極管特性及應用ppt課件-wenkub
2023-05-16 00:07:10 本頁面
【正文】 硅 二極管的死區(qū)電壓Vth= V左右， 鍺 二極管的死區(qū)電壓Vth= V左右。 (b)面接觸型 二極管符號 圖 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖 (c)平面型 二、 半導體二極管的伏安特性曲線 式中 IS 為反向飽和電流， V 為二極管兩端的電壓降， VT =kT/q 稱為溫度的電壓當量， k為玻耳茲曼常數(shù)， q 為電子電荷量， T 為熱力學溫度。 (1) 點接觸型二極管 PN結(jié)面積小，結(jié)電容小， 用于檢波和變頻等高頻電路。半導體二極管 一 半導體二極管的結(jié)構(gòu)類型 二 半導體二極管的伏安特性曲線 三 半導體二極管的參數(shù) 四 半導體二極管的溫度特性 五 半導體二極管的型號 六 穩(wěn)壓二極管 特殊二極管簡介 七 一、 半導體二極管的結(jié)構(gòu)類型 在 PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個二極管。 (a)點接觸型 圖 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖 (3) 平面型二極管 往往用于集成電路制造工 藝中。對于室溫（相當 T=300 K），則有 VT=26 mV。 當 0＜ V＜ Vth時，正向電流為零， Vth稱為死區(qū)電壓或開啟電壓。反向區(qū)也分兩個區(qū)域： 當 VBR＜ V＜ 0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱 反向飽和電流IS 。 從擊穿的機理上看 ，硅二極管若 |VBR|≥7V時 ,主要 是 雪 崩 擊 穿 ； 若|VBR|≤4V時 , 則主要是齊納擊穿 。 (2) 反向擊穿電壓 VBR—— 和最大反向工作電壓 VRM 二極管反向電流 急劇增加時對應的
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