiàn)行的白熾燈和熒光燈,這也許是高亮度LED最有發(fā)展前景、用量最大的一項(xiàng)應(yīng)用。高亮度LED越來(lái)越受到汽車(chē)廠的青睞,許多名牌汽車(chē)如卡迪拉克、奧迪、本田、三菱、馬自達(dá)、尼桑等都越來(lái)越多的采用高亮度LED光源。紅外LED和高亮度LED是一種應(yīng)用面廣,用量大的半導(dǎo)體器件,在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域其用量都在大幅度增長(zhǎng),據(jù)統(tǒng)計(jì),1994年到2003年整個(gè)LED生產(chǎn)和需求量平均年增長(zhǎng)率為40%以上。177。177。國(guó)內(nèi)的中科鎵英公司大量購(gòu)買(mǎi)本項(xiàng)目產(chǎn)品經(jīng)加工后亦成功進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)。該項(xiàng)目的技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,產(chǎn)品質(zhì)量也達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,同類(lèi)商品國(guó)際市場(chǎng)占有率接近10%。目前企業(yè)擁有HBGaAs單晶生產(chǎn)系統(tǒng)30臺(tái)及相應(yīng)的晶片加工(切片機(jī)、磨片機(jī)、劃園機(jī)、倒角機(jī)、拋光機(jī)等)性能檢測(cè)設(shè)備,因此,承擔(dān)本項(xiàng)目,國(guó)瑞公司具有人員和技術(shù)優(yōu)勢(shì)。1991年原國(guó)家計(jì)委選定北京有研總院組建國(guó)家半導(dǎo)體材料工程研究中心,作為國(guó)家半導(dǎo)體材料工程化研發(fā)基地,加快了HBGaAs單晶材料的產(chǎn)業(yè)化步伐。177。177。通過(guò)提高單晶單爐產(chǎn)量和成品率,提高晶片加工成品率,實(shí)現(xiàn)了水平砷化鎵單晶材料的產(chǎn)業(yè)化,達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo)。同時(shí),采用這特種加熱爐,通過(guò)高溫區(qū)、中溫區(qū)和固液界面區(qū)溫度分布的控制,很容易“調(diào)平”固液界面。本公司在爐體結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì);保溫層的設(shè)置和配置;加熱區(qū)段設(shè)置;加熱區(qū)域設(shè)置等方面均取得了很大進(jìn)步。這種界面非常容易出孿晶,或使晶體的EPD增大,降低成品率。角度不一致還有可能在晶體內(nèi)部出現(xiàn)熱應(yīng)力而導(dǎo)致晶體完整性差,使EPD增大,從而降低成品率。固液界面特種加熱爐 可很好調(diào)整固液界面形狀,這對(duì)生長(zhǎng)不同晶向晶體、降低位錯(cuò)密度,提高成品率都十分重要。高溫區(qū)的氣相Ga2O擴(kuò)散到中溫區(qū)發(fā)生如下反應(yīng):3 Ga2O(g)+As4(g)=Ga2O3(S)+4GaAs(S) (4)SiO(g)=SiO(S) (5)反應(yīng)(4)消耗了Ga2O,使反應(yīng)(1)向右繼續(xù)進(jìn)行,加劇了Si向GaAs中的并入。這種加熱結(jié)構(gòu)既得到所需的溫度分布,又可抑制生長(zhǎng)過(guò)程中Si的污染。本項(xiàng)目所設(shè)計(jì)的水平單晶爐是一種多段式兩溫區(qū)爐,只有熱場(chǎng)配置合理即溫度梯度合適才有可能生長(zhǎng)出合格單晶,公司技術(shù)人員經(jīng)過(guò)反復(fù)實(shí)驗(yàn)、比較、不斷優(yōu)化,設(shè)計(jì)出了合理熱場(chǎng),優(yōu)化了溫度分布,為提高單晶生長(zhǎng)成品率、實(shí)現(xiàn)該工藝的產(chǎn)業(yè)化創(chuàng)造了又一個(gè)有利條件。這個(gè)問(wèn)題曾是困擾HBGaAs單晶生長(zhǎng)的一個(gè)較嚴(yán)重問(wèn)題。采用優(yōu)質(zhì)SiC管支撐石英反應(yīng)管使石英反應(yīng)管長(zhǎng)期處于高溫(~1300℃)下時(shí)膨脹度不至影響單晶生長(zhǎng)(反應(yīng)管外徑擴(kuò)大不超過(guò)10㎜)。自公司成立以來(lái),憑借自身雄厚的實(shí)力和良好的管理體制,在國(guó)內(nèi)外用戶(hù)中樹(shù)立了良好的形象。公司在日常生產(chǎn)和管理中,注重提升員工的質(zhì)量意識(shí),在員工頭腦中筑起了質(zhì)量保證的長(zhǎng)城。日本住友電工集團(tuán)一向?qū)ν鈦?lái)產(chǎn)品要求極為嚴(yán)格,本公司產(chǎn)品能夠大量進(jìn)入該集團(tuán),說(shuō)明本產(chǎn)品極具競(jìng)爭(zhēng)力。公司在水平GaAs生產(chǎn)技術(shù)方面處于國(guó)際先進(jìn)水平,公司是國(guó)內(nèi)唯一的批量生產(chǎn)水平GaAs晶片、GaP晶片的企業(yè)。 