晶體二極管已修改ppt課件-wenkub
2023-05-27 12:11:44 本頁面
【正文】 知識 物質(zhì)按其導(dǎo)電能力可分為導(dǎo)體、 絕緣體和半導(dǎo)體 3 種。P N正極 負(fù)極晶體二極管的主要特性：晶體二極管的主要特性： 單方向?qū)щ娞匦詥畏较驅(qū)щ娞匦訮N結(jié)反偏（結(jié)反偏（ N接接 +、 P接接 ）） ， D截止。科學(xué)出版社 主編 童詩白，華成英主編 高等教育出版社 主編謝嘉奎 《 電子線路 》 (線性部分 )唐伶俐 副教授辦公室：信科大樓 S226Tel:《 電子電路基礎(chǔ) 》(Basis of Electronic Circuits) 重慶郵電大學(xué)通信學(xué)院電路基礎(chǔ)教研中心 教 （第五版） 主編 2022高教出版社， 2022（清華） 《 電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 （模擬部分） 高等教育出版社 19992022截止。 通常人們把容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體 , 如金、銀、銅等 。 ? ? 嚴(yán)格地說，導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的劃分是以物質(zhì)的電阻率 ρ的大小來確定的。cm的稱為絕緣體 。 ? 半導(dǎo)體為什么會具有上述特性呢？要回答這個問題 , 必須研究半導(dǎo)體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。+4+4+4+4+4+4+4+4 硅和鍺共價鍵結(jié)構(gòu)示意圖：共價鍵 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體q當(dāng) T升高或光線照射時 產(chǎn)生 自由電子空穴對。本征 激發(fā) 。當(dāng)原子中的 價電子 在 光照或溫度升高 時 獲得能量 掙脫共價鍵的束縛而 成為自由電子 ，原子中 留下空位（即空穴） ，（即 產(chǎn)生自由電子－空穴對 ）同時原子因失去價電子而帶正電。自由電子 — 帶負(fù)電半導(dǎo)體中有兩種導(dǎo)電的載流子216。T 導(dǎo)電能力ni或光照 熱敏 特性光敏特性vN型半導(dǎo)體： 本征半導(dǎo)體中摻入少量 五價 元素構(gòu)成。空穴（雜質(zhì)電離 （多數(shù)） 和本征激發(fā)產(chǎn)生）（本征激發(fā)產(chǎn)生）216。漂移電流密度總漂移電流密度：遷移率178。 擴散與擴散電流N 型 硅光照n(x)p(x)載流子濃度xnopo PN結(jié)結(jié)多 子：多 子：空穴少子：自由電子少子： 在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通過擴散不同的雜質(zhì) ,分別形成 N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體。 注意： 摻雜濃度（ Na、 Nd） 越大，內(nèi)建電位差 VB 越高，阻擋層寬度 l0 越小。 正偏正偏 ： 是正向偏置的簡稱，正向偏置是指給 PN結(jié)的 P端 接電源的 “ +” 極 ， N端接 電源的 “ ” 極 的一種接法。 PN結(jié)的特性：PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕凑驅(qū)ǎ聪蚪刂梗┙Y(jié)的單向?qū)щ娦裕凑驅(qū)?，反向截止?PN結(jié)的結(jié)的 伏安特性伏安特性216。216。溫度每升高 10℃ ， IS約增加一倍。V(BR)ID(mA)V(V)形成原因 : 場致激發(fā)。 雪崩擊穿電壓 具有正溫度系數(shù)。216。 要求： Izmin Iz Izmax216。 要求 ： Izmin Iz Izmax穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù) 穩(wěn)定電壓、穩(wěn)定電壓 UZ :在在 反向擊反向擊穿區(qū)時的穩(wěn)定工作電壓，穿區(qū)時的穩(wěn)定工作電壓， UZ是根是根據(jù)要求挑選穩(wěn)壓管的主要依據(jù)之一據(jù)要求挑選穩(wěn)壓管的主要依據(jù)之一。其值越小越好。 PN結(jié)的結(jié)的 電容特性電容特性勢壘區(qū)內(nèi)空間電荷量隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。 PN結(jié)反偏時 ， CT CD ， 則 Cj ≈ CT PN結(jié)總電容： Cj = CT + CD167。通常： CT ≈幾 PF ~ 幾十 PF。 便于計算機輔助分析的 數(shù)學(xué)模型直流簡化電路模型交流小信號電路模型167。曲線模型 — 伏安特性曲線V(BR)I (mA)V(V)VD(on)IS當(dāng) V VD(on)時 二極管 導(dǎo)通當(dāng) V VD(on)時 二極管 截止當(dāng) 反向電壓 V ? V (BR)時 二極管 擊穿晶體二極管的伏安特性曲線，通常由實測得到。 開關(guān)狀態(tài)： 與外電路相比， RD可忽略時的伏安特性。 （室溫） ： PN結(jié)串聯(lián)電阻，數(shù)值很小。IVQrsrj Cj216。 晶體二極管電路分析方法利用二極管曲線模型和管外電路所確定的負(fù)載線，通過作圖的方法進(jìn)行求解。167。 例 1： 已知電路參數(shù)和二極管伏安特性曲線，試求電路的靜態(tài)工作點電壓和電流。 簡化分析法 即將電路中二極管用簡化電路模型代替，利用所得到的簡化電路進(jìn)行分析、求解。理想二極管：若 V0， 則管子導(dǎo)通；反之截止。其余管子需重新分析其工作狀態(tài)。 +DV2V1+AOVAO+12V6V3K?(a)++D1D2V2V1+AOVAO3K?6V 9V(b)圖
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