模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)期末復(fù)習(xí)資料-wenkub
2022-11-05 11:37:01 本頁面
【正文】 C E Q URIVUUU ????????1 EQBQ II???????????? nj ujnu AUUUUUUUUA 1ioi2o2io1io ??????????i1i RR?nRR oo?eEQB E QBQEE 2 RIURIV b ???通常， Rb較小，且 IBQ很小， coC M RcbebLcd2 0 )2(RRKArRRRA??????∥雙端輸出：?cobebebebC M RebebLccbebLcd )(2)1(2 )1(2)( )(2)(RRrRRrRKRrRRRArRRRA????????????????∥∥單端輸出： 差模信號：兩輸入信號的差 五．差分放大電路的改進(jìn) 第 五 章 集成運算放大電路 2)1( Wbebcd RrRRA???????Wbebi )1()(2 RrRR ?????IccIddO uAuAu ???? 一 . 集成運放電路的基本組成 采用差放電路，以減小零漂。 3. 直接耦合 低頻特性好，便于集成。 三 . 場效應(yīng)管的主要參數(shù) IDSS Up UT RGS gm (表明場效應(yīng)管是電壓控制器件 ) 四 . 場效應(yīng)管的 低頻 小信號等效模型 五 . 共源 基本放大電路 分壓式偏置放大電路 * 動態(tài)分析 第四章 多級放大電路 213i RRRR ∥??4O RR ? 一 . 級間耦合方 式 1. 阻容耦合 各級靜態(tài)工作點彼此獨立；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。 * 有電流放大能力 。 （ 2） 飽和失真 *產(chǎn)生原因 Q 點設(shè)置過高 *失真現(xiàn)象 NPN管削底， PNP管削頂。 *作用 分析信號被放大的過程。 *作用 確定靜態(tài)工作點 *直流負(fù)載線 由 確定的直線。 四 . 基本放大電路組成及其原則 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、 C C2的作用。 飽和區(qū) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏 截止區(qū) 發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸 面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 分析方法 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低 : 若 V 陽 V陰 ( 正偏 )，二極管導(dǎo)通 (短路 或壓降 )。 8. PN 結(jié)的伏安特性 二 . 半導(dǎo)體二極管 *單向?qū)щ娦?正向?qū)ǎ聪蚪刂埂? *N型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入 微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。 帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 第一章 半導(dǎo)體二極管 一 .半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì) (如硅 Si、鍺 Ge)。 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。 6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 *載流子的濃度 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)
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