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模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)答案-wenkub

2022-11-05 11:36:50 本頁(yè)面
 

【正文】 ??? 圖( b) ??????????????????k1)(2 1004250)(4ib e 1325i21b e 2422b e 1b e 2111RRrRRRRAAArRArrRAuuuuu∥∥∥??????? 圖( c) ?????????????????k2663410762)(4ib e 11i21b e 2422b e 1b e 2311RRrRRAAArRArrRAuuuuu∥∥??????? 圖( e) ? ??????????????????????????431M1061)1()1(6])1([2be4o1i214be4224be21????RrRRRRAAARrRARgRrRgAuuuummu∥∥????? beWcIOdC2C1OIbecC2IbeWcC1beWcIOd)2( 2 2)( )2()2( )1(rRRuuAuuuurRuurRRurRRuuA???????????????????????????????? ???????????????????????)1(2972)1( mV26)1(2222WbeiWbecdEQbb39。 第三章 多級(jí)放大電路 自測(cè)題 一、( 1) ( 2)√√ ( 3)√ ( 4) ( 5)√ 二、( 1) A A ( 2) D A ( 3) B A ( 4) D B ( 5) C B 三、( 1) B D ( 2) C ( 3) A ( 4) A C ( 5) B ( 6) C 四、( 1) IC3=( UZ- UBEQ3) / Re3= IE1= IE2= ( 2)減小 RC2。 在輸出特性中作直流負(fù)載線(xiàn) uDS= VDD- iD( RD+ RS),與 UGSQ=- 2V 的那條輸出特性曲線(xiàn)的交點(diǎn)為 Q 點(diǎn), UDSQ≈ 3V。 ( 1)求解 Q 點(diǎn): )1()1(eEQCCC E QBQEQebB E QCCBQ????????? ??RIVUIIRRUVI?? ( 2)求解電壓放大倍數(shù)和輸入電阻: ))(1())(1( k76)])(1([k3)1()1( k110])1([LebeLeLebebiLebeeebebiL????????????????????????RRrRRARRrRRRRrRARrRRRuu∥∥∥∥:∥:???????? ( 3) 求解輸出電阻: ??? ?? 371 beseo ? rRRRR b∥∥ (1) ??????????????????????????k3 95)( 952 952mV26)1( )( A A μ31)1(cobeLcbebiEQbb39。LioRRRRr RAUUA uu ??? 空載時(shí), 2 C E SC E Qom ??? UUU 39。 ( b)截止失真,減小 Rb 。 帶載時(shí): IBQ= 20μ A, ICQ= 2mA, UCEQ= 3V;最大不失真輸出電壓峰值約為 。 ( c)將 VBB反接,且加輸入耦合電 容。因?yàn)?T 截止。 ( g)可能。 ( e)不能。 ( b)可能 ( c)不能。 過(guò) uDS為某一確定值(如 15V)作垂線(xiàn),讀出它與各條輸出特性的交點(diǎn)的 iD 值;建立 iD= f( uGS)坐標(biāo)系, 根據(jù)前面所得坐標(biāo)值描點(diǎn)連線(xiàn),便可得轉(zhuǎn)移特性。 當(dāng) uI=- 5V時(shí),晶體管飽和, uO= 。 當(dāng) VBB= 1V時(shí), T 處于放大狀態(tài)。 ???????? 700)V(233)V( D m i nDm a xD m a xDm i n IURIUR tuOi /V533tuOO /VtuOI1/V3tuOI2/V3tuOO /V1 波形如圖所示。 當(dāng) UI= 35V時(shí), UO= UZ= 5V。 ( 2)兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時(shí)可得 6V等兩種穩(wěn)壓值。 ttuuOOio/V/V1010 ui和 uo的波形如圖所示。 臨界飽和時(shí) UCES= UBE= ,所以 ?????????VVBBEBBbCBcC E SCCCIURIIRUI? 七、 T1:恒流區(qū); T2:夾斷區(qū); T3:可變電阻區(qū)。