技術(shù)優(yōu)勢(shì):項(xiàng)目承擔(dān)單位國(guó)瑞公司前身是北京有色金屬研究總院化合物半導(dǎo)體材料研究室,從1958年就開(kāi)始水平GaAs單晶研究,已有40多年研究開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),擁有一支由該領(lǐng)域知名專(zhuān)家教授及長(zhǎng)期從事該項(xiàng)目研究的高工組成的研發(fā)隊(duì)伍,這支隊(duì)伍對(duì)該項(xiàng)目產(chǎn)品擁有絕對(duì)技術(shù)優(yōu)勢(shì)。為緩解這種局面,本公司在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上,組織研發(fā)人員進(jìn)行了該產(chǎn)品研究開(kāi)發(fā)工作,目前該產(chǎn)品技術(shù)已基本成熟,關(guān)鍵問(wèn)題已經(jīng)解決,產(chǎn)品于2005年9月通過(guò)了中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)組織的科技成果鑒定,鑒定結(jié)果為:該項(xiàng)目技術(shù)、產(chǎn)品質(zhì)量均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,同類(lèi)商品國(guó)際市場(chǎng)占有率接近10%。177。主要技術(shù)與性能指標(biāo)如下:N型(摻Si)n(cm3):(2~40)1017;μn(cm2/):≥1400;晶片直徑(mm):177?!盚B-GaAs單晶成品率由現(xiàn)在的55%增加到70%,EPD5103cm-2?!八缴榛墕尉Р牧袭a(chǎn)業(yè)化” 2001年被原國(guó)家計(jì)委批復(fù)為國(guó)家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項(xiàng)目,并于2005年通過(guò)中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)組織的科技成果鑒定,鑒定結(jié)果為:該項(xiàng)目的技術(shù)、產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。國(guó)際上HBGaAs單晶生產(chǎn)以日本住友電工公司為主,其產(chǎn)量約占全世界產(chǎn)量的60%(2004年為62%),所提供的晶片以Φ2”,”為主。目 錄第一章 概述 3 3 3 性能 4 4 5 5第二章 技術(shù)可行性分析 工藝設(shè)備的合理性和成熟性、關(guān)鍵技術(shù)的先進(jìn)性 6 10 11第三章 項(xiàng)目成熟程度 1鑒定及用戶(hù)使用情況 1價(jià)格、性能等情況 12 13第四章 市場(chǎng)需求情況和風(fēng)險(xiǎn)分析 14 14 15 15第五章 投資估算及資金籌措 17 17 17 18第六章 經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益分析 1銷(xiāo)售收入估算 19 19 20 20 20第七章 綜合實(shí)力和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ) 24 24 24 2產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ) 27第八章 項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度計(jì)劃 28第一章 概述砷化鎵(GaAs)單晶是一種重要的半導(dǎo)體光電子和高速高頻用半導(dǎo)體微電子材料,在國(guó)際上其產(chǎn)量?jī)H次于硅。Φ2”,”水平砷化鎵單晶近年來(lái)大量用于紅外LED和高亮度LED,是目前生產(chǎn)量和需求量最大、增長(zhǎng)率最快的化合物半導(dǎo)體器件之一。本項(xiàng)目產(chǎn)品目前關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)突破,并開(kāi)始批量生產(chǎn),產(chǎn)品已成功進(jìn)入國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)。以進(jìn)一步提高產(chǎn)品的性?xún)r(jià)比從而增強(qiáng)其競(jìng)爭(zhēng)力。177。;EPD(cm2):≤1104。隨著LED在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域用量的大幅度增長(zhǎng),本項(xiàng)目產(chǎn)品的市場(chǎng)越來(lái)越廣闊。該項(xiàng)目技術(shù)路線設(shè)計(jì)合理,關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)突破,其余技術(shù)完全能夠?qū)崿F(xiàn),項(xiàng)目產(chǎn)品目前已通過(guò)權(quán)威部門(mén)檢測(cè)和鑒定,鑒定結(jié)果為國(guó)際先進(jìn)。公司成立了
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