第一章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 自測(cè)題 一、( 1)√ ( 2) ( 3)√ ( 4) ( 5)√ ( 6) 二、( 1) A ( 2) C ( 3) C ( 4) B ( 5) A C 三、 UO1≈ UO2= 0 UO3≈- UO4≈ 2V UO5≈ UO6≈- 2V 四、 UO1= 6V UO2= 5V 五、根據(jù) PCM= 200mW 可得: UCE= 40V時(shí) IC= 5mA, UCE= 30V 時(shí) IC≈ , UCE= 20V時(shí) IC= 10mA, UCE= 10V時(shí) IC= 20mA,將改點(diǎn)連接成曲線(xiàn),即為 臨界過(guò)損耗線(xiàn)。 習(xí)題 ( 1) A C ( 2) A ( 3) C ( 4) A 不能。 uo的波形如圖所示。 IZM= PZM/UZ= 25mA, R= UZ/IDZ= ~ 。 ( 2) ??? RUUI )( ZIDZ29mA> IZM= 25mA,穩(wěn)壓管將因功耗過(guò)大而損壞。 60℃時(shí) ICBO≈ 32μ A。因?yàn)? V9umA3 μA60 CCQOBQCQb B E QBBBQ ???????? RIVIIR UVI CC, ? 當(dāng) VBB= 3V時(shí), T 處于飽和狀態(tài)。因?yàn)? mA24μA480BCbBEIB?????IIRUuI? tu0I /V63tu0O1 /V3tu0O2 /V35mA(a) (b) CCCCCCEC VRIVU <?? ( a)可能 ( b)可能 ( c)不能 ( d)不能, T 會(huì)損壞。 uI= 4V時(shí) T 夾斷, uI= 8V時(shí) T 工作在恒流區(qū), uI= 12V時(shí) T 工作在可變電阻區(qū)。因?yàn)檩斎胄盘?hào)作用于基極與地之間,不能馱載在靜態(tài)電壓之上,必然失真。因?yàn)檩斎胄盘?hào)被 C2短路。 ( h)不合理。 三、 ( 1) 3 )( 565 )( BQC E QCCBQB E QCC IUVIUV ??? ; ( 2) 0 . 3 120 39。 ( d)在 VBB支路加 Rb,在- VCC與集電極之間加 Rc。 ( 1) ( 2) ( 3) ( 4)√ ( 5) ( 6) ( 7) ( 8)√ ( 9)√ ( 10) ( 11) ( 12)√ ( 1) ( 2) 12V ( 3) ( 4) 12V ( 5) 12V ??????????????????????????????k5 93 308 mV26)1( Aμ22o39。 ( c)同時(shí)出現(xiàn)飽和失真和截止失真,增大 VCC。LCQomL ???? RIUR 時(shí), ② ① ② ① ③ ③ ② ① ③ ① ③ ③ ① ③ ③ ( 1)靜態(tài)及動(dòng)態(tài)分析: ???????????????????????????????????k5])1([)1()(mV26)1()( A μ101mA1 V2cofbeb2b1ifbeLcEQbb39。beecEQCCC E QBQCQebB E QCCBQRRrRRArRRIrrRRIVUmIIRRUVIQu∥∥:????? (2) ])1([CmV3 04ioisiieLcebebieioisii?????????????????????UAUURRRURRRARrRRUAUURRRUusuus???∥∥開(kāi)路,則若? ( a)源極加電阻 RS。 ( 2) m A / V12DQD S SG S ( o f f )GSDm DS ????? IIUu ig U ????????? kRRRRgA u 5 M1 5 DoiDm? ( 1)求 Q 點(diǎn): UGSQ= VGG= 3V 從轉(zhuǎn)移特性查得,當(dāng) UGSQ= 3V時(shí), IDQ= 1mA, UDSQ= VDD- IDQRD= 5V ( 2)求電壓放大倍數(shù): 20VmA32)(??????DmuDODQthGSmRgAIIUg? DiLDmuRRRRRRRRgA?????0213)(∥∥ ( a) ( b) ( c) NPN 型管,上 集電極,中 基極,下 發(fā)射極。 當(dāng) uI= 0 時(shí) uO= 0, ICQ4= VEE / RC4= 。beeWB E QEEEQEEeEQWEQB E QRrRRrRAIrrRRUVIVRIRIU????+, 672 mV10mV152IddObecdI2I1IdI2I1IC??????????????uAurRAuuuuuu? ( 1) V5 CCLc L39。CCC Q 1eB E QEEEQ????????VURIVURUVI